K0nstantin

Добрый день. Где найти более детальную информацию по расчётам СВЧ волноводных дросселей? Интересуют: 1 На стыках СВЧ волноводных фланцев, для обеспечения минимальных потерь в месте стыковки. В книгах только общие длины плана лямбда/2, лямбда/4. 2 Для подачи питания, соответственно максимальное затухание по СВЧ. ФНЧ, RF choke. Тут вообще ничего не нарыл. Либо ничего не указано, либо числовные значения размеров. А как считать. Не хочется методом тыка. Тем более, глубины канавок (зазоров) не указаны, важны ли они.

Благодарю ещё раз.

А если такой же белый "4-хлопастной вертолётик", но с маркировкой ".360"? Двухполярное питание, скорее всего малошумящий усилитель, может просто усилитель.

Подсогласовать. Но прежде, как писалось выше, принять как данность, что в природе ничего идеального не бывает. Всё с какими-то допущениями. Или же по другому, смотря в каком масштабе смотреть. Например, полоса частот 10ГГц и неравномерность 5 дБ, или полоса 3ГГц - неравномерность 1 дБ, или полоса 0,5ГГц и неравномерность 0,1 дБ... Подсогласовывая топологию аттенюатора можете добиться чтобы S21 (f) был волнистым в заданном допуске, но ровненько вы не получите.

Спасибо большое за ответ!

Помогите опознать компоненты. Частота около 9 ГГц. 1. В чёрном корпусе, маркировка "T4F". Встречается в нескольких местах, с различными полосковыми линиями. 2. В белом корпусе, маркировка ".S1" Кажется, что параллельно включённый диод.

Подскажите, пожалуйста, по настройкам. Сейчас AWR 14. Запускаю расчёты в AXIEM в двух проектах сразу. Идёт расчёт только в одном, прогресс второго расчёта видимо ждёт окончания первого. В 13-версии считало два параллельно, да, процессор иногда подзабивался на 100%, но считало. Сейчас что может быть? Может где-то какие-то глобальные настройки можно указать? Или это изменения 14 версии?

Не, нету. Просто согласуете топологией в нужном месте. Нужное место я выбрал чуть поодаль от разъёма преследуя свои соображения, т.к. нужен был универсальный переход. В PDF-ке выше, как заметили, там прямо под пином разъёма сужается полосок.

Ну ведь от концов Деэмбединга, по сути у вас и будет расчёт. Если нужны именно какие-то краевые эффекты, стенки корпуса, то это дорисовывается, например, в виде перемычек.

Это вы про AXIEM? В ЕМSight давно не считаю. Берите AXIEM, к каждому порту подводите микрополосковую линию длиной не менее 2х толщин подложки с De-Embeding. Длиннее - ничего влиять не будет. Да и в том же EMSight использовал Деэмбединг. Если вам нужно замоделировать контакты аттенюатора на краях платы, то тут может быть немного другая картина. Но AXIEM считает в разы быстрее, если комп позволяет.

Да, скачок безусловно будет. Как правильно сказали выше, вы можете им пренебречь, если он будет учитываться при калибровке. Да, я подсогласовываю топологией на мой диапазон, например вот так: Вы поймите: 50Ом-ные линии в расчётах как выше, например, не заканчиваются в воздухе. Сама по себе да, она 50 Ом. Но она всегда куда-то идёт, с чем-то конектится. Тут и возникает рассогласование. Посмотрите файл, который прикрепил, будет полезно. Там про оптимизацию перехода найдёте пункты. Влияние отверстий в компланаре Optimizing Test Boards for 50 GHz End Launch Connectors.pdf И да, подумайте: никто над вами не стоит с автоматом, если получилось допустим те же 54 Ом, то зачем вам их трансформировать в 50 Ом, а потом дальше ещё в какое-то? Если можно сразу в какое-то конечное желаемое. Вам важно добиться чтобы от точки входа, до точки выхода (вы их сами устанавливаете, начало SMA коннектора, затвор транзистора, сток...) передалась энергия с минимальными потерями (как правило) и на этих концах устройства согласовались. А что там внутри... Хоть 10 хоть 1000 Ом.

Ну микрострип микростипом, но часто после разъёма делается "компланар" (рука даже не подымается так писать, но это пожалуй это так ), просто GND отодвигаю подальше, прошиваю отверстиями на обратную сторону платы, а чуть дальше этот земляной полигон обрывается. Всё же лучше связь.

Расстояние полоска до края платы тоже может плавать. В каких-то рабочих платах тоже рисую полосок до краёв, а там как получится. Для тестовых платок, типа вашего транзистора и пр., платы как правильно небольшие, беру ножницы по металлу и подрезаю край платы впритык +/- До частот 10ГГц меня вполне устраивало по точности. По поводу разъёма: да, что-то вы уж совсем рубите с плеча, почти что целый корпус придётся ещё ваять.

Кто-нибудь пользовался СВЧ свичами такого плана? Сделал пробную плату с серией MS-180. Всё нормально по проходным потерям, близко стыкуются с расчётами. Потыкался зондом к свичу (порт 3), и заметил, что у всех устройств S21 на проход восстанавливается не сразу. Где-то за 3 сек, где-то 5, где-то 30. У некоторых не восстановилось, застряла где-то посередине, несколько раз потыкал туда-сюда зондом-пробником чтобы разработать систему: кого-то отпустило, кому-то не помогло. При увеличении видно, что не очень чисто внутри центрального контакта свича, после запайки спиртом протёрли от флюса, но всё равно видимо где-то остался. Что там за система внутри? Подпружиненные пластинки или что? Может грязь даёт такой эффект. Можно ли мыть в ультразвуковой ванне плату с таким девайсом? Вроде бы всякие механические элементы нельзя мыть в УЗ. На картинке справа запаянный, слева - нет. Качество фото не очень, к сожалению. Интересен опыт использования подобного. MS-180 series Switches.pdf

Тогда ничем помочь не могу. Попробуйте: - уменьшить количество частотных точек. - разбить топологию аттенюатора на части, посчитать отдельно и соединить их в схематике. Отдельно малый резистор, отдельно подводящие линии и отдельно резистор на землю. Последние потом просто продублировать в схематике, т.к. они у вас одинаковые. - у вас Солвер EMSight по виду. В процессе расчёта он полностью грузит ваш процессор? Если слабый процессор, то загрузит полностью вроде, уже давно им не пользовался. Попробуйте ПКМ по ЕМСтруктуре и выберите солвер AXIEM. Он считает быстрее и сетку разбивает не по квадратам, и там где можно, он размеры сетки увеличивает. Бонус: лучше учитывает толщину металла (ПКМ по металлу, снять галку с "чего-то там Zero Thickness") Там ещё в Substrate definitions много всяких настроек по размерам сетки (Mesh) и точности расчётов, много всего (в EMSight возможно тоже, не помню). Только выключите "Enable AFS". Если времени много, можете поковыряться. Но основной опорой будет размер указанный в DX в сетке структуры.

Ну вот, сами видите. Поставьте ту сетку, при которой изменения для вас станут несущественны.

Не знаю. Точность то падает, как я писал выше. Но что же он тогда считает? - Проверьте сами: нарисуйте просто сам мелкий разистор и два порта к нему. Моделируйте. Увеличивайте сетку до тех пор, пока не увидите существенной разницы. Можете потом рассказать результаты, интересно. Мне и так кажется маловатым этот резистор для реального производства, т.к. допуск воспроизведения рисунка может гулять. И если большие резисторы увеличатся скажем на 0,1 мкм и это будет составлять скажем 2%, то эти же 0,1 мкм на малом дадут разброс допустим 20-30% от номинала. Да и рассеиваемая мощность у маленького меньше. Для обучения может и сойдёт, но обычно там тоже считают такие параметры.

Ну сейчас у вас паразитная ёмкость между близкорасположенными резисторами. Не знаю, большая ли, критичная ли, но лучше таких моментов избегать. На рисунке эта ёмкость при повороте станет меньше, но увеличиться ёмкость между резистор-входнойполосок. Пробуйте, не обязательно под 45градусов. Можно раздвинуть резисторы, но тогда увеличиться неравномерность S21, но можно подобрать длину-ширину полосков на интересующий диапазон частот.

Человек же написал, что только учится )))) А Вы его сразу закидываете понятиями) Всё постепенно. Shutest, как вам сказали (и в прошлой теме тоже), чтобы увеличить зазор, но сохранив при этом длину центрального последовательного резистора, поверните плечи под углом 45град друг от друга. Вы там отказались, ссылаясь на то, что вам нужна именно Н-буква. Если это пожелание преподавателя, извините, если ошибаюсь, то они иногда бывают идеалистами. По сути у вас сохраняется Н-вид, просто будет Х-конфигурация, но схемотехнически это то же самое. Можно сказать, что если Т-тип аттенюатора поставить верх ногами, то это уже не будет Т-типом )))) Ещё слышал случай, что преподаватель учил студентов, что если КСВН>1.0000000000...., то устройство работаь не будет! :D

X и Y грубо говоря степень точности расчётов. Чем больше, тем грубее расчёт. Ещё в доп. настройках Солвера ("решателя", EMSight у Вас похоже, не сильно важно пока) тоже есть параметры, отвечающие за размеры разбиений элементов и прочие точности решений. Вы наверное имеет ввиду не ширину 0,23мм, а длину? Ну попробуйте в Схематике добавить микрополосковые линии: в схеме сейчас у вас просто резисторы. В реальной жизни между резисторами есть хороший проводник, у вас в топологии это микрополосковые линии, медь, судя по всему. В СВЧ диапазоне это уже нужно учитывать, это не постоянный ток. В Схематике добавьте элементы MCLIN, например. Поиграйтесь длинами MCLIN, которые между вертикальными резисторами. При достаточно длинных полосках, уже зазор между резисторными плечами можно не учитывать. Ну и про TFR не забудьте добавить (достаточно по 1шт. нужной длины в каждое из плеч, а то на схеме у вас куча последовательных). И Смотрите: у Вас от портов 1 и 2 идут стрелки де-эмбидинга. Идут не до САМЫХ резисторов, т.е. кроме резисторов в модель включена ещё и некоторая длина полосков (опять же индуктивность). Вот она же тоже может вносить неравномерность амплитуды затухания в интересующем вас диапазоне. В реальной жизни заранее оговаривают некоторую неравномерность интересующего параметрами в интересующем диапазоне. Абсолютно ровного не получится.

А я смотрю, Вам в этой теме уже ответили: Возможно, будет ёмкость между резисторами - малый зазор между вертикальными резисторами вызывает вопросы, а нужен ли он настолько малый. Но главное - там на схеме у вас ИДЕЛЬАНЫЕ резисторы. Т.е. просто резистор, у которого один параметр - сопротивление. Всё. На зависимость поведения аттенюатора от частоты он не влияет. А в реальной ЕМ-топологии у вас резисторы имеют некую ширину и длину. И чем длиннее тело резистора, тем больше индуктивность. Подставьте в схему плёночные резисторы TFR или как-то так, не помню. Там тоже есть параметры длина, ширина, Ом/кв. Уже не получите горизонтальную линию. Далее играетесь этими параметрами для получения желаемого результата. Вот зазор в Схематике особо не смоделируете. В шапках подфорумов вынесены такие большие разделы по СВЧ-программам, а пользователи что-то в последнее время начали создавать маленькие темы...

Это проволочки. Их иногда (часто) в СВЧ кидают несколько штук параллельно, для уменьшения индуктивности. Перемычки с одной платы на другую.

Как сказали выше, нужно оптимизировать сам переход разъём-микрополосок под свою частоту, под свою конкретную плату. Потому что могут и на частотах ниже проявляться нежелательные эффекты. В этой теме обсуждают.

В этой теме нет, а в другой - да. И вроде ТС сам догадался, либо не из форума подсказали. Лень перечитывать, да и не уследишь за каждым, в каждой теме, и тем, что было вчера.

Если есть мех.производство, то можно на разъём ниже сделать переходную часть на Вашу плату желаемой конфигурации. Он и дешевле, около 15$. А, ну как Росенберг с предыдущей страницы, я немного о другом подумал) Хотите - те же отверстия сделаете, и не нужно паять.