l1l1l1

тогда вот так:UPCH_3.zip

если можно, дайте ссылки на литературу по этой программе, желательно на русском. и если есть, документ от Agilent с описанием основных возможностей программы.

во-первых, S-параметры вашей микросхемы ниже 100 МГц не определены, и анализировать характеристики усилителя ниже этой частоты бессмысленно. во-вторых, характеристики ваших фильтров на входе и выходе совершенно разъехались. ваша микросхема в полосе пропускания хорошо согласована и по входу, и по выходу. поэтому вам надо сначала оптимизировать характеристики фильтров отдельно (сначала убрав результаты "оптимизации", вернув номиналы емкостей и индуктивностей к расчетным значениям). UPCH_2.zip

дорогой saab, за короткое время вы успели сделать столько экзотических сообщений, что просто волосы дыбом! если вы чего-то не помните, хотя бы википедию почитайте перед тем как потрясать основы. http://ru.wikipedia.org/wiki/Электрический_конденсатор о тангенсе угла диэлектрических потерь - пункт 4.2.4. к сожалению, в Правилах форума нет требований к технической грамотности сообщений, видимо, при составлении Правил предполагалось, что новички будут больше задавать вопросы, чем делиться своими представлениями о сути вещей, но там есть пункт 2.1в, требующий "высказываться понятно, полно и грамматически правильно", в связи с чем я вам напоминаю, что слово "омический" пишется с одним "м", что есть слово "вообще" и выражение "в общем", а слова "вообщем" в русском языке нет. l1l1l1

дествительно, хорошая книга, спасибо. в ней есть данные для связанных линий на подвешенной подложке и для линий с лицевой связью на единственной подложке тоже есть. точность и границы применимости формул по-видимому можно найти в исходных статьях. признаться, я таких данных не встречал. однако в книге нет той структуры, которая используется автором темы. в структуре автора темы пять диэлектрических слоев (две подложки и три воздушных слоя), а не три диэлектрических слоя при одной подложке, как в книге.

теперь, когда вы достаточно подробно описали вашу структуру, надобности в рисунке нет. а нарисовать можно было хотя бы в Paint из Windows. да, такая структура не считается ни в Txline(MWO), ни в LineGauge(Zeland), ни в Tline(Genesys), ни в TRL(Serenade). (но и связанные линии с лицевой связью на разных сторонах диэлектричесой платы там тоже не считаются. а связанные линии с боковой связью на подвешенной подложке есть только в TRL(Serenade), но у меня она не устанавливается.) вашу структуру, как и многие другие, можно посчитать в Polar Si8000 v13 (про другие версии не знаю). для однородного воздушного заполнения и для фторопластовых плат толщиной 1мм у меня получились следующие результаты: с помощью этой программы, изменяя ширину линий и расстояние до экранов, как мне кажется, можно довольно легко получить нужные значения Zoo и Zoe. влияние значительное, и чем больше толщина диэлектрика, тем больше влияние. тем больше будет и разница фазовых скоростей четной и нечетной мод, причем, даже если удастся добиться точного равенства Zoo и Zoe соответствующим сопротивлениям при отсутствии диэлектрика, эта разница скоростей никуда не денется. эта разница фазовых скоростей приводит в НО к уменьшению развязки.

уважаемая Mirabella! извините, что вмешиваюсь, но давайте всё же определимся, о какой структуре идет речь. у вас сначала речь шла о ширине зазора между линиями, а потом вдруг оказалось толщина зазора. если металлический рисунок с одной стороны подложки, а с другой стороны вся медь стравлена, то речь идет о связанных полосковых линиях на подвешенной подложке (гуглите). в этом случае связь линий боковая, и характеризуется шириной зазора между линиями. по этим структурам есть масса литературы, но даже не надейтесь найти где-либо простые формулы для эффективных диэлектрических проницаемостей четных и нечетных мод. в лучшем случае - номограммы для структур, у которых значения большинства параметров зафиксированы (толщина и диэл. проницаемость подложки, расстояние до экрана снизу, расстояние до экрана сверху). ознакомьтесь с 5-й главой книги по ссылке http://depositfiles.com/files/yidmq877x . если же одна линия пары связанных на одной стороне подложки, а вторая на другой, то это совсем другой тип линий, их связь характеризуется прежде всего толщиной подложки (толщиной зазора), и обычно такие линии делаются с горизонтальным смещением друг относительно друга, потому что толщиной диэлектрика менее удобно управлять для получения нужного соотношения между четным и нечетным импедансами линий. в обоих случаях вы можете найти лишь ограниченный набор номограмм. в обоих случаях без программ трехмерного электродинамического анализа не обойтись.

вам RFF-11 написал, что надо сделать - задать в Project Options диапазон частот для расчета. вы ему ответили, что задали, но все равно не выходит. тогда RFF-11 сделал это (задал частоты расчета проекта) за вас и выложил исправленный проект. а вам непонятно, что же он сделал. давайте еще раз. в окне AWRDE пройдите Menu->Options->Project Options... откроется окно Project Options. на вкладке Frequencies этого окна вы должны установить начальную, конечную частоты и шаг расчета. после этого вы должны выбрать радиокнопку Replace, чтобы заменить то, что было по умолчанию, на то, что вам надо. после этого, перед тем, как нажать кнопку ОК, надо обязательно нажать кнопку Apply. (!!!) даже опытные пользователи иногда забывают это делать.

ренормировка, например, может помочь подобрать размеры проводника и экрана полосковой линии сложного сечения, необходимые для получения требуемого волнового сопротивления. если у вас многоплечее устройство, и вы знаете входные сопротивления подключаемых к портам устройств, вы можете пронормировать порты к соответствующим входным сопротивлениям, и анализировать ваше устройство с реальными нагрузками. вот здесь я на предыдущей странице, в ответ на вопрос romaro об отражении от запредельного волновода, рассказывал, как увидеть это отражение. наиболее простой способ - ренормировка порта к действительному значению сопротивления. прямо сейчас перечислить все возможные полезности, обеспечиваемые перенормировкой портов не могу, но если коротко - это дополнительная свобода для разработчика в моделировании.

вы бы сообщили, сколько у вас оперативной памяти, сколько ядер процессора задействовано, горит ли светодиод HDD непрерывно, или всё-таки иногда мигает. если памяти не очень мало, может слегка помочь использование только одного ядра. вот на рутреккере недавно один пользователь сообщал, что у него 96ГБ оперативки, и он чувствует необходимость удвоить количество, тем более, что 6 слотов еще свободно. :) "оставить пусть дольше считает" нецелесообразно, если всё плохо, вы скорее HDD убьете, чем дождетесь результата.

моделируемая структура у вас достаточно сложная, ресурсоемкая. скорее всего вам не хватает оперативной памяти. при этом HFSS для оперативных расчетов начинает использовать жесткий диск, а это замедляет расчеты порядка на два-три.

если ваш вопрос связан с моим предыдущим сообщением, то вы поняли его неправильно. импеданс порта определяется только сечением порта и совпадать может только с волновым сопротивлением регулярной линии, имеющей то же сечение, что и порт. входное сопротивление структуры в общем случае - это совсем другое.

уважаемые коллеги! давайте не будем с помощью HFSS решать задачи о сферическом коне в вакууме. тогда количество проблем резко уменьшится. какого результата вы ожидаете? что падающая волна от запредельного волновода резко отразится? а я вас спрашиваю, откуда она там, в плоскости порта, возьмется. :-) в жизни не используется запредельный волновод сам по себе. присоедините к нему коаксиально-волноводный переход, или подсоедините его к волноводу большего сечения, или к волноводу того же сечения, но заполненному диэлектриком, и вы увидите, как падающая волна замечательно отразится от запредельного волновода обратно в волновод с распространяющейся волной. если же хотите продолжить решать задачу о структуре, которая может существовать только в воображении, пронормируйте порт к сопротивлению, скажем, 600 ом, и вы снова увидите замечательное отражение. дело в том, что импеданс волнового порта, если он не ренормирован, всегда равен импедансу линии, образующейся из сечения порта продолжением его в направлении нормали. поскольку вы исследуете регулярную линию, сечение которой совпадает с сечением порта, то такая линия всегда будет согласована, на частотах как выше критической, так и ниже ее, безразлично. PS. надеюсь никого не обидел, тут еще и на работе достали со сферическими конями...

здесь ничего подобного выкладывать нельзя. даже для разговоров об этом есть другие места. l1l1l1

посчитал вашу топологию в Microwave Office (Axiem). пульсации изменились, но полоса пропускания осталась совпадающей с результатами HFSS. у вас неправильная толщина диэлектрика 0.323 (у Rogrers ближайшее значение 0,305) , но это практически не влияет. дело не в расчетах, что-то у вас с материалом не то. попробуйте измерить проницаемость диэлектрика подложки (нормальную составляющую).

посмотрим. на память приходят два совершившихся поглощения. Mentor Graphics приобрела Zeland. до этого Zeland обновлялась дважы в месяц. после этого обновлялась всго три раза, и обновления эти касались только степени интеграции программы в HyperLinx. теперь программа устанавливается только в составе HyperLinx. потом Ansys приобрела Ansoft. пока программы AnsysEM можно установить самостоятельно, они обновляются, но эти обновления в плане возможностей программ не революционны. как будет с FEKO - поживём, увидим. обещают-то, что всё будет хорошо, даже лучше. ;)

тема создана для переноса сообщения от Vitaly_K из темы "Синтезаторы частот. От концепции к продукту".

это вы меня уели! :) когда в той же юности я дружил с одной девушкой, у нее была натуральная шубка, а у меня синтетическая куртка. каждый раз после нашего горячего прощания между нами искра проскакивала чуть не полметра длиной. да, даже зимой клиенты носят не только натуральные меха, но и синтетику. а в гардеробных прохладно, и одними х/б и льном не обойдешься. поэтому обычно поверх шерстяного костюма гардеробщику приходится надевать унылый хэбэшный, почему-то всегда серо-синий, халат.

важна не только обувь, но и одежда. обувь должна быть из натуральных материалов (подошва и стелька кожаные), для того, чтобы заряд уходил. а одежда не должна содержать синтетики, чтобы заряд не создавался. одежда и белье - только х/б, натуральная шерсть и лен. он гардеробщик - множество раз проходя по рядам одежды, в зимнее время часто меховой, своей синтетикой трется об мех, набирает жуткое количество зарядов. пусть обувается и одевается соответственно профессии, и не понадобятся никакие технические средства защиты и мероприятия, типа ионизаторов, браслетов и мокрых простыней на полу. во времена моей туманной юности гардеробщики не форсили, знали, как одеваться.

дорогие коллеги! желаю вам в наступившем новом 2014-м году успеха во всех делах, удачи во всех играх, счастья в личной жизни и чтоб на всё это хватило вашего богатырского здоровья! мира нам всем.

новости по FEKO: достигнуто соглашение о приобретении FEKO Altair'ом: PressRelease_Altair_to_acquire_EM_Software_and_Systems___South_Africa_USA_Germany_China.pdf

перенес вашу тему в подраздел, более подходящий по тематике. l1l1l1

ни о каких островках в сообщении об ошибке речи нет. сообщается, что выбранные пины не могут быть отнесены к цепи, поскольку отсутствует возможность их присоединения к этой цепи, то есть они к ней никак не относятся.

заказывали в ростовском РНИИРС. КД разрабатывали сами в соответствии с их РУК. сейчас документации под рукой нет, и давно было, так что всё приблизительно. технология предусматривает три размера заготовок: ~60X60mm, ~90X90mm и ~120Х120mm (это после обжига). все меньшие размеры, хоть 1.5Х1.5 мм получают мультиплицированием. ну или можно полезную площадь заполнить несколькими типами. при обжиге происходит усадка, она немного разнится от центра к краям, поэтому рекомендуются квадратные топологии. наибольшие толщины слоев для разных материалов разные, но обычно где-то 0.2 мм. по количеству слоев ограничений вроде не было, но нас предупреждали, что выход годных лучше при толщине до 2.5 мм. еще раз, это по памяти, по 2009-му году. актуальную информацию можно получить по контактам (гл. технолог, гл. инженер) с их сайта http://www.rniirs.ru

да, скан.