vervs

В затворы резисторы устанавливаются чтобы не было ВЧ возбуждения, с запараллеливанием нужно быть осторожным - положительный температурный коэффициент (на который часто полагаются при простом соединении истоков) начинается только с некоторого (совсем не малого) тока, на передаточной хар-ке Iс=f(Vзи) - точка пересечения графиков для разных тем-р. На такие большие токи соединять транзисторы не приходилось, интересно как выравнивать токи между ними - какой-то могучий миллиомный резистор последовательно ставить или ничего не нужно?

Посмотрел на сайте производителя в новом паспорте график чуть выше идет, у меня был от 2009-10-21. Теперь понятно.

это тепловое ограничение, а как же ограничения по току и напряжению? Вот что имел в виду: полагаем что транзистор открыт, поэтому по области DC, смотрим - макс ток 90А (небольшой горизонтальный участок) и это при 25С - запаса нет или есть ошибка?

в статике практически ноль, в динамике зависит от необходимой скорости включения, можно посчитать, но проще промоделировать

Они (BSC060N10NS3) по ОБР не подойдут, нужно искать другие, но и тут нужно быть внимательным - взять к примеру IPB020N10N5 , как его выводы D²PAK выдержат хотя бы 50А непонятно, (в масле что ли при 25С ?), раньше указывался ток "package limit" раз в 5 меньший "silicon limited", а у него нет.

для обычных условий попроще, в -35 денди и прочие калькуляторы редко используются, в каталоге производителя клея "момент" приводятся эти герметики - хранение и время жизни у большинства не ахти.. они их еще называют GLOB ТOP. может дешево и сердито попробовать 704й клей-герметик или побрызгать на несколько раз силиконовым ISOTEMP (Cramolin)

Многие конторы сами готовят компаунды, но когда-то пробовал через знакомых узнать состав - химики и не стали делиться, хотя вроде и простую эпоксидку можно развести так, что она будет мягковатой (но не липкой), опять же -35, можно попробовать современные составы с УФ полимеризацией (у стоматологов попросить ?), кристаллы у КТ809 и светодиодов силиконоподобным герметиком закрывают, из готового - погулите chip-on-board encapsulant

точнее сопротивлением. Если не хочется возиться с помпами и т.п. схемами, можно соединить встречно два транзистора и открывать их фотовольтаическим оптроном типа vom1271 (с учетом скорости включения до десятков мс)

а от куда они берутся? если наводка - может сделать еще один канал только без полезного сигнала (без датчика), буферизировать и вычитать из основных каналов; если синфазная помеха между датчиками и оцифровщиком - поставить усилители (с дифвыходом) на стороне датчиков со своим отдельным питанием, т.е. обеспечить ноль синфазного и уже усиленный сигнал передавать на оцифровщик При этом стоит следить чтобы они не ушли в насыщение? - сигналы сравнительно низкочастотные

поэтому и спрашивалось входит ли доставка в эту цену, еще варианты - искать б/у, заказать в приграничный город и пронести в кармане через границу

Как правило надо было с домена университета письмо с запросом отправить. А стоимость доставки у них учтена? а если так - aliexpress.ru ?

так и про диллеров поставщиков можно сказать? Сегодня не проходила оплата по карте сбера, выбрал оплату с телефона МТС, комиссия 1% - ну приемлемо, так МТС снял 10р за СМС на "МТС деньги". Так что данный опсос - то же те еще шутники жмоты.

две линии пропустить через исключающее или может и получится

Просто "по схеме" - в этом случае имеем сопротивление источника тока (большое) параллельно с конденсатором и последовательно с rs (под rs подразумевалось диф.сопр., ранее обозначенное rd, или оммическое сопр. базы? Оммическое не рассматривалось и оно да - "последовательное") соответственно эквивалентное диода должно быть такое же, что не так. А по "физике" - если честно, у меня тоже сомнения можно ли считать что эти случайные "перескоки" электронов шунтируются rd перехода, ведь это rd принято для "суммарного" среднего тока без учёта подобных явлений. С другой стороны шумит именно область перехода, а rd сопротивление именно этой части диода. Для сравнения можно рассмотреть например фотодиод - там не rd, а Rd (большое) и вроде как шум определяется параллельным соединением этого Rd и приемника. Надо почитать Вандер Зила или ещё поновее что-то может есть.

сопротивлений, но не эдс шума, т.е. сопротивления складываются алгебрически, эдс - геометрически(как случайные величины).

шумовой ток пойдет через него, другими словами не будет условных 10В на переходе - конденсатор зашунтирован. На рис.1 идеальный источник тока I и диод (R, C, источник шума "корень из") на рис 2. батарейка, ограничительный резистор и диод, в первом случае ток I без шума, во втором - rd/(Rs+rd)*корень. С увеличением Rs доля шума в его цепи уменьшается, с идеальным источником тока - пропадает, тепловые шумы не рассматриваются.

математически как бы да, если рассматривать только источник тока и конденсатор, но для модели диода не хватает упомянутого выше дифференциального сопротивления

это и имелось в виду, просто не сразу понял эти фразы: в них Ваша логика такая: считаем число электронов за промежуток времени, извлекаем корень и получаем значение шума. При этом с увеличением времени увеличивается и число этих электронов соответственно и шум. Так? но в формуле дробового шума используется ток, а не заряд (число электронов). Кроме того еще вопрос - стоит ли учитывать, что емкость шунтирована дифференциальным сопротивлением диода? ну мои фантазии: вроде бы да, с оговоркой если этот ток по природе будет "бездробовый", например, за счет заряда внутри кристалла (ёмкости), т.е. изменением напряжения на этой емкости - создается компенсирующий ток, главное чтобы свободных зарядов хватило, но этот ток будет "чистым" только на выводах, а через барьер электроны все равно с шумом проскакивать будут. кмк, если же использовать "диодную" зависимость тока от напряжения, т.е. управлять за счет высоты барьера изменением инжекцией электронов, опять же эта инжекция имеет дробовый характер

Кажется ровно сколько имело право и не протекло, ровно столько же других протекло дополнительно (по сравнению со средним)? Иначе по определению само значение тока будет меньше на это число ) А какую из емкостей рассматриваем? На сколько помню в прямом включении диффузионная преобладает, и может эта диффузионная емкость (заряд внутри перехода) окажет какое-то влияние на спектр шума, но тогда вроде чем больше заряд тем меньше шум (по аналогии с лампой). Вроде природа дробового шума в вероятностном характере инжекции, поэтому подъем напряжения если бы он был ничего в характере шума не изменил (кмк), а вот наличие избыточного заряда повлияло на движение электронов и соответственно на шум.

поясните пожалуйста, не совсем понял как Вы считали

Ну спектр дробового шума белый и достаточно широкий. Чисто физически давайте представим, что можем считать инжектируемые электроны, нужно будет успеть в противофазе давать столько же электронов за время пролёта... причем каким-то "бездробовым" способом - нетривиальная задачка. Речь как понял про светодиод. Даже если создать такой ток будет ли излучение "чистым" - проход электронов через барьер должен быть одновременным. вот что подобное лампе каким-то хитрым легированием или ещё одним электродом/подложкой сделать..

теперь кажется Вас понял, напряжение на диоде поменяется за счет изменения емкостной составляющей тока, компенсирующей шум, так? Смотрел с другой стороны - ток не поменялся за счет создания такой эдс (напряжения на диоде) чтобы ток не изменился (за счет емкостной составляющей тока). Т.е. в цепь с индуктивностью поставили источник дробового тока - диод. И этот диод пытается изменять ток в цепи индуктивности (на величину дробового), на что она "ответит" повышением напряжения, настолько чтобы ток в ее цепи остался прежним - за счет добавки емкостного, а уж на сколько поднимется напряжение на этой емкости зависит от её величины и шумового тока. Схему с ОУ анализировал аналогично. ОУ задерет напряжение ровно на столько чтобы скомпенсировать недостачу - точно так же "слегка повышая тем самым на нём напряжение, но исходя из ёмкости диода" Диод не знает к какому из двух черных ящиков он подключен: индуктивность и ОУ делают одно и тоже - обеспечивают в своей цепи "чистый" ток, вопреки "дрыганиям" диода, какое при этом на нем напряжение зависит не от черного ящика, от величины дрыгания и емкости диода.

а такое, что если делали чтоб попилить на строительстве, то с таким подходом и не стоит начинать, если причины другие, то хотелось узнать какие. В той же Салде рядом месторождение песка, на сколько знаю в советское время песок от туда ценился, поэтому организовать там производство технического кремния вроде бы логично, хотя химию все равно везти. А вот в холодные и депрессивные регионы специалисты не очень охотно поедут, Томск конечно хороший контрпример, но думается многие от туда уезжали (или хотят) где потеплее и вряд ли туда спецы массово приезжали, с Омском - аналогично. доб. : вот и возможную причину с Нитолом озвучили

а как же пресловутая эдс самоиндукции?

будет тоже самое, а именно: ну индуктивность-то идеальный ОУ и шунт только за себя отвечают, и если sqrt(N) из равномерно вылезающих из неё схемы N электронов вдруг не захотели прыгать в диод и осели на его ёмкости чуть приподняв напряжение (создав при этом "компенсирующий" шум ток (через емкость), это и имелось в виду под токами "другой природы"), то повлиять на них она (схема) никак не может, через неё схему то всё нормально протекло. Или где-то ошибка в рассуждениях? функционально ("математически") индуктивность и источник тока на ОУ в задаче стабилизации тока не отличаются, вот что имеется в виду, отличие только в принципе работы