=AK=

Насколько я знаю, шифр XTEA довольно добротный, поэтому крякнуть заголовок непросто. Шифрование тела сообщения потоковым шифром на базе LFSR используется, как я помню, в Блютус. Так что от хакеров, наверное, защита будет более-менее нормальная, хотя бы потому что никому неохота будет связываться если нет известных уязвимостей.

Исправил файл на Гитхабе.

Спасибо за найденную ошибку. По смыслу должно быть void HBC_get_EE_key(void) { key.ulo[0] = EE_KEY1; key.ulo[1] = EE_KEY2; key.ulo[2] = EE_KEY3; key.ulo[3] = EE_KEY4; // и т.д. } Похоже, что при проверке значения по умолчанию (#ifdef USE_DEFAULT_EE_KEY) я не обратил внимания на предупреждение компилятора. Завтра еще раз проверю и отпишусь. Насколько помню, я в основном тестировал с ключами из EEPROM, полагая, что значения по умолчанию вряд ли будут использоваться на практике.

Подозреваю, что тот же результат достигается при помощи nonce, т.е поля в заголовке (в моем случае одного байта) со случайным значением. В результате повторяющиеся сообщения будут выглядеть совершенно разными.

Потребление было "на уровне", никаких чудес ни в ту ни в другую сторону. В основном все определялось свойствами SOSC генератора, как всегда. Отдельный вход для батареи, при желании, можно было организовать при помощи диодов Шоттки и монтажного ИЛИ. Мне это не требовалось, поскольку все питалось от батареи и ни от чего более.

Генератор SOSC и счетчик имелись во всех (или почти во всех) PIC-ах спокон веков. Но громогласные маркетинговые заявления о "встроенных RTCC" и куча ненужного сгенерированного кода появились сравнительно недавно.

Да, ключи фиксированные, должны быть заранее известны обеим сторонам.

Насколько я понимаю, под "встроенным RTCC" пордразумевается говнокод, сгенерированный МСС (т.е сонфигуратором кода). В железе это просто счетчик и генератор с часовым кварцем.

После десятилетий разного рода боданий и мытарств с RTCC и часовыми кварцами, я стал использовать RTCC со встроенным кристаллом. "Там если щупаешь, то знаешь - маешь вещь" (с)

Очень экономный (в смысле используемых ресурсов ресурсов) шифратор/дешифратор находится здесь https://github.com/akouz/HBus/tree/master/HBnodeMiniPro в файлах HBcipher.h и HBcipher.cpp Заточен на пакетные сообщения. Длина сообщения не меняется. Заголовок шифруется блочным шифром XTEA, все остальное - потоковым шифром на базе LFSR. Промежуточный результат шифрования заголовка используется для инициализации LFSR.

Любой модуль Ардуино, лента на чипах WS2811 и т.п., библиотека управления FastLED. Лента подключается к пину MOSI (т.е. к выходу данных SPI) через резистор порядка 22 Ом. Ардуина Уно или Про в голом виде готова к общению по UART, а Ардуина Леонардо или Нано - по USB через виртуальный СОМ порт. Для подключения через Эзернет придется добавить к Ардуине Эзернет шилд. Как вариант, все то же самое можно сделать на чипе ESP8266, например, модулем NodeMCU. Тогда можно будет общаться с модулем по WiFi. Если взять модуль на базе ESP32, то можно через Блютус. Среда Ардуина имеется и для этих чипов. Пример реализации https://github.com/akouz/HBus/tree/master/Devices/07_Power_Meter

При малом напряжении на выходе ОУ диоды закрыты, они не проводят ток, их динамическое сопротивление стремится к бесконечности. Идеальный ОУ имеет бесконечный коэффициент усиления, при бесконечном сопротивлении в цепи ООС он любой шум будет усиливать до бесконечности. Как только напряжение на выходе ОУ увеличится до порогового напряжения одного из диодов (порядка 0.6 В для обычного кремниевого диода), он начнет открываться, через него начнет течь ток, а его динамическое сопротивление уменьшится до k*T/I*q, что равно примерно равно 25[мВ]/I при комнатной температуре. То есть, при токе через диод 1 мкА его динамическое сопротивление равно примерно 25 кОм, а при токе 1 мА - всего 25 Ом. Величину тока в зависимости от напряжения можно найти по ВАХ диода. Никакого такого "исходного значения" нет. При некотором напряжении на выходе, чуть более 0.6 В, динамическое сопротивление диода станет достаточно низким. При напряжениях существенно больших, чем 0.6В, диод будет открыт настолько хорошо, сопротивление в цепи ООС будет определяться в основном сопротивлением R3, а динамическое сопротивление диода можно уже не учитывать, оно на фоне R3 будет мало. Например при R3=36k и напряжении на выходе 5В, дифф. сопротивление диода составит порядка 200 Ом. Отношение R3/R2 должно быть достаточно маленьким, чтобы полуволна на выходе генератора затухла до того, как выйдет за пределы напряжения питания ОУ. Если R3 слишком увеличить, то ОУ начнет "подрезать" вершинки синусоиды на выходе, ибо он не может выдать напряжение более чем напряжение его собственного питания. Если R3 уменьшать, то амплитуда напряжения на выходе будет стремиться к +- 0.6 В, а форма сигнала все более будет похожа на прямоугольник. Так и не ходите сюда, этот форум не для вас.

Даже похожие схемы могут работать на разных принципах. Например, известная фирма Хьюлетт-Паккард "поднялась" в 40-е годы прошлого века за счет звукового генератора, представляющего собой в принципе похожую схему, но собранную на лампах. Нюанс был в том, что вместо нелинейного элемента использовалась маленькая лампочка накаливания. Как известно, сопротивление металлов увеличивается при увеличении температуры. В созданной Хьюлеттом схеме лампочка накаливания входила в цепь обратной связи в генераторе Винна. При увеличении аплитуды колебаний генератора нить накала лампочки разогревалась, ее сопротивление увеличивалось. Это снижало коэффициент усиления и приводило к стабилизации амплитуды колебаний на определенном уровне. При схожем принципе работы, существенная разница с приведенными вами схемами состояла в том, что диоды и стабилитроны - это безинерционные элементы, а лампа накаливания - инерционный. Динамическое сопротивление диодов и стабилитронов изменяется более-менее мгновенно, что приводит к искажению генерируемой синусоиды и появлению нежелательных гармоник. А сопротивление нити накала меняется медленно и не успевает следовать за формой генерируемого сигнала, оно зависит в основном от интегральной характеристики синусоиды, ее действующего значения. Поэтому схема Хьюлетта генереруемую синусоиду почти не искажала, получался чистый синус. Так что, при внешней схожести, схема Хьюлетта использовала линейный усилитель с АРУ, а в приведенных вами схемах используется нелинейный усилитель. Это две большие разницы, и коэффициент нелинейных искажений в этих двух генераторах будет отличаться на порядок или более. Кстати говоря, Хьюлетт придумал использовать в генераторе лампочку накаливания когда был студентом. Первый прибор фирмы Хьюлетт-Паккард, звуковой генератор с малыми искажениями, был воплощением его дипломного проекта.

Вот что выдает гугл на запрос "схема ару". Похоже что врет здесь кто-то другой...

Извините, не понял вопроса. Что за 4 мА, откуда они взялись? При сетевом напряжении 220 V rms амплитуда равна 311 V. При сопротивлении резисторов R21 и R22 по 100 кОм ток через них не может быть больше чем 311V/200к = 1.55 мА. Рассеиваемая мощность примерно равна 220V^2 / 200к = 242 мВт. Если для вас это слишком много, ничто не мешает увеличить R21 и R22 в несколько раз, одновременно во столько же раз уменьшив емкость С8. Например, при R21=R22=330к и C8=0.33uF пиковый ток через резисторы уменьшится до 311V/660к = 0.47 мА. При этом, соответственно, рассеиваемая мощность уменьшится на порядок, а также станет втрое короче выходной импульс.

Прошло 6 лет. Ардуино до сих пор живет и здравствует, а Micro Bit почему-то не видно и не слышно...

Вполне очевидно, что это технически осуществимо. Как и все прочее. Вопрос только в средствах, потраченных на обучение AI.

Недавно мелькала инфа про систему, которая надежно обнаруживает и "ведет" людей по вибрациям пола. Помнится, на основе AI...

Размер платы вы выбирали сами. Если человек может коснуться рукой каких-то токоведущих частей электрических цепей, то эти цепи должны соответствать правилам для "сверхнизкого безопасного напряжения", safety extra-low voltage (SELV). Автор цитируемой вами статьи, судя по всему, об этом не знает. Цепи SELV выполняются в соответствии с МЭК-овскими стандартами, которые в РФ повторены в виде ГОСТов, например, ГОСТ IEC 60950-1-2014 . Если есть желание, можете покопаться в ГОСТах сами. Надеюсь, ГОСТ для вас - документ? Как я помню, для одиночной изоляции по поверхности ПП изоляционный промежуток должен быть не менее 4 мм. Для двойной изоляции требования другие, так что если в ПП сделать прорезь, то воздушный зазор засчитывается как вторая изоляция. Поэтому, если память не изменяет, расстояние между токоведущими частями можно сократить до 2 мм, если в ПП сделана прорезь 1 мм. Однако обходной путь вокруг прорези по поверхности все равно должен быть не менее 4 мм. Однако мои сведения могли устареть. Например, вот здесь есть видосик, где со ссылкой на то же стандарт МЭК 60950-1 говорится (в 0:45), что по поверхности расстояние должно быть не менее 6.4 мм, а по прямой через прорезь - не менее 4 мм. Уж не знаю откуда они это взяли, в приведенном выше ГОСТе есть таблица G.2, в которой для напряжения меньше 4 кВ (а при испытаниях изоляции обычно подают 3750 Vac в течении одной минуты) основная изоляция должна быть не менее 4 мм.

Человек находится в помещении, если он: -- прошел через дверной проем -- был обнаружен внутри помещения До тех пор пока он не пройдет дверной проем еще раз, можно считать что он продолжает находиться в помещении. После дверного проема надо обнаружить его в в одном или в другом помещении, которые соединены этим дверным проемом. Детектировать прохождение дверного проема можно по пересечению ИК-луча. Детектировать появление человека в помещении можно PIR детектором. Самое трудное будет определить, что несколько человек прошли через дверной проем в обнимку.

Очень может быть. Тем более что маркировка UL26 (компоненты D1...D3) может принадлежать диодной сборке USBLC6-2SC6. Разводка платы говорит за то, что это диодная сборка, а не одиночный TVS диод. Тогда U5 не может быть диодной сборкой, как я предположил ранее, а выполняет иную функцию.

Сначала попробуйте просто выпаять U5. Oна приняла удар на себя и, возможно, защитила BQ24297 ценой собственной жизни, но стала коротить сигнальные линии USB. Поэтому с BQ24297 невозможно установить связь пока ее не выпаяли. Что же касается U2, то наверное ее обозначение не AACRFT, а AACR, к которому добавили служебные символы, типа дата выпуска и т.п. Символами AACR в корпусе SOT-23-6 обозначaются MAX1963AEZT185 и MAX6342TUT. Этим микросхемам нечего делать рядом с BQ24297.

Сгоревший чип обозначен U5, значит, это некая микросхема. UL26 обозначены как D1, D2 и D3, значит это диод, то есть, UL26 не подходит на место U5. Поиск маркировки UL26 дает USBLC6-2SC6, это защитный TVS диод для USB линии питания VBUS. Недалеко от U5 находится микросхема BQ24297. Это импульсное зарядное устройство для аккумулятора, непосредственно подключаемое к USB. Разъем USB рядом, катушка индуктивности тоже, все логично. Типичная схема применения BQ24297 не требует других микросхем, https://www.ti.com/ds_dgm/images/alt_slusbp6c.gif Поэтому сгоревшая деталь, хоть и обозначена как микросхема, скорей всего тоже является защитным элементом, как и D1-D3. Вероятнее всего, это диодная сборка для защиты сигнальных линий USB, обозначенных D+ D-, наподобие NUP4114 и пр. Их целое море таких от разных производителей, похожиe как близнецы-братья. В любом случае сигнальные линии USB надо чем-то защищать, значит, рядом с BQ24297 должно стоять нечто подобное. У TVS диодов емкость великовата для этого. Очевидно U5 защищала сигнальные USB линии микросхемы BQ24297. Если BQ24297 не выгорела, то достаточно просто выпаять U5, все должно заработать. А если не заработает, значит, BQ24297 все-таки выгорела, тогда менять надо ее. Проверить гипотезу можно если выпаять U5 и прозвонить сигнальные линии USB. Если предположение верное, они будут подведены к контактным площадкам U5. В этом случае заменить U5 можно на любую подходящую диодную сборку, предназначенную для защиты USB, хоть бы и NUP4114, надо только полярность соблюсти.

Обычный строительный имеет кислотную основу, для электроники его применять очень не рекомендуется: он электропроводный и вызывает коррозию

Две важных разницы: 1. Хоть на границе (ПП-компаунд) нет адгезии, но на обоих границах (ПП-праймер) и (праймер-компаунд) адгезия есть, поскольку праймер липнет ко всему. Скажем, DOWSIL 3140 схватывается через несколько часов, но при этом он на ощупь очень липкий. Через сутки, когда он уже "готов к употреблению", его липкость уменьшается, но остается заметной. Наверное, можно подобрать оптимальный интервал для схватывания праймера, после которого лучше всего заливать его компаундом. 2. В зазоре (праймер-компаунд) отсутствуют токопроводящие части, они остались в зазоре (ПП-праймер), где очень хорошая адгезия. Таким образом, все токоведущие элементы оказались покрыты слоем диэлектрика, т.е. праймера, который не так-то легко пробить. Тот же DOWSIL 3140 создает над проводниками и компонентами хорошую изолирующую "подушку" толщиной как минимум полмиллиметра. Поэтому в зазоре (праймер-компаунд) отсутствуют металлические острия, они все укутаны подушкой праймера. А от этих острых частичек, заусенцев и т.д., все безобразие и начинается.