vervs

Можно начать с источника, уровня измеряемого сигнала, характеристик синфазной помехи, есть ли гальв.развязка и требований по питанию. Вполне возможно будет достаточно диф.входа на ОУ, а на стороне источника ничего не потребуется (в том числе преобразования в диф.сигнал)

На сайте ремонта телеков видел рекомендацию снижать ток подсветки, но в Вашем случае это может и не помочь по причине: В установившемся режиме не будет, источник с этим не согласен - он выдает ток, а не потребляет (и вообще на его выходе к примеру может стоять диод), напряжение же будет определяться нагрузкой (от общего тока) и выравнивать токи источников необязательно. Вот в момент включения нужно быть готовым, что к выходу одного из источников (более тормозному) будет приложено напряжение второго.

Вы про всех или попавшихся Вам? и кстати, русских нет - есть россияне... Можно привести и другие причины , но "это делать лень."(с)

может как-то промодулировать этот сигнал, чтобы чужой не воспринимался как свой

измеряйте ток светодиода

на вряд ли, транзисторы стали с еще большей крутизной Были даны первые ссылки, а если еще погуглить может чего и поновее будет Paralleling power MOSFETs in high power applications Rev. 1.1 — 13 September 2021 Driving Parallel MOSFETs Paralleling power MOSFETs in high current applications

Здесь пишут что надо Eliminating Parasitic Oscillation between Parallel MOSFETs и MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation between Parallel , всегда ставил резисторы в затвор, а будет ли возбуд без них не проверял

В затворы резисторы устанавливаются чтобы не было ВЧ возбуждения, с запараллеливанием нужно быть осторожным - положительный температурный коэффициент (на который часто полагаются при простом соединении истоков) начинается только с некоторого (совсем не малого) тока, на передаточной хар-ке Iс=f(Vзи) - точка пересечения графиков для разных тем-р. На такие большие токи соединять транзисторы не приходилось, интересно как выравнивать токи между ними - какой-то могучий миллиомный резистор последовательно ставить или ничего не нужно?

Посмотрел на сайте производителя в новом паспорте график чуть выше идет, у меня был от 2009-10-21. Теперь понятно.

это тепловое ограничение, а как же ограничения по току и напряжению? Вот что имел в виду: полагаем что транзистор открыт, поэтому по области DC, смотрим - макс ток 90А (небольшой горизонтальный участок) и это при 25С - запаса нет или есть ошибка?

в статике практически ноль, в динамике зависит от необходимой скорости включения, можно посчитать, но проще промоделировать

Они (BSC060N10NS3) по ОБР не подойдут, нужно искать другие, но и тут нужно быть внимательным - взять к примеру IPB020N10N5 , как его выводы D²PAK выдержат хотя бы 50А непонятно, (в масле что ли при 25С ?), раньше указывался ток "package limit" раз в 5 меньший "silicon limited", а у него нет.

для обычных условий попроще, в -35 денди и прочие калькуляторы редко используются, в каталоге производителя клея "момент" приводятся эти герметики - хранение и время жизни у большинства не ахти.. они их еще называют GLOB ТOP. может дешево и сердито попробовать 704й клей-герметик или побрызгать на несколько раз силиконовым ISOTEMP (Cramolin)

Многие конторы сами готовят компаунды, но когда-то пробовал через знакомых узнать состав - химики и не стали делиться, хотя вроде и простую эпоксидку можно развести так, что она будет мягковатой (но не липкой), опять же -35, можно попробовать современные составы с УФ полимеризацией (у стоматологов попросить ?), кристаллы у КТ809 и светодиодов силиконоподобным герметиком закрывают, из готового - погулите chip-on-board encapsulant

точнее сопротивлением. Если не хочется возиться с помпами и т.п. схемами, можно соединить встречно два транзистора и открывать их фотовольтаическим оптроном типа vom1271 (с учетом скорости включения до десятков мс)

а от куда они берутся? если наводка - может сделать еще один канал только без полезного сигнала (без датчика), буферизировать и вычитать из основных каналов; если синфазная помеха между датчиками и оцифровщиком - поставить усилители (с дифвыходом) на стороне датчиков со своим отдельным питанием, т.е. обеспечить ноль синфазного и уже усиленный сигнал передавать на оцифровщик При этом стоит следить чтобы они не ушли в насыщение? - сигналы сравнительно низкочастотные

поэтому и спрашивалось входит ли доставка в эту цену, еще варианты - искать б/у, заказать в приграничный город и пронести в кармане через границу

Как правило надо было с домена университета письмо с запросом отправить. А стоимость доставки у них учтена? а если так - aliexpress.ru ?

так и про диллеров поставщиков можно сказать? Сегодня не проходила оплата по карте сбера, выбрал оплату с телефона МТС, комиссия 1% - ну приемлемо, так МТС снял 10р за СМС на "МТС деньги". Так что данный опсос - то же те еще шутники жмоты.

две линии пропустить через исключающее или может и получится

Просто "по схеме" - в этом случае имеем сопротивление источника тока (большое) параллельно с конденсатором и последовательно с rs (под rs подразумевалось диф.сопр., ранее обозначенное rd, или оммическое сопр. базы? Оммическое не рассматривалось и оно да - "последовательное") соответственно эквивалентное диода должно быть такое же, что не так. А по "физике" - если честно, у меня тоже сомнения можно ли считать что эти случайные "перескоки" электронов шунтируются rd перехода, ведь это rd принято для "суммарного" среднего тока без учёта подобных явлений. С другой стороны шумит именно область перехода, а rd сопротивление именно этой части диода. Для сравнения можно рассмотреть например фотодиод - там не rd, а Rd (большое) и вроде как шум определяется параллельным соединением этого Rd и приемника. Надо почитать Вандер Зила или ещё поновее что-то может есть.

сопротивлений, но не эдс шума, т.е. сопротивления складываются алгебрически, эдс - геометрически(как случайные величины).

шумовой ток пойдет через него, другими словами не будет условных 10В на переходе - конденсатор зашунтирован. На рис.1 идеальный источник тока I и диод (R, C, источник шума "корень из") на рис 2. батарейка, ограничительный резистор и диод, в первом случае ток I без шума, во втором - rd/(Rs+rd)*корень. С увеличением Rs доля шума в его цепи уменьшается, с идеальным источником тока - пропадает, тепловые шумы не рассматриваются.

математически как бы да, если рассматривать только источник тока и конденсатор, но для модели диода не хватает упомянутого выше дифференциального сопротивления

это и имелось в виду, просто не сразу понял эти фразы: в них Ваша логика такая: считаем число электронов за промежуток времени, извлекаем корень и получаем значение шума. При этом с увеличением времени увеличивается и число этих электронов соответственно и шум. Так? но в формуле дробового шума используется ток, а не заряд (число электронов). Кроме того еще вопрос - стоит ли учитывать, что емкость шунтирована дифференциальным сопротивлением диода? ну мои фантазии: вроде бы да, с оговоркой если этот ток по природе будет "бездробовый", например, за счет заряда внутри кристалла (ёмкости), т.е. изменением напряжения на этой емкости - создается компенсирующий ток, главное чтобы свободных зарядов хватило, но этот ток будет "чистым" только на выводах, а через барьер электроны все равно с шумом проскакивать будут. кмк, если же использовать "диодную" зависимость тока от напряжения, т.е. управлять за счет высоты барьера изменением инжекцией электронов, опять же эта инжекция имеет дробовый характер