K0nstantin

Что-то не получается у меня работа с этим расширением... Наверное, что-то делаю не так. Упростил по максимому, а график ВАХ не выводит. Экспортирую созданный файл (прикрепил)- что-то мне не нравится его вид =\ PS только у меня токи в миллиамперах на самом деле, но это не важно, думаю. Data_File_1.txt

evgdmi, спасибо ещё раз :) Ещё проблемка, появляющаяся периодически и без каких-либо видимых закономерностей. При открытии ранее сохранённого файла, все схемы в схематике с проекта пропадают. Приходиться периодически их экспортировать (чтобы не набирать по-новой) и импортировать (в случае появления данной проблемы).

Как должен выглядеть (или где это можно узнать) файл с расширением *.ivd ? На закладке Project есть раздел Data files. Туда можно добавить файл DC-IV files (*.ivd) Заранее благодарю за ответ.

Присоединяюсь к вопросу предыдущего комментатора. Чуть больше, чем за месяц проблематично разработать и корпусировать хорошо работающий свитч. Разве что есть уже готовый и остаётся только вогнать в корпус.

Мне тоже было всегда интересно как измеряют ёмкость диода Шоттки в прямом направлении...

Да нет. У меня они в описанных слоях. Так что всё считается. Просто визуализация этих слоёв отключается. а слои еррор, кстати, всегда видны. Забыл добавить, что такое ещё происходит когда я элемент из одного слоя перевожу в другой слой. Так что проблема всё ещё актуальна(

Внезапно возникла проблема и не могу понять из-за чего. Может кто сталкивался? При переходе с 2D на 3D вид (и обратно), либо при открытии любой из нескольких ЕМструктур в проекте почти все слои становятся невидимыми. Иногда такое происходит и при открытии файла. Делаю их видимыми, провожу одну из вышеуказанных манипуляций - слои опять становятся невидимыми. Заранее благодарю за ответ. ПС Присоединяюсь к предыдущему оратору, т.к. самого интересует применение внутренних и VIA портов.

10.01 Спасибо уже сам разобрался. Дело в том, что я там и пытался её менять. Но видимо это ещё один глюк - программа не хотела переделывать отображение топологии под новые свойства. Пришлось с нуля создавать ЕМструктуру с необходимыми графическими свойствами. И если я захочу их опять поменять, то придётся опять создавать новую ЕМстр. У тебя не так?

Спасибо. В данный момент актуально другое ))) Как поменять штриховку и цвет слоёв в MWO? Вот на картинке две МПЛ. Сделаны на одном слое (вкладка Dielectic Layers) из одного и того же материала (на вкладке Material Defs.). Они аналогичны, просто названия у них на вкладке Materials разные в свойствах ЕМструктуры. Все линии, которые я черчу новыми материалами (т.е. созданными мной), получаются с наклонной штриховкой. А вот МПЛ на слое со старым названием (из файла-исходника) - в клеточку, хотя ни в каких свойствах я не вижу где установлена эта клетка. Только если в проекте перейти на вкладку Layout, то только ТАМ старый слой показан нарисованным в клетку.

Раздели расчётные значения на 1000. Вроде должно помочь. Судя по всему возникла путаница с Вт и мВт.

Здравствуйте, уважаемые умы. Объясните, пожалуйста, как правильней всего объединить проволокой точки 1 и 2 на рисунке ниже (расстояние 200 мкм, толщина подложки 500 мкм). Internal port читал-читал, но так и не понял, в каких случаях его применять. Бабахнуть его в точку 1. Сравнил с результатами, полученными в случае деления схемы на 3 EM-структуры: одна - от точки 2 и ниже, остальные - до и после точки 1. Естественно, и близко не сошлось :) В каких обстоятельствах его вообще можно применить? Раньше приходилось вставлять какие-либо элементы только в разрыв между микрополосковыми линиями. Результаты расчёта довольно близко сходились с измеренными. Хочется промоделировать схему максимально большой EM-структурой... Заранее благодарен за ответ!

Мне наоборот нужно отключить привязку) Пример на рисунке. Слева расположен вывод от остальной части схемы, а справа - вывод катушки (оба одинаковой ширины). Но как их состыковать я не знаю.

Добрый день. Как отключить привязку к сетке в MWO? Либо, как связывать элементы в редакторе EMsight между собой по граням/пересечениям граней? Раньше это было не нужно. Сегодня в Схематике начертил спиральную катушку, копировал и вставил в EMS её топологию. Раньше непосредственно в ЕМS я её вручную и рисовал, (не круглую, а квадратную). Теперь у меня не совпадают с координатной сеткой микрополосковые выводы идущие от полученной катушки. Как быть? :rolleyes:

Спасибо за ответы. Просто посчитал излишним создавать новую тему для этого вопроса. Вообще, в книгах фигурируют два значения эпсилон для GaAs. 12,9 (12,85) и 10,8 (10,85). К сожалению, в данный момент доступа к книге нет, но по памяти: первая обзывалась Е при нормальных условиях (или НЧ), а вторая - Е оптическая (ВЧ). Так вот, не ясно с какой частоты применять "оптическую" Е.

Да, толщину проводников с импедансом скидывает в тонкий слой. Но непонятно, что представляет из себя перемычкам VIA сделанная из такого материала. Я не представляю как так ... :05: Опять EMsight VS AXIEM... "Лучше такой анализ делать в AXIEM, где толщину учесть просто. Можно примерно посчитать и в EMSight, если толщину проводника создать искуственно добавлением ещё одного слоя. Так что Eurry совершенно прав, всё зависит от задачи." Разве EMsight не учитывает толщину проводников? Я думал и там и там 2,5D. С недавних пор перешёл с EMs на AXIEM, хотя так и не понял в чём их отличительные особенности. Просто последний использует ресурсы компьютера по максимому и дела идут соответственно быстрее :) А результаты практически не отличимы.

Добрый день. В свойствах подложки ЕМ-структуры в EMS есть два поля: Conductor и Impedance Definitions. Проводники с малым удельным сопротивлением чертил в Conductot D., а с большим - в Impedance D. А тут чего-то задался вопросом, будет ли разница, если я вместо удельной проводимости буду использовать сопротивление. Помоделировал простенькие полоски - существенной разницы не выявил. Хотелось бы услышать мнения, есть ли какие-либо предпочтения или нюансы в выборе первого или второго типа свойств материала проводников?

Подскажите (книгу/формулу), пожалуйста, которая описывала бы зависимость диэлектрической проницаемости от частоты. Конкретно интересует применительно к арсениду галлия.

Подскажите, пожалуйста, при выводе на график Pharm отображаются только 6 гармоник, включая постоянную составляющую. Можно ли увеличить их количество? Заранее спасибо.

Ага, спасибо. В АХIEM всё моделируется, результаты схожи с "кусочной"-EMSight. Кроме того, процессор на всём протяжении моделирования был загружен на 70%, ОЗУ подскочила незначительно, а время моделирования уменьшилось в раза 3. Вопрос, зачем тогда нужен EMSigtht? А т.н. "коробочку" (корпус) можно ведь и самому сделать с помощью VIA по бокам структуры.

А в чём разница между EMsight и AXIEM? А остальные, кажется, два "редактора"? И что за "близостью портов"? Вообще странно, что EMsight требует память. При моделировании на максимально заполненом метллизацией кристалле, памяти забирает далеко не 4 Гб (и даже не 3, порой и того меньше). Да моделировал усилитель мощности. Хотел связать выходную цепь со стоков всех транзисторов последнего каскада на выход усилителя. А так получается максимум два транзистора объединить - приходиться дорисовывать ещё один порт связывающий другую пару транзисторов.

Да, всё верно, топологию. Я не правильно выразился. Выложить возможности нету. Сам черчу, не экстрагирую. Разбивать приходиться из-за транзисторов в схеме. Но очень хочется чтобы схема в редакторе получилась максимально правдоподобной, а для этого необходимо по идее вычерчивать все элементы со взаиморасположением. Я так один раз разделил по двум малым блокам три параллельно идущие линии. В конце-концов оказалось, что средняя линии наводит какие-то волны от первой дорожки к третьей. В другой EM-структуре, кстати, присутствует всё то же "Physical Memory: Availible - 4Gb, Required - N/A", только виртуальной памяти 1,83Гб доступно, а требуется 4+Гб. Хотя на компе расшарено 10+ Гб. Что тогда за 1,83Гб?.. Хмм...

Пользуюсь AWR Design Enviroment (10.01r build 5956 Rev1 / AWR Design Enviroment Internal (MWO-449, VSS-350)). Обсчитываю схему в редакторе EMSight. Проблема в том, что не могу моделировать большие блоки схемы - схему приходиться разбивать на множество отдельных мелких блоков. Я так понимаю, проблема из-за малой оперативной памяти (в поле "Information" в строке Physical Memory: Availible - 4Gb, Required - N/A)? Комп: ОС Win7 64bit 16Гб ОЗУ. Сама программа AWR DE устанавливается в папку "Program files (x86)", то бишь она 32-ух битная? Есть ли способы выйти из сложившейся проблемы? Может, где-нибудь есть 64-х битная программа либо какие-то способы уменьшить запрашиваемое кол-во памяти. Буду очень признателен за любую помощь.