artemkad

Нету больших объемов. Пока в 90-х занимались самокопанием рынки сбыта, включая свой, были захвачены западными компаниями. В результате они имеют массовое производство, а конкурировать приходится серийным или даже мелкосерийным. А потому по некоторым позициям шансов на возврат рынка почти нет. Как?

Покупай миллион резисторов и жди когда до их изготовления дойдет очередь. Если-же не хочешь ждать или не надо столько - придется обращаться к перепродавцам задача которых и состоит в том, что-бы согласовать хотелки производителей и потребителей.

Я не только про уменьшение. Просто такая постановка задачи выглядит стремно - где 300 градусов там и 400 и 500. Опять-же, тут еще и вопрос термических деформаций катушки. Потому жесткая катушка из одного-двух витков даже не изолированной жилой выглядит перспективнее чем то что на картинке. Что-то типа катушек для аппаратов индукционного нагрева/плвления.

И что мешает поставить между катушкой и железякой термоизолирующий экран, или катушку сделать из медной трубки через которую пропустить воду? Опять-же, есть ли жесткие требования к катушке или можно поднять частоту тем самым снизив требуемую индуктивность вплоть до одного витка?

Это лишь особенность требующая не использовать его в воде и агрессивных средах. Окисление же меди без прямого контакта с веществами способствующими окислению весьма мало. По крайней мере медь в ПВХ изоляции окисляется быстрее. Лично у меня рабочие наушники в которых я в далеком 2005 заменил дважды сломавшиеся повода на МГТФ в паракорде - до сих пор работают без нареканий. Что-то не так делал? Сомневаюсь, что столь активный элемент как фтор способен стать продуктом разложения в чистом виде. Он непременно прореагирует задолго до попадания в дыхательные пути. Поведай сперва зачем катушка при 300 градусах? Может вообще не в ту степь рулишь...

Почему?

А на кой вам катушка с работой до 300 градусов?

https://studfile.net/preview/16876116/page:28/ Или вот тут это-же пособие для студентов с параметрами в приложении https://vdoc.pub/download/-2p2udi6sjqcg Если приведенные потери превысят 2.5 Ома(отрицательное сопротивление при текущей точке на ВАХ) - не загенерит. Впрочем, даже вне волновода окружающие поверхности так или иначе могут считаться реактивностями, а потому может генерить и за его пределами. На какой частоте - а как Бог на душу положит....

Там приводится пороговое значение, а это начало участка с отрицательным сопротивлением. Т.е. данных описывающих ВАХ по ключевым точкам достаточно. Ну а далее вспоминаем условие генерации - приведенные к кристаллу потери (оммические плюс на излучение) плюс его отрицательное сопротивление должно быть равно нулю. И если посмотреть на ВАХ диода Ганна, его отрицательное сопротивление(угол наклона кривой) с ростом напряжения падает. Отсюда и сложности с генерацией при больших напряжениях. И да, поршень не столько настраивает резонанс, сколько настраивает условия генерации приводя(трансформируя) потери на излучения к величине отрицательно сопротивления кристалла...

Может потому, что у него Uпор=4.5В ? Он может работать на участке отрицательного сопротивления или иначе говоря от Uпор до Uр согласно ВАХ.

Думаю это Sn42Bi58, Sn64Bi35Ag1 переживет. Можно даже в виде пасты найти...

Не вижу в списке "отечественного резистора" о которых речь. Захожу на efind, быстрый поиск по Р1-12 дает 11 копеек от 4 тысяч. Что не так ищу?

Главный лайфхак, помимо рекомендованных конденсаторов обвески - шунтирующий конденсатор емкостью примерно 100пФ непосредственно на ногах микрофона. Его цель - не дать попасть внутрь микрофона ВЧ сигналу который в противном случае внутри тупо отдетектируется на полупроводнике что у станет наводкой. И да, не вздумайте цеплять массу микрофона на общий полигон - там рядом с микрофонным входом есть нога GND, вот на нее и цепляйтесь(можете даже ни с чем больше не подключать)

...но при этом в мостовой схеме ими проще управлять. Потому иногда и используют. ЗЫ. А вообще, лучше такие вопросы в раздел к начинающим. Там скорее разжуют...

В телефонах обычно есть (как минимум в кнопочных) настройка номера SMS-сервера(че-то типа "message centre number").

Ты получаешь Инет в роуминге и только в том случае если в окружении найдется оператор подписавший с оператором задрипанной страны договор на предоставление инета. Зачастую инет на птичьих правах по конским ценам....

У них с ростом входного напряжения падает КПД вплоть до 50% при 5В на входе. А это как раз ситуация когда на входе линейника 10В(накаченное умножителем), а на выходе 5В. Так что как они там накачивают - тот еще вопрос. Ну и то, что на выходе пила это еще один жирный минус. По сути это оставляет единственное преимущество перед sepic - только габариты обусловленные наличием у sepic двух катушек..

Судя по графику зависимости КПД от входного напряжения они там сперва конденсатором накачивают вдвое, а потом линейно спускают до 5В. Как по мне, это одно из худших решений и имеет право на жизнь только когда жестко стоят требования по габаритам. В остальных вариантах sepic на mt3608 или подобной - лучше.

Судя по даташиту, Mp2617 это преобразователь вниз в 4.08...4.4В от которого через зарядку заряжается АКБ. При отсутствии внешнего питания АКБ подключена к выходу через полевик. Т.е. да в этой схеме АКБ подключен прямо без стабилизатора...

Если вопрос в прекращении обратного тока из устройства в ПК, то обычного полевика будет мало.

из 5В USB вполне можно сделать 5В. К примеру так: https://oshwlab.com/wagiminator/mt3608-sepic

Главная предпосылка - появившийся ток базы насыщенного транзистора.

Так мы о ней и говорим - будет ли при нулевом токе через шунт напряжение Uб1 выше Uб2 или ... после сработки оно в том состоянии залипнет навечно. Если будет ниже - загенерит.

Ага... При соотношении Ic/Ib=10 или иначе говоря при токе базы в 1мА. Умножив 1мА на сопротивление 510 получаем Uб=0.5В При этом на эмиттере - уже 1В что противоречит контуру. Ну или иначе говоря - такого насыщения в этой схеме не достичь никогда

Это всего лишь обход контура напряжений Uбэ3 Uкэ2 Uбэ2 Uб2 при ограничениях накладываемых открытым и насыщенным транзистором. Там оба транзистора открыты, а значит напряжение на базовых переходах каждого примерно 0.5В, потому они и сокращаются. С другой стороны второй транзистор уходя в насыщение не сможет на КЭ обеспечить меньше 0.2В отсюда и нижнее ограничение, а верхнее ограничение это 12В-Uбэ3=12В-0.5В. При попытке выйти за эти два ограничения или закроется нижний транзистор(ограничение 11.5В) или ток базы второго транзистора поднимет напряжение на делителе(ограничение 0.2В). Посмотри схему входного каскада LM358 из даташита - там как раз первый транзистор так подключен для работы от 0В. В точке подключения базы. Потому что в точке подключения эмиттера напряжение равно Uэ=Uбэ3+Uкэ2. А в точке подключения базы Uб= Uэ-Uбэ2 или Uб=(Uбэ3+Uкэ2)-Uбэ2 И т.к. напряжения открытых баз примерно равны и равны 0.5В их разница стремится к нулю. В результате остается Uб=Uкэ2