=AK=

Да

"Гальваническая развязка" показывает, что сопротивление изоляции между двумя узлами сравнительно велико, а токи, протекающие между ними, весьма малы. Но сопротивление не бывает бесконечно большим, так что все довольно условно. То, что "велико" для одних задач, может оказаться "мало" для других, и т.п. А сигнал чем передается, святым духом, что ли? Положим, кнопка делается обычно из пластмассы и сама является прекрасным изолятором, лучше оптрона. Однако какой-то резон в таких словах все же есть. Речь может идти о том, что человек по каким-то причинам имеет доступ (может коснуться) к токоведущим частям, гальванически связанным с микроконтроллером. В таком случае, действительно, все цепи, гальванически связанные с микроконторллером, должны относиться к классу "изолированных низковольтных" (safety extra low voltage) и должны быть гальванически изолированы от цепей, связанных с сетевым напряжением.

При отрицательной полуволне на МТ2 ток заряда С1 меняет направление. Чтобы на это намекнуть, используется слово "разряжаться" в кавычках. Поскольку слова "заряжать конденсатор" и "разряжать конденсатор" можно толковать двояко. В первом случае слова "заряжать" и "разряжать" обозначают направление протекания тока, а величина напряжения между обкладками во внимание не принимается. Во втором случае слова "заряжать конденсатор" обозначают процесс, при котором увеличивается напряжение между обкладками по абсолютной величине, безотносительно к полярности напряжения. Напряжение, как известно, есть разность потенциалов. Вы какой техникум заканчиваете, кулинарный?

"Симистор" пишется с одним "м". "Сгорел" начинается с буквы "с". В правильно сделанном устройстве микроконтроллер не сгорит при выходе из строя симистора, независимо от того, развязан он от симистора или нет. Нет такого закона природы, по которому микроконтроллер сгорел бы из-за симистора. Кому нужен "живой" микроконтроллер в диммере, если там сгорел симистор? Такой диммер наверняка пойдет в помойное ведро. Микроконтроллер из него никто выковыривать не будет, симистор менять тоже. Так что такой ваш довод в пользу использования развязки в общем-то безоснователен. Во всем свете работают миллионы диммеров с микроконтроллерами, гальванически связанными с симисторами.

Давным-давно использовал дешевое пластиковое оптоволокно диаметром 1 мм для 20 кВ развязки в высоковольтном устройстве. Отлично все работало. У Сименса (ныне Инфинеон) есть приемники и передатчики, заточенные под это волокно.

А в задании требуется развязка, или это ваша самодеятельность? Сигналы от датчиков вы тоже собираетесь гальванически развязывать? Если нет, то нафиг нужна развязка симистора? Вам ведь уже все разжевали, http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=39765

Нет, это неверно. Есть два случая: 1. Напряжение на МТ2 положительно (относительно МТ1). Это обозначается МТ2+. Конденсатор С1 будет заряжаться током, втекающим через резисторы R1 и P1, при этом на правой обкладке С1 будет нарастать положительное напряжение (относительно левой обкладки, или относительно МТ1, что одно и то же). Когда напряжение на С1 достигнет порога срабатывания динистора D1 (типично - порядка 30 В), динистор почти мгновенно откроется, и к управляющему электроду симистора будет приложено напряжение, имеющееся на С1, почти целиком (падение напряжения на открытом динисторе D1 можно в первом приближении не учитывать, оно мало). Значит, напряжение на G положительно, это квадрант МТ2+G+ Конденсатор С1 быстро разрядится током, протекающим по цепи: правая обкладка С1 - динистор D1 - управляющий электрод G - общий электрод МТ1 - левая обкладка С1. В этой цепи существенное сопротивление представляет собой только внутреннее сопротивление Rg управляющего электрода G (порядка нескольких сотен ом), оно-то и ограничит величину тока разряда. К сожалению, Филипс не нормирует величину сопротивления для симисторов, но если принять Rg=300 Ом, то при 30 В начальный ток равен 100 мА, что меньше, чем предельно-допустимый ток электрода G (2 А), но более чем достаточно для срабатывания симистора (для ВТ137 пороговый ток - trigger current - для квадранта МТ2+G+ равен 25...50 мА, в зависимости от буквы). Длительность импульса разряда примерно tr=2.2*Rg*С1=2.2*300*100нФ=66 мкс. Поскольку сопротивление цепи разряда вообще говоря не нормировано, приведенная схема не является хорошей. Правильно будет включить резистор сопротивлением примерно 220 Ом последовательно с динистором, а не полагаться на "авось". 2. Напряжение на МТ2 отрицательно. Это обозначается МТ2-. Конденсатор С1 будет "разряжаться" током, вытекающим через резисторы R1 и P1, при этом на правой обкладке С1 будет нарастать отрицательное напряжение. Когда напряжение на С1 по абсолютной величине достигнет порога срабатывания динистора D1 (типично - порядка тех же 30 В, но отрицательных, т.к. динистор - тоже симметричный прибор, как и симистор), динистор почти мгновенно откроется, и к управляющему электроду симистора будет приложено отрицательное напряжение, имеющееся на С1. Значит, напряжение на G будет отрицательно, это квадрант МТ2-G-

Левый (по схеме) вывод симистора (кстати, "симистор" пишется с одним "м") будем считать "общим" Это тот терминал, который обычно обозначается Т1 или МТ1. Управляющий электрод называется G (от слова "gate" - ворота). Силовой электрод называется Т2 или МТ2. Симистор управляется напряжением между электродами G и МТ1, или током, протекающим между G и МТ1/ Если напряжение на G относительно МТ1 положительно, обозначим это G+. Если отрицательно, обозначим G-. Силовое напряжение на МТ2 относительно МТ1 тоже может быть или положительно (обозначим МТ2+), или отрицательно (обозначим МТ2-). Симистор работает во всех четырех квадрантах. Это значит, что он откроется при любой комбинации, и при G+MT2+, и при G-MT2+, и при G+MT2-, и при G-MT2-. Приведенная мною схема управляет симистором в двух квадрантах, G+MT2+ и G-MT2-. В этих двух квадрантах его чувствительность обычно одинакова, см. http://home.planet.nl/~midde639/specs/bt137.pdf

В простейшем случае можно так: R1 является частью делителя; D1 ограничивает напряжение до уровня менее 4В; R2 вместе с R3 слегка делят ограниченное напряжение, чтобы напряжение на пине не превысило предельно-допустимого, поскольку 4В - это все-таки многовато. В этой схеме пин дискретного ввода микроконтроллера используется в качестве плохонького компаратора, который срабатывает при напряжении примерно половина питания, т.е. 1.65 В, плюс-минус дофига. На передаточной характеристике (внизу) легко найти, при каком входном напряжении мк должен "увидеть" лог.0, а при каком лог.1, при указанных номиналах порог будет примерно 7 В. Для более точного порога срабатывания можно применить компаратор или - более просто и изящно - стандартный маломощный супервизор питания с открытым коллектором. Напряжение "питания" такому супервизору делается из входного 12.6В при помощи резистивного делителя.

Хорошая схема. Я бы посоветовал резисторы уменьшить до 330к и поставить транзюк BC547B с большим усилением, иначе ток через оптрон может быть маловат про малом сетевом напряжении.

Обычно в даташите оговариваются выходное напряжение лог."0" и лог."1" при определенном токе нагрузки. Типа, "напряжение лог. нуля не более 0.8 В при втекающем в пин токе 8 мА".

Угу. Поскольку в исходном вопросе не сказано, есть ли у вас гальваническая развязка микроконтроллера от сети или нет. Раз не сказано, то лучше предложить "дубовый" вариант с оптроном, поскольку он сгодится в любом случае, и когда есть развязка, и когда ее нет.

Обозначим R12 = R1 || R2 = (R1*R2)/(R1 + R2), в моей схеме R12=0.82k || 1.7k = 0.553k Ку = 1 + R3/R12, в моей схеме Ку = 1 + 6.8k/0.533k = 13.29 Hапряжение "виртуального нуля" Vo = (Vcc*R2)/(R1 + R2), в моей схеме Vo = (5V*1.7k)/(0.82k + 1.7k) = 3.37 V При подаче на вход Vin=Vo на выходе будет Vout=Vo. При подаче на вход произвольного Vin на выходе будет Vout = (Vin - Vo)*Ку + Vo Чтобы уменьшить пролезание пульсаций, разделите R1 на два последовательно включенных резистора, и поставьте электролит. конденcатоp 100 мкФ между их средней точкой и землей. И еще, увеличьте номиналы всех резисторов в 10 раз, это уменьшит потребляемый ток и улучшит подавление помех кондером. PS: Для подавления высокочастотных помех и улучшения стабильности желательно включить керамич. кондер параллельно R3, емкостью не менее 10 пФ (чем больше тем лучше, насколько полоса сигнала позволяет).

Например, так: Номиналы я не посчитал, а грубо подобрал, "на глазок". При указанных номиналах передаточная характеристика такая:

К сожалению, не знаком с системой команд этого проца. Тем не менее, попробую прокомментировать то, что понял rjmp Init ; После прыжка на Init вы, похоже, никогда не вернетесь назад, поскольку ; у вас здесь нет меток, куда бы можно было прыгнуть. А коль не вернетесь, ; то нафига вам следующие три команды? rjmp ext0 reti rjmp CUPT1 Init:программа инициализации -//-//-//-//-//-//-//-//- -//-//-//-//-//-//-//-//- -//-//-//-//-//-//-//-// ext0: in PеrL,ICR1L; in PеrH,ICR1H; CUPT1: in temp,ICR1L ;сохраняем захваченное значение in tempH,ICR1H;в рабочих регистрах ; А сколько времени успело пройти с того момента, когда вы ; исполнили команды под меткой ext0: ? Всего ничего. Вряд ли ; это соответствует вашим намерениям. sub temp,PеrL;вычисляем разность между sbc tempH,PеrH ;старым и новым значением ; Неверно, поскольку вычитаются 16-битные числа. Значит, ; обязательно должен обрабатываться перенос из старшего байта в младший in PеrL,ICR1L;запоминаем новое in PеrH,ICR1H;значение ; За время, пока вы вычисляете разность, ICR1L и ICR1H могут ; успеть измениться. Сохранять надо бы temp и tempH. ; А где цикл? А куда выводятся результаты? В общем, впечатление такое, что это работать не будет никак, уж извините.

Да как тут найдешь ошибку, если вы используете где-то в другом месте объявленные компоненты? А "программка" ваша в сущности есть текстовое описание схемы, которая соединяет компоненты в одно целое. Непонятно, зачем вы так сложно делаете простейшие вещи. Вот как можно было бы сделать "в лоб" приведенную вами схему library ieee; use ieee.std_logic_1164.all; entity volladdierer is Port (a_in, b_in, u_in: In bit; s_out, u_out: Out bit); end; architecture Struktur of volladdierer is begin my_p : process(a_in, b_in, u_in) variable tmp1, tmp2, tmp3 : bit; begin tmp1 := a_in xor b_in; tmp2 := a_in and b_in; s_out <= tmp1 xor u_in; tmp3 := tmp1 and u_in; u_out <= tmp2 or tmp3; end process my_p; end Struktur;

Цифровой вход мк практически не отличается от входа любой другой КМОП цифровой мелкосхемы. Обычно в даташите указан вх. ток не более 1 мкА (за счет утечек) и вх. емкость порядка 10 пФ. То есть, вход мк можно представить эквив. схемой в виде паралл. включенного резюка в несколько мегом и кондера в десяток пик. Вот и прогоните на Оркаде как ваш генератор реагирует на такую нагрузку.

А в честь чего ему быть равным '0', если вы нигде его в '0' не устанавливали, а устанавливали только в '1'? Положим, компилятор сгенерирует такой код, что SIG будет равно '0' при начальном включении. Однако когда счетчик досчитает до COUNT >=3 он обязан его установить в '1', и после этого в '0' он никем никогда не установится. Вот компилятор подумал-подумал, и решил: "А нафига этот сигнал иметь в '0' при начальном включении, ведь этого никто не требовал? Поставлю-ка я его навсегда в '1', чего зря бомбить" LIBRARY ieee; USE ieee.std_logic_1164.all; USE ieee.numeric_std.all; USE ieee.std_logic_unsigned.all; -- Entity Declaration ENTITY blok IS -- {{ALTERA_IO_BEGIN}} DO NOT REMOVE THIS LINE! PORT ( CLK : IN STD_LOGIC; RESET : IN STD_LOGIC; SIG : OUT STD_LOGIC ); -- {{ALTERA_IO_END}} DO NOT REMOVE THIS LINE! END blok; -- Architecture Body ARCHITECTURE blok_architecture OF blok IS signal COUNT : unsigned(1 downto 0); BEGIN process(CLK, RESET) begin if RESET = '1' then COUNT <= (others => '0'); SIG <='0'; -- при сбросе '0' elsif rising_edge(CLK) then SIG <='0'; -- по умолчанию '0' COUNT <= COUNT + 1; if (to_integer(COUNT) = 3) then COUNT <= (others => '0'); SIG <='1'; -- установить в '1' на один такт end if; end if; end process; END blok_architecture;

Н-да, если заряжать С за один период, то дело несколько хуже, чем кажется с первого взгляда. Основную часть заряда кондер получит в первом из двух полупериодов, во втором полупериоде только слегка "дозарядится". Это значит, что через вторичную обмотку в одном полупериоде ток будет намного больше чем в другом, т.е. транс будет работать при сильном подмагничивании сердечника. Чтобы сердечник не входил в насыщение из-за подмагничивания, придется вводить зазор. В результате сердечник станет огромным и тяжелым. В качестве альтернативы можно сделать устройство управления, которое будет открывать тиристор не через каждые 2 полупериода сетевого, а через 3. То есть, в каждом цикле полярность подмагничивания будет меняться на противоположную. Или же сделать полностью симметричную схему заряда, как показано внизу. Это удвоитель напряжения, так что транс можно сделать (или взять готовый) 1:1 или понижающий. Кондер С разделен на два кондера, С1 и С2. Резистор R1 добавлен для того, чтобы ограничить ток через диоды в момент подключения к сети. При нормально работающем устройстве управления в дальнейшем он не нужен и может быть закорочен контактом реле.

Попробовал еще раз. Откатился на последнюю нормально компилирующуюся версию с классическим анализатором. Переключил Квортус на ТаймКвест, портировал настройки. Скомпилировал - все ОК. Компилируется так же как раньше, но недовольна тем, что не заданы койнстрейнты I/O Задал койнстрейнты I/O. Старался задавать помягче. Скомпилировал. Время компиляции возросло, появилось 700 красных ворнингов, макс. частота клоков уменьшилась вдвое. Что-то я не понимаю и делаю не так... :(

Спасибо. Да не противник я TMS. Я просто в какой-то момент стал переживать по поводу собственной ответственности, хоть бы и косвенной: я тут наподсказываю, а вы или сами убьетесь, или покалечите кого-нибудь. Но раз уж хоть какие-то вменяемые публикации по теме есть, то у меня с души камень упал. Я еще раз настоятельно вам рекомендую прогнать эквивалентную схему на Simetrix-е. Без точной модели вы будете тыкаться вслепую и скорей всего никогда не доведете устройство до нормального состояния, будет оно у вас глючить и выгорать. Если вы действительно хотите получить 50 разрядов в секунду, то это значит, что кондер у вас должен заряжаться всего лишь за 1 полный период сетевого. Тогда сразу встает вопрос, в какой момент времени относительно сетевого напряжения происходит разряд и начинается следующий заряд? Если это может происходить в какой угодно момент времени, то задача управления тиристором упрощается, зато задача построения силовой части резко усложняется. Если же изначально задать, что включение разрядного тиристора может происходить только в моменты перехода сетевого напряжения через ноль, то наоборот, устр-во управления получается несколько сложнее (оно должно быть синхронизировано с сетью, следовательно, плавной регулировки частоты повторения уже не сделаешь), зато силовая часть сильно упрощается и становится надежнее. Если принять заряд кондера за один полный период, то схема для спайса может быть примерно такой: Все детали слева от кондера С имитируют сеть, повышающий трансформатор и дроссель. Два генератора синуса V1, V2 с амплитудой 420 В и частотой 50 Гц работают в противофазе. Резистор R2 есть сумма омического сопротивления вторички и дросселя. Lx есть сумма индуктивности рассеяния и индуктивности дросселя. Ключ S1 имитирует тиристор и шунтирующий его диод. Ключ управляется от генератора одиночного импульса V3, который включает ключ через 20 мс на 100 мкс.

Коль скоро так, то вам должно быть все равно с какой частотой возбуждается поле. Почему обязательно должно быть 50 раз в секунду? Должно быть достаточно и раз в секунду, и даже раз в 10 секунд. Тем более что при возбуждении с частотами более чем 5 раз в секунду вы ненароком можете срезонировать с каким-нибудь из собственных ритмов головного мозга - с непредсказуемыми последствиями. Я все-таки не очень понимаю какого рода статистику вы собираетесь набрать таким образом. Носколько я слышал, сигналы между нейронами передаются электрохимическим образом, потенциал 20 мВ, время транзакции 1 мс, транзакции несинхронизированы. Закачивая туда быстроменяющееся магнитное поле, вы в течении какого-то времени возбуждаете в мозгу блуждающие токи, которые хаотично и непредсказуемо влияют на текущие транзакции. Допустим, длительность импульса 80 мкс, как это повлияет на процесс, который длится 1 мс? Почему надо подать импульс длительностью именно 80 мкс, а не 1 мкс или не 500 мкс? Почему импульс надо повторить через 20 мс, а не через 5 мс или не через 10 сек? Какой величины возбудятся токи под воздействием импульса, какие паразитные потенциалы возникнут в мозгу, к каким это приведет последствиям? Бог весть... Вроде бы сильные магнитные поля стирают память, т.е., с моей точки зрения, есть большой шанс, что вы своими "исследованиями" будете постепенно разрушать синапсы. Испытуемые поначалу ничего не заметят, просто что-то не смогут вспомнить или потеряют какие-то навыки. Какие последствия будут потом - неизвестно.

Сделать поле в 2.2 Т особых проблем нет. Проблема в том, чтобы обеспечить достаточно большие размеры этого поля, удерживать его в течении достаточно большого времени и повторять достаточно часто. Величина поля, его размеры, время действия и частота повторения - наверняка чистое шаманство. Более чем уверен, что никаких объективных данных для выбора основных параметров не существует. Шаманы от медицины получают доступ к приборам с бог весть какими (взятыми с потолка) характеристиками, то ли приспосабливают готовые, то ли им делают на заказ. Или жулики от медицинской техники делают всякую хрень и втюхивают склонным к шаманству медикам. Если устройство будет маленькое и будет питаться от батарейки, то это "несолидно", труднее будет облапошивать публику. А если это здоровенный ящик, который жрет 1 кВт, то все, конечно, будут разевать варежки на это "чудо техники". Что же касается "терапевтического эффекта", то он у двух таких устройств будет более-менее одинаковый, и дай-то бог если просто нулевой, а не отрицательный. Мой вам совет, завязывайте с этим делом. Или сами убьетесь, пока будете делать аппарат, или покалечите пациентов. Я подозреваю, что вы сами из шаманов. Если бы в медицине существовала объективная и достоверная информация о терапевтическом эффекте импульсов магнитного поля, то из публикаций вы бы точно знали все параметры, т.е. величину поля, необходимые размеры поля, время действия и частоту повторения. Не надо делать потенциально небезопасный аппарат только потому, что кто-то еще такой же сделал.

Когда вы прогоните цепь заряда на симуляторе, вы увидите, какие пиковые токи текут через диоды мостика. Тогда можно будет выбирать диоды мостика, с запасом по току и напряжению.