=AK=

На расстоянии в полметра работать будет достаточно устойчиво вплоть до примерно 115 кбит/сек. Однако требуется грамотное заземление. Для частичной защиты от помех и перекосов земель рекомендую поставить резисторы по 100 Ом на каждом RXD входе. Да и на каждом TXD выходе тоже по резистору 100 Ом поставить будет невредно, чтобы наведенные на 0.5 м провод наносекундные помехи не отшибали рога процу, пока стекают на землю через пин.

Измерять надо разницу токов, т.е. разницу между током, вытекающим из "+" выходного терминала БП, и током, втекающим в "-" выходной терминал БП. Если разность токов превысит 30 мА, должна срабатывать защита.

Прочитал, конечно. Про миллисекунду в процитированных ранее кусках ТЗ я не нашел. Кстати, было бы неплохо цитировать все ТЗ в одном исходном посте, а не выдавать по чайной ложке; для этого не грех было бы исходный пост подредактировать. Вот как выглядит ТЗ судя по Вашим предыдущим постам: Вход 40-75В выход 200В 120мА. 1. Блок питания должен иметь гальваническую развязку 20МОм между выходными проводами и корпусом не менее 1500В. 2. Болк питания должен иметь УЗО, которое отключает или снижает выходное напряжение до уровня менее 36В, если появился ток утечки более 30мА с одного из выходных проводов на крпус. в случае присоединения одного провода выхода к корпусу через сопротивление 1 кОм питание автоматически отключается или напряжение автоматически снижается до напряжения не более 36 В Теперь Вы добавили еще одно требование, про которое я, не будучи экстрасенсом, догадаться, конечно, не мог: "3. Минимальная скорость срабатывания УЗО (устройства защитного отключения) 1мс" Учитывая заметный пренебрежительный оттенок высказывания об электро-механических УЗО вероятно это надо понимать с точностью до наоборот, т.е. 3. Максимальная скорость срабатывания УЗО (устройства защитного отключения) не более 1мс Замечу, что всяких УЗО существует много, есть среди них и УЗО постоянного тока: http://www.westernautomation.com/pages/dem...fy.htm#typelist http://www02.abb.com/global/dkabb/dkabb504...F204+B+type.pdf

http://en.wikipedia.org/wiki/Residual-current_device http://www.energysafety.sa.gov.au/images/p...ty_switches.pdf http://search.clipsal.com/clipsal/refine.d...ch.refine=false http://cacms.clipsal.com/trade/__data/page/81/I62.pdf

Согласен с Tanya. Первый пункт требует определенного качества изоляции. 1500 В - это очень мало по современным меркам. Например, европейские/австралийские стандарты требуют, чтобы изоляция оборудования, подключаемого к сети, выдерживало 3750 V rms 50 Hz в течении минуты (для оборудования, где человек может дотронуться до токонесущих цепей, соединенных со вторичной обмоткой). Для медицинского оборудования требуется еще больше, кажется, 4500 В. Второй пункт требует, чтобы в ненормальных ситуациях (в случаях пробоя изоляции и т.п.) срабатывало УЗО. С самим УЗО лучше не париться, а взять готовое покупное. Там настолько все "облизано" схемотехнически (как правило все делается при помощи специализированных ИС и дифф. транформаторов тока на супермаллое) и такие огромные тиражи, что сделать дешевле и лучше все равно не получится. Вдобавок, в покупных все протестировано и сертифицировано (вернее, не знаю про китайские, а в европейских - это точно).

Имхо, основной способ стать хорошим электронщиком - пройти через радиолюбительство в школьном возрасте. Начинать (т.е. "хвататься за паяльник") желательно в возрасте до 12-14 лет. У тех, кто начинает позже, скорее всего в критический не хватит энтузиазма, "упертости", он скорее отвлечется на что-то "более соблазнительное". И еще ему не хватит "чутья", свободы в "общении с железякой". Начинающим в более позднем возрасте намного труднее натренировать какие-то важные для этого участки мозга. Здесь есть полная аналогия и глубинная связь с владением иностранными языками: как правило только те, кто начинает говорить на другом языке до 12 лет, будут говорить чисто, без акцента. Хотя, конечно, бывают исключения. :) По поводу "обучения на примерах" приведу слова Ньютона: "Примеры лучше формул". Ссылки нет, когда-то очень давно это вычитал не помню где. Фокус состоит в том, что многие вещи плохо формализуются, поэтому обучение "на примерах" оказывается эффективнее: "формальная теория" в определенном смысле всегда выхолощена, "одномерна", она хороша для компьютера, а человеческий мозг из набора примеров ухитряется вытащить гораздо больше, чем может дать формализм.

С моей точки зрения, сам вопрос ставится некорректно. Не "на какую частоту", а "зачем" - вот вопрос. Есть понятие "устойчивость к (внешним) помехам", а есть "электромагнитная совместимость", т.е. сколько само устройство создает помех. Так вот, ферритовые бусинки почти бесполезны для защиты от внешних помех, зато они часто бывают необходимы, чтобы устройство не излучало вовне помех более, чем допускается стандартами. АЦП не излучает помех, так что для него оправданность применения бусинок очень сомнительна. Бусинки применяют так. Устройство испытывают на излучаемые помехи. Если на какой-то частоте помехи превышают допустимый уровень, то анализируют топологию устройства, стараясь отыскать "антенну" нужного размера, настроенную на данную частоту. После этого вводят ферритовую бусину примерно в центр этой антенны, чтобы увеличить потери и "разрезать" бусинкой антенну на две части.

Подводных камней нет, хуже не будет. Правда, если ставить бусинки "на авось", то толку от них тоже никакого не будет, просто деньги на ветер.

Работать будет, для макета или для радиолюбительского изделия сойдет. Для серийного изделия лучше переразвести плату. Или хотя бы обеспечить формовку выводов так, чтобы в месте выхода из корпуса первые пару миллиметров выводы не изгибались. Например, зажать их у корпуса пинцетом, и только потом изгибать. Это нужно для предотвращения механических напряжений в корпусе в месте выхода выводов. Дальше можно изгибать как угодно.

Существуют два режима включения фотодиодов: 1. "Фотодиодный режим". На фотодиод подается запирающее смещение, обычно - через высокоомный резистор. Фотодиод при этом работает как генератор тока. Достоинство такого включения - высокая линейность, недостаток - чуть более высокие шумы. 2. "Фотогальванический режим". Смещение на фотодиод не подается, фотодиод работает как генератор э.д.с. с довольно высоким внутренним сопротивлением. Достоинство такого включения - минимальные шумы.

Тогда такая схема: 1. Дешевые фототранзисторы обычно не имеют вывода базы. Схема сделана с учетом этого. 2. Подстроечник R1 регулирует порог срабатывания. По-хорошему, надо бы включить последовательно с подстроечником постоянный резистор величиной примерно 1% от номинала подстроечника (т.е. для 100к подстроечника - 1к резистор). Для упрощения схемы его можно не использовать, но надо помнить, что нельзя подстроечник выкручивать до конца и одновременно ярко освещать фототранзистор, это может привести к выходу фототранзистора из строя. Номинал подстроечника зависит от типа фототранзистора и величины освещенности. Если света много и/или фототранзистор чувствительный, то подстроечник должен быть более низкоомный, 10к или даже 1к. Если света мало, то можно поставить 1М или даже больше. 3. Микросхема U1 типа 74HC14 содержит шесть триггеров Шмитта в одном корпусе, см. http://w3.id.tue.nl/fileadmin/id/objects/E.../74hc_hct14.pdf Производится многими фирмами, в том числе есть отечественные аналоги. Дешевая. Можно использовать Шмитт триггеры из других КМОП логических серий. 4. Яркость светодиода можно изменить при помощи R2.

Нарисуйте или опишите требуемый график зависимости тока через светодиод от освещенности. Или хотя бы выберите, какой из наиболее очевидных вариантов Вам подходит: (1) линейный (2) нелинейный, но монотонный, включая бистабильный (3) с петлей гистерезиса "Полностью повторяет" состояние зоны вариант 1. Я нарисовал схему варианта (2). Комаратор в стандартном включении тоже даст вариант (2), но с очень резким переходом. Триггер Шмитта даст вариант (3). У него порог включения будет отличаться от порога выключения.

Cветодиод + резистор. Экзотика. Лучше использовать обычные фототранзисторы. Триггеры Шмидта здесь совершенно непричем.

Вот именно. Из-за дефектов она пробьется намного раньше, чем если бы их не было. Поэтому можно считать, что она пробивается из-за дефектов, а свойства самого материала не столь важны. Я думаю, это и есть причина, почему пробивное у разных диэлектриков примерно одинаково. Имхо, пробивное зависит не от диэлектрических свойств материала, а от его однородности и отсутствия дефектов. Для бумаги будет поменьше, для чистых пластков - побольше, для полупроводниковых диэлектриков - еще больше. Причем для последних - именно за счет чистоты и однородности. Кто сказал, что влияние дефектов линейное? Я всего лишь указал "направление", т.е. что дефекты работают "в обратную сторону", на ослабление. Я же не формулу выводил, а "на пальцах" пытался показать, почему пробивное растет не пропорционально толщине. Дело не в "крепости", а в том, что пробой останавливается на границе материала. Если материал однородный, то, однажды начавшись, пробой будет развиваться дальше, пока не "проест" всю толщу материала. А если слоев много, то после пробоя одного слоя он должен "начинать все сначала". С бумагами, пленками, оргстеклом, силиконовой резиной. Однако я не ставил экспериментов с целью вывести формулу, поскольку все давно уже сделано и описано в литературе. Я уже даже не вспомню, в каком справочнике я это вычитал.

Это теория, подтвержденная практикой. Я это понимаю так. Bозьмем пленку из какого-то материала, толщиной X. Приложим к ней поле и будем увеличивать его, пока пленку не пробьет. За счет чего произойдет пробой? Очевидно, за счет какого-то дефекта в пленке: вкрапления, неоднородности. Теперь возьмем пленку толщиной 2X. На единицу толщины напряженность уменьшится вдвое, зато в ней будет вдвое больше дефектов, поскольку при том же процессе пр-ва кол-во дефектов на единицу объема, очевидно, более-менее постоянно. Поэтому напряжение пробоя возрастет не в два раза, а всего в корень из двух раз.

Большинство материалов, применяемых для изоляции трансов, имеют более-менее одинаковое пробивное. Для прикидочных расчетов можно использовать значение 50 кВ на 1 мм толщины. Фокус в том, что пробивное зависит от толщины не линейно, а как корень квадратный. То есть, слой толщиной 0,1 мм типично имеет пробивное 50кВ / sqrt(10) = 15.8 кВ, а толщиной 0,01 мм - 50кВ / sqrt(100) = 5 кВ. Поэтому выгоднее класть несколько слоев тонкой изоляции, пусть даже посредственной по качеству, чем один толстый слой.

CENSORED ALL

-- резистор есть частный случай двухполюсника -- индуктивность тоже есть частный случай двухполюсника -- емкость тоже есть частный случай двухполюсника -- проводник тоже есть частный случай двухполюсника, который при анализе данной схемы (неинвертирующего усилителя на идеальном ОУ) разумнее всего представить как резистор с нулевым сопротивлением, вместо того чтобы вводить новую сущность "Скрипач не нужен" ©, от того что вы замените ваши "идеализированые соединения двух точек схемы" на резисторы с нулевым сопротивлением поведение любой схемы никак не изменится. Поэтому "идеализированое соединение двух точек схемы" вообще никогда не нужно и должно быть отрезано бритвой Оккама :)

Именно в этом дело: я не ввожу новую сущность по имени "проводник", а пользуюсь ранее введенной сущностью "резистор". Поскольку "проводник" есть частный случай резистора, конкретно - это резистор с нулевым или пренебрежимо малым сопротивлением. Вы бы хоть учебник какой-нибудь почитали, что ли...

Неверно, он является необходимым. "Проводник" - это частный случай, когда один резистор (между вых. ОУ и инв. входом, назовем его Roc) имеет сопротивление 0, а другой (между инв. входом ОУ и землей, назовем его Rg) - бесконечность. В схеме неинвертирующего усилителя на идеальном ОУ коэфф усиления равен Ky = 1 + Roc/Rg, и он не может быть меньше единицы. Внешние делители к этой схеме не имеют отношения. Без вариантов.

Потому что "нельзя вводить лишние сущности" © Оккам. Потому что к "схеме включения ОУ" можно отнести только те компоненты, которые обязательны для работы этой схемы, но ни в коем случае нельзя добавлять всякий дополнительный хлам, для работы схемы вообще говоря не нужный.

Про эти конкретно ничего не могу сказать. Лет пять назад работал с H8S. С тех пор японские процы стараюсь не применять.

Непонятно, зачем там супервизор? Проще во время теста при изготовлении один раз удостовериться что напруга в пределах +-3%.

Не надо подтасовывать. Эппл переполз с PPC на интелевские процики вовсе не потому, что они "ИБМ-ПЦ-kомпатибл". А таки потому, что соотношение цена/производительность лучше, и перспективы ясней (в развитие PPC никто не вкладывал, тираж мал).

Симистор не_годится для ШИМ потому, что симистоp можно открыть, но нельзя закрыть управляющим сигналом. PS: почему все так упорно пишут "семистор", наверное, по ассоциации с "семикондукторами"? ;) Симистор - потому что он симметричный :)