artemkad

Там приводится пороговое значение, а это начало участка с отрицательным сопротивлением. Т.е. данных описывающих ВАХ по ключевым точкам достаточно. Ну а далее вспоминаем условие генерации - приведенные к кристаллу потери (оммические плюс на излучение) плюс его отрицательное сопротивление должно быть равно нулю. И если посмотреть на ВАХ диода Ганна, его отрицательное сопротивление(угол наклона кривой) с ростом напряжения падает. Отсюда и сложности с генерацией при больших напряжениях. И да, поршень не столько настраивает резонанс, сколько настраивает условия генерации приводя(трансформируя) потери на излучения к величине отрицательно сопротивления кристалла...

Может потому, что у него Uпор=4.5В ? Он может работать на участке отрицательного сопротивления или иначе говоря от Uпор до Uр согласно ВАХ.

Думаю это Sn42Bi58, Sn64Bi35Ag1 переживет. Можно даже в виде пасты найти...

Не вижу в списке "отечественного резистора" о которых речь. Захожу на efind, быстрый поиск по Р1-12 дает 11 копеек от 4 тысяч. Что не так ищу?

Главный лайфхак, помимо рекомендованных конденсаторов обвески - шунтирующий конденсатор емкостью примерно 100пФ непосредственно на ногах микрофона. Его цель - не дать попасть внутрь микрофона ВЧ сигналу который в противном случае внутри тупо отдетектируется на полупроводнике что у станет наводкой. И да, не вздумайте цеплять массу микрофона на общий полигон - там рядом с микрофонным входом есть нога GND, вот на нее и цепляйтесь(можете даже ни с чем больше не подключать)

...но при этом в мостовой схеме ими проще управлять. Потому иногда и используют. ЗЫ. А вообще, лучше такие вопросы в раздел к начинающим. Там скорее разжуют...

В телефонах обычно есть (как минимум в кнопочных) настройка номера SMS-сервера(че-то типа "message centre number").

Ты получаешь Инет в роуминге и только в том случае если в окружении найдется оператор подписавший с оператором задрипанной страны договор на предоставление инета. Зачастую инет на птичьих правах по конским ценам....

У них с ростом входного напряжения падает КПД вплоть до 50% при 5В на входе. А это как раз ситуация когда на входе линейника 10В(накаченное умножителем), а на выходе 5В. Так что как они там накачивают - тот еще вопрос. Ну и то, что на выходе пила это еще один жирный минус. По сути это оставляет единственное преимущество перед sepic - только габариты обусловленные наличием у sepic двух катушек..

Судя по графику зависимости КПД от входного напряжения они там сперва конденсатором накачивают вдвое, а потом линейно спускают до 5В. Как по мне, это одно из худших решений и имеет право на жизнь только когда жестко стоят требования по габаритам. В остальных вариантах sepic на mt3608 или подобной - лучше.

Судя по даташиту, Mp2617 это преобразователь вниз в 4.08...4.4В от которого через зарядку заряжается АКБ. При отсутствии внешнего питания АКБ подключена к выходу через полевик. Т.е. да в этой схеме АКБ подключен прямо без стабилизатора...

Если вопрос в прекращении обратного тока из устройства в ПК, то обычного полевика будет мало.

из 5В USB вполне можно сделать 5В. К примеру так: https://oshwlab.com/wagiminator/mt3608-sepic

Главная предпосылка - появившийся ток базы насыщенного транзистора.

Так мы о ней и говорим - будет ли при нулевом токе через шунт напряжение Uб1 выше Uб2 или ... после сработки оно в том состоянии залипнет навечно. Если будет ниже - загенерит.

Ага... При соотношении Ic/Ib=10 или иначе говоря при токе базы в 1мА. Умножив 1мА на сопротивление 510 получаем Uб=0.5В При этом на эмиттере - уже 1В что противоречит контуру. Ну или иначе говоря - такого насыщения в этой схеме не достичь никогда

Это всего лишь обход контура напряжений Uбэ3 Uкэ2 Uбэ2 Uб2 при ограничениях накладываемых открытым и насыщенным транзистором. Там оба транзистора открыты, а значит напряжение на базовых переходах каждого примерно 0.5В, потому они и сокращаются. С другой стороны второй транзистор уходя в насыщение не сможет на КЭ обеспечить меньше 0.2В отсюда и нижнее ограничение, а верхнее ограничение это 12В-Uбэ3=12В-0.5В. При попытке выйти за эти два ограничения или закроется нижний транзистор(ограничение 11.5В) или ток базы второго транзистора поднимет напряжение на делителе(ограничение 0.2В). Посмотри схему входного каскада LM358 из даташита - там как раз первый транзистор так подключен для работы от 0В. В точке подключения базы. Потому что в точке подключения эмиттера напряжение равно Uэ=Uбэ3+Uкэ2. А в точке подключения базы Uб= Uэ-Uбэ2 или Uб=(Uбэ3+Uкэ2)-Uбэ2 И т.к. напряжения открытых баз примерно равны и равны 0.5В их разница стремится к нулю. В результате остается Uб=Uкэ2

\({U_{б1} =U_{бэ3}./2=0.5В/2=0.25В} \\ U_{б2} =U_{бэ3}+U_{кэ2}-U_{бэ2}\approx U_{кэ2}=(0.2В ... 11.5В) \\ где \\ \quad б1-база\quadлевого\quadтранзитора \\ \quad б2-база\quadправого\quadтранзитора \) При этом 0.2В(напряжение насыщения кэ2) на базе правого при отсутствие резисторов к 12В и открытым входам. А так как они есть - скорее всего там напряжение будет больше чем 0.25В на б1 Твоя схема - ты и должен понимать.

На базе левого 0.5В базы выходного деленное на 2, а на базе правого БОЛЬШЕ чем 0.5В базы выходного + 0.2В(или больше) насыщенного коллекторного перехода правого транзистора минус 0.5В базы правого транзистора. Т.е. на базе правого БОЛЬШЕ чем 0.2В (если будет меньше выходной транзистор не откроется ни при каких условиях). С учетом наличия тянущего вверх резистора в цепи базы правого транзистора справочник стэли мне говорит, что там это "больше" будет больше чем 0.25В левого.

Потому как сразу после срабатывания 50 мВ на шунте и отпирания выходного транзистора, ULN-ка закроется и на шунте станет 0мВ, что однозначно через время разряда RC-цепочки откроет левую часть на которой напряжение станет меньше чем на опоре и транзистор закроется, что приведет к отпиранию накоротко закороченной ULN-ки до повторного срабатывания триггера через время заряда RC-цепочки. И так с частотой примерно 1 кГц...

Да не, к этой емкости особых претензий нет. Проблема в том, что при сработке после отключения перегрузки ток через шунт упадет до нуля и триггер Шмитта почти тут-же(через время сопоставимое с временем срабатывания) разрешить работу, что в свою очередь снова приведет к перегрузке еще не остывшей силовой цепи. Так что там надо организовать некий таймер который не даст цепи открыться некоторое время после отключения. Причем время на остывание желательно иметь гораздо больше чем время срабатывания. Потому я и написал про электролит на выходном транзисторе. Решение конечно имеет свои "особенности", но основную функцию он выполнит.

Что-то мне вангуется, что эта схема при сработке будет генерить примерно на 1кГц... Там какого-нибудь электролит параллельно выходному транзистору не хватает...

У них обычно точка фазового перехода в 80 градусов, у высокотемпературных - 120 градусов. При сработке они нагреты до примерно этих температур независимо от температуры окружающей среды. Чем хуже теплоотвод от элемента, тем быстрее нагреется и быстрее сработает. Чем выше температура окружающей среды, тем меньше ток срабатывания...

Классика... Не, защита срабатывает когда напряжение только начинает лететь в сторону питания на этапе превышения порога перехода в линейный режим(обычно от 1 до 2В в зависимости от типа ключа)

При том, что насыщенный транзистор предполагает, что оба перехода открыты, что ограничивает диапазон выходных напряжений транзисторного ключа за пределами которого как минимум один переход закрывается и транзистор переходит в линейный режим.