K0nstantin

Я думаю, смотреть в сторону материалов фирмы Rogers. Не знаю, есть ли у вас принципиальная схема, но хотя бы можно глянуть соотношение габариты/максимальную (минимальная ёмкость) И далее определяетесь, есть ли резон заморачиваться. Если да, то далее в симуляторе как написали. Лучше какой-нибудь схемный, чтобы быстрее оптимизировал, не знаю есть ли такой в CST. Длины сторон обкладок, толщина и материал диэлектрика. Про анизотропию верно заметили. Может, вначале сделать тестовый кандёр, обмерять его отдельно. Не совсем понял, там батарея конденсаторов или что за структура. Если нужна малая ёмкость, условные пико- фентофарады скажем, то можете попробовать встречноштырьевой конденсатор.

По размыкателю недавно обсуждалось. Там же и ответную часть найдёте. В кратце из личного опыта: не понравилось.

Чего порвёт? Вот не помню, есть ли возможность вытравить AlGaN с покатыми стенками вдоль направления ширины затвора, но вот на картинке сверху металл затвора идёт как раз с уклоном, хотя стенка структуры нарисована вертикальной. Не отрицательный профиль стенки - уже хорошо. А толщина металлизации намного больше высоты меза-структуры: ~0,4мкм против десятков нм изоляции.

Как показать 3D виды всех аннотаций в проекте? Вот открыл пример. Каждой аннотации ANTENNA_3D соответствует своё окно 1,2,3... Если я их закрою, то открыть не смогу повторно:) Будет открываться только первая. Не понимаю, где можно указать, какой из видов мне нужен для отображения. UPD Ответ ниже. Спасибо большое, jozinco!

khach, Freesom, спасибо. Не знал. Уточню у мастеров.

Про омические контакты уже упоминали. Там качество больше определяется самой гетероструктурой. Если не ошибаюсь, где-то читал, что омические нитрида галлия подлегируют ионной имплантацией для их улучшения. Не технолог, но про какое травление идёт речь? Селективности маски не хватает разве? Одной ионной имплантацией хорошей изоляции на GaN не добиться. До кучи ещё утонялка пластины нужна.

Согласен с oleg_uzh , что сами виноваты, говоря как всё у нас хорошо и всё получается. Что ведёт к обрезке финансирования. В мире по крайней мере в сфере микроэлектроники вряд ли есть что-то абсолютно "своё". Грубо говоря, тот же американский транзистор в российском корпусе, насколько он американский? Разработка американская (сколько там специалистов из стран, упустивших их?), производство Тайвань, химикаты третий, оборудование четвёртый... Где-то кому-то что-то обрежут, или образно станет Суэцкий канал - пойдёт задержка в цепочке. Здесь скорее вопрос в степени "своего", степени независимости от остальных. Да, где от своего только корпус, а иногда и вовсе наклейка - это печаль ( +1 за электронную литографию для СВЧ. Не знаю, если и получают оптикой такие длины затворов, то это наверное на коленках, и будут ли условные штуки?

Почему зря упомянули электронную литографию? Опять же мы не знаем исходных данных, возможно, это общий вопрос. Может, поставили такую задачу (в лоб любят у нас глобальные задачи). Может, вообще шпион, прощупывающий состояние дел. И в на сколько глубокое СВЧ планируется залазить, не известно, там могут понадобиться и более короткие длины затворов <150-200нм. Не уверен, что такую длину можно получить оптикой. Исхожу из того, что подфорум RF and Microwave. Коли упомянули общее оборудование вообще для микроэлектроники, то сюда ещё можно накидать установки изготовления фотошаблонов. Но это тоже можно отдать на аутсорс, как другие процессы, описанные выше. Вопрос в том, насколько независимое производство и разработку планируется создавать. Степень независимости пропорционально денежным вложениям. Люди на литографию/шаблоны: химики. Про установки нанесение диэлектриков тоже не забываем, здесь тоже ничего особенного. Сразу пытаться делать всё, навряд ли рациональное решение. Здесь скорее важно постепенное вытеснение внешнего изготовления. Наверное, на первых парах опробовать возможности других производств, полностью отдав изготовление разработанных VT на внешку. Про измерения не забываем. Здесь где-то можно подключить сборку-корпусирование, а можно оставить на потом. Обычно в ходу уже корпусированные устройства. Потом самим делать хотя бы литографические операции, и нанесения тонких плёнок. Затем травление отверстий. Выращиванием гетероструктур в последнюю очередь я бы занялся. Лет 5, на мой взгляд, запросто, если не переманить всех спецов с других предприятий. А там уже можно и законченные микросхемы делать, докупить только установку напыления резистивных материалов :)

Не знаю как по GaN сейчас. Но верно Вы заметили и это касается многих сфер: часто на бумаге одно, а на деле - другое. Где-то что-то единичное сделать - да. Серию - пот и слёзы с обоих сторон. Возможно, профуканный недостаток финансирования. На презентациях видишь "Мы разработали такие-то микрухи (производство и дизайнкиты, скажем, Франция)". Рука из зала: "А как можно купить и опробовать ваши микросхемы?" Ответ: " К сожалению пока такой возможности нет для нашей родной России". Т.к. санкции все дела, особо не вникал в этот момент, не нужно было. Но ребята, ????... Показали кость, подразнили, зачем? Но дабы защитить и отечественных разработчиков-изготовителей скажу, что зарубежные тоже не без грешка, и не всегда всё гладко у них получается и без лукавства. Речь про серийку.

Чтобы не ходить далеко. А от куда растут ноги применения вот таких вот болтов в соединении волноводных фланцев? Я так понимаю, для центровки полостей волноводов и их точного совмещения друг относительного друга, используя соединение внатяг или около того. Но позвольте, кто отменял следующие погрешности: - диаметры болтов (не резьбовой части); - смещение полости волновода относительно крепежа; - смещение крепёжных отверстий друг относительно друга; - угол поворота полости волновода относительно крепежа; - другие несчастья. Их вытачивают на производстве, а когда дело доходит до сборки, то хоть вешайся. Один болт зайдёт в два фланца, но остальные три (иногда везёт, и два) - ни в какую. Упираются в образущие крепёжных отверстий второго фланца. Волноводы как покупные, так и собственного производства. У братьев по несчастью вообще всё плохо - некоторые болты даже в отверстия одного фланца не пролазят (видимо точность производства). Может важно - частота 8 - 12 ГГц. Возможно, их лучше использовать на частотах повыше? Т.к. на см-диапазоне геометрические размеры волноводов ещё достаточно большие, относительно небольшого рассовмещения.

Производство с нуля-нуля? Или построст? С нуля - установки эпитаксиального выращивания. MBE, если не ошибаюсь. Построст - установки хлорной плазмы. Нужна для травления нитридов и карбида кремния. На последнем обычно выращивают нитриды. Возможно установки резки для разделения пластины на кристаллы. А так остальное оборудование подойдёт от GaAs. Может вжигалка омических контактов, хотя качество самих контактов обычно с большой долей зависит от выращенной структуры. Ну ещё установка электронной литографии, если планируете залазить в ГГц'ы. Конечно, измериловка. Позволяющая измерять большие мощности/токи. Про вольт-фарадные характеристики тоже не забываем (тут ничего сверхъестественного). Снова, если лезете в Гиги, то векторный анализатор цепей (возможно, для только транзисторов хватит двухпортового). По людям то же самое: от ростовиков и до конца), смотря с какого этапа начинать. А так естественно пробовать, экспериментировать (ведь предполагается что непосредсвенных специалистов по GaN не нашли, подойдут и технологи-микроэлектроники по арсениду). Конструктора-разработчики-топологи, тоже ничего отличного нет, только что истоковые отверстия чаще травят непосредсвенно под самим истоком + оптимизация топологии для предотвращения перегрева. Ну и финансировать всё это дело, куда ж без него... Светлана-Рост раньше делала гетероструктуры GaN, возможно и транзисторы. В НАН РБ вроде пытаются выращивать. Наверное, здесь вам ещё скажут, что запад ушёл далеко вперёд...

А можно ли в HFSS (Ansys) как-то активно связывать 3D модели с другими типами файлов, например из Creo? Имеется ввиду без импорта STEP'ок и т.п. и повторного назначения свойств материалов. Будет меняться только геометрия. Говорят, что в COMSOL есть такая фича, а в Ansys?

Фаски/скругления в последних версия по умолчанию вынесены иконками на верхнюю панель. А так находятся в меню по адресу Modeler/Fillet Chamfer. Но предварительно нужно выделить ребра, к которой будет применяться команда. Тогда иконки станут активными.

Да не, на диод. Но сути наверное не меняет. Вопрос общий. С волноводными конструкциями почти не работал. Думал как-бы посчитать быстрее, а не тыкаться в HFSS, например, т.к. пока для себя скорее, на будущее. Взял в схематике MWO модели коаксиальные кабеля с Er=1 и накидал приблизительно

За совет спасибо. Действительно, как-то не подумал, что технический прогресс помог избавиться от такого решения.

Всё, нашёл что нужно. Да простит меня автор книги, не помню откуда взял.

Спасибо. Так, по ФНЧ нашёлся, немного потупил :D

Добрый день. Где найти более детальную информацию по расчётам СВЧ волноводных дросселей? Интересуют: 1 На стыках СВЧ волноводных фланцев, для обеспечения минимальных потерь в месте стыковки. В книгах только общие длины плана лямбда/2, лямбда/4. 2 Для подачи питания, соответственно максимальное затухание по СВЧ. ФНЧ, RF choke. Тут вообще ничего не нарыл. Либо ничего не указано, либо числовные значения размеров. А как считать. Не хочется методом тыка. Тем более, глубины канавок (зазоров) не указаны, важны ли они.

Благодарю ещё раз.

А если такой же белый "4-хлопастной вертолётик", но с маркировкой ".360"? Двухполярное питание, скорее всего малошумящий усилитель, может просто усилитель.

Подсогласовать. Но прежде, как писалось выше, принять как данность, что в природе ничего идеального не бывает. Всё с какими-то допущениями. Или же по другому, смотря в каком масштабе смотреть. Например, полоса частот 10ГГц и неравномерность 5 дБ, или полоса 3ГГц - неравномерность 1 дБ, или полоса 0,5ГГц и неравномерность 0,1 дБ... Подсогласовывая топологию аттенюатора можете добиться чтобы S21 (f) был волнистым в заданном допуске, но ровненько вы не получите.

Спасибо большое за ответ!

Помогите опознать компоненты. Частота около 9 ГГц. 1. В чёрном корпусе, маркировка "T4F". Встречается в нескольких местах, с различными полосковыми линиями. 2. В белом корпусе, маркировка ".S1" Кажется, что параллельно включённый диод.

Подскажите, пожалуйста, по настройкам. Сейчас AWR 14. Запускаю расчёты в AXIEM в двух проектах сразу. Идёт расчёт только в одном, прогресс второго расчёта видимо ждёт окончания первого. В 13-версии считало два параллельно, да, процессор иногда подзабивался на 100%, но считало. Сейчас что может быть? Может где-то какие-то глобальные настройки можно указать? Или это изменения 14 версии?

Не, нету. Просто согласуете топологией в нужном месте. Нужное место я выбрал чуть поодаль от разъёма преследуя свои соображения, т.к. нужен был универсальный переход. В PDF-ке выше, как заметили, там прямо под пином разъёма сужается полосок.