khach

Вот только с metal core платами абсолютно несовместимая- т.к металлическое ядро платы образует замкнутый виток. Ну и для планарного трансформатора часто простится совсем другой стек слоев в профиле чем для остальной платы. Поэтому уже достаточно часто встречаются планарные трансформаторы установленные как навесные элементы на основную плату Ну или гибриды- когда одна обмотка интегрирована в печатную плату а вторая- отдельна плата в виде субмодуля с трухольным или SMD монтажем.

А есть ли где адекватный термический симулятор многослойных metal core PCB? Особенно вариантов с термическими виасами с контактом с metal core и открытых фрезерованных островков для соединения внутреннего металлического слоя с внешним тепоотводом? А то итеративное проектирование с измерением реальных темпераутрных полей выходит слишком накладным из за числа прототипов.

Поздравляю, теперь бы не спеша в свободне время собрать стенд и разобраться что со старым RYTHM приключилось. Вообще то его спалить практически невозможно ( кроме входного переключателя диапазонов)- там же смеситель за тремя сферами спрятан, чтобы в него попало столько чтобы он сгорел- очень постараться надо.

А может все-таки кто кинет ссылку на техпроцесс для производства прецизионных SMD резисторов без лазерной подгонки? Интересует применение для изготовления СВЧ аттенюаторов и резистивных делителей. Лазерная подгонка изменяет индуктивность и емкость резисторов и приводит к разбалансу ( потере симметричности) схемы на СВЧ.

Навеяло рисунком с подстройкой коэффициента связи в объемном резонаторе. А можно сделать все тоже самое, но на ЖИГ? С механическим поджимом петли связи к сфере микровинтом? Чтобы связь с резонатором регулировать? Петля из бронзы позолоченной например, чтобы упругая была.

Может уровень шумов все таки стоит нормировать на уровень несущей? А то ерунда однако получается.

КСВ в блоке питания... Вы поставили меня в затруднительное положение- или Вы очень провинутый специалист в современных резонасных преобразователях, в том числе с распределенной структурой, где эффекты распространения ЭМ волны уже приходится учитывать, как в силовых линиях, так и в линиях управления... Или несете феерический бред.

Simplified Filter Tuning Using Time Domain Application Note 1287-8 Вот тут описана общая поперечная пластина связи, но ее можно положить и на плату с резонаторами, только паразиты большие будут и их надо учитывать. https://patents.google.com/patent/US4987393A/en Зы вот тут общий паттерн связи описан https://patents.google.com/patent/US5304967A/en

Ну это уже перебор, хотя если подешевеют или хакнутый скоп- то почему бы и нет. Тут не важно параметры импульса помехи измерять, важно его обнаружить и подавить или схемотехникой или разводкой. Ну и еще одна проблема на новомодных нитридных транзисторах- они могут загенерит на сотнях МГц при плохой разводке цепей драйвера. При этом будут генерать только в некоторых участках сигнала- например на фронте или сразу после него. Транзистор что интересно будет работать но потери будут огромные.

Конечно. Особеннно сейчас при быстрых ключах. Когда переходные процессы в ключе типа рассасывания заряда в диоде вызывают шпильки наносекундные которые лезут в схему цифрового управления и сбивают контроллер.

Да, основная идея была именно в устранении неопределенности с боковыми полосами ПЧ после переноса частот и до захвата петли. Высокие коэффициенты умножения LO позволяют упростить схему синтеза генератора подставки. Но коэффициенты умножения предполагались выбирать в пределах 4-8. А вот возможен ли вообще квадратурный смеситель на ДНЗ я как то сомневаюсь. Из опыта- ДНЗ фазы гармоник крутит как прийдется. Как получить квадратуры после умножения в этом случае- без понятия. А две гармоники LO при использовании ДНЗ будут близко друг к другу и результаты преобразования все пролезут в тракт ПЧ.

Александр, можете что нибудь сказать по поводу использования sub-harmonic IQ modulator в качестве квадраутрного смесителя в петле синтеза? Интересует именно квадратурный смеситель с накачкой субгармоникой высокого порядка. Что то по типу строб-смесителя но с выделением заданной боковой полосы без фильтров- преселекторов. Ну например петля на миллиметры со смесителем типа HMC1057

Конденсаторы связи лучше на керамической подложке сделать - выше термостабильность чем у ламинатов. Кондесатор изначально делается больше чем надо и прямоугольный ( выступает из под резонатора наружу). После сборки конденсатор "дремелируется" ( сошлифовыется алмазом) или выжигается лазером ( у кого что есть в наличиии). Лучше настраивать фильтр в режиме TDR рефлектометра на VNA - тогда сразу видно какой резонатор надо подстраивать. По АЧХ это не получится т.к велика вероятность переподрезать не тот конденсатор.

Ответы в теме мы не читаем. Зачем полосковый направленник делать если давно существуют керамические гибридные микронаправленники? Их потом можно заменить керамической же перемычкой, но можно перемычку и на плате сделать. Гуглить Bi-Directional Coupler - Mini Circuits BDCN

Предусмотреть на плате место под что то такое MCL BDCN-10-25+ https://pl.mouser.com/datasheet/2/1030/BDCN-10-25_2b-1700115.pdf Оставить в посадочном месте ответвителя 50 омную перемычку. Выводы ответвленной мощности вывести на тестовые пады. В тестовом экземпляре разрезать перемычку и запаять направленник. Проверить согласование антенны. Выпаять направленник и запаять перемычку. В в серии- ничего не делать, проверять согласование на новой партии плат.

Вот про возможность диффузионной разгонки примеси и переживаю. Было бы намного проще если бы процесс работал, но природа против. Ионным травлением виасы делаются, но есть проблема- плазма сжирает маску быстрее чем отверстия протравятся. А процедура утоньшения подложки полировкой не спосбствует повышению выхода годных. Вот и пытаемся подобрать процесс или лазерной абляцией с фемтосекундынми импульсами ( они меньше дают разбрызгивания материала из кратера) или лазерно-стумулированным мокрым травлением, или еще как.

Я не нашел хорошего фото с электронного микроскопа чтобы показать проблему в реале, поэтому прицепил эскизы для понятности. С покатыми стенками травиться в обычной плазменной RIE травилке вы будете иметь секас с поверхностыми состояниями. Т.е проблема на самом деле решаема и такое травление используется при создании fin-fet нитридных транзисторов, но это заморочки для миллиметровых волн и терагерц. Так что не будем пока усложнять.

Вот именно извращаться приходится. Извращаться с концами электродов затвора- они же должны выйти из области 2-Д газа, чтобы надежно выключать транзистор. А если электроды проходят по границе травления то там их или порвет, или пробой по затвору будет. При имплантации этого эффекта нет. Но надо кроме того что забомбардировать, еще и прогреть правильно чтобы примесь в решетку встроилась а сама структура не испортилась. К сожалению нитрид диффузионного не легируется от слова совсем в отличии от кремния. А вот специалистов по изготовленю сквозных виасов в подложке я бы и сам с интересом выслушал. Как лучше всего делать эти овальные отверстия и забивать их металлом?

Если вы сейчас перестраивает литографию, то подумайте на счет прямого засвета фоторезиста ( direct laser writing) на базе недавно появившихся ( несколько лет всего) DPSS лазеров 320нм. Они непрерывные, хороший модовый состав луча. Самое интересное что у них накачка тоже нитридным полупроводниковым лазером 443нм и основная гармоника излучения 640нм с удвоением внутри резонатора. При таком источнике можно рисовать литографию с проектными нормами в 200 нм без особого напряга. Готовых установок с таким источникм встерчать пока не прихродилось.

Вы не путайте литорафию по кремнию по собственнному оксиду с литографией по толстому слою Si4N4 или другого диэлектрика на нитриде. Это как говорится две большие разницы. Зы. Еще забыли упомянуть установку ионной имплантации, чтобы убить 2DEG электронный газ вокруг активной области транзистора. А то травлением слишком поверхность портится и утечки большие. Еще очень отдельная тема- вопрос металлических контактов к стоку и истоку

А вто это уже похоже на развод. Сгоревший смеситель дает потери в 15-20 дб сразу. 0.5-1.5 дБ это как раз перекалибровка RYTHM побеждает. Конечно возможен вариант когда сдвинулись сферы RYTHM и требуется его замена, это видно в неравномерности полосы пропускания RYTHM, но это требует более глубоких исследований харакетристик RYTHM на стенде. В самом анализаторе вроде такие большие оффсеты по частоте чтобы просканировать всю полосу пропускания установить не получится. Хотя могу и ошибаться. Вот если бы скрипты или логи самокалибровки посмотреть. Ведь для многих анализаторво спектра процедура YTF Optimization была стандартной. http://rfmw.em.keysight.com/wireless/helpfiles/psg_c/psa_ytf_optimization_(utility).htm

Не рублей, евро лимонов как минимум . Угу, 0.25 затвор на старой литографии, верю. Т.е про T-shape затворы слышать не приходилось? А без них 10 ГГц транзисторы как то не получаются. Вы же не УКВ транзистор изобретете с Ft в районе единиц ГГц? А если нет, то прийдется делать такую структуру как на фото, и ножку буквы Т надо электронолитографией резать, т.к с оптикой даже deep-UV она как то не получается ровной по всей длине. А это значит что транзистор закрываться не будет.

Да ничего там не просто Выход годных это вообще отдельная тема для приложений где может требоваться всего несколько тысяч девайсов в год. А вот по поводу "не распыляться" тут бабушка на двое сказала. Не всем нужны силовые транзисторы. Маломощные приемные или синтезаторные вещи можно и на сапфире делать, а он намного дешевле карбида. Или например СВЧ переключатели. Вроде тот же транзистор по структуре, но быстродействие затвора не пикосекунды, а хорошо если не десятки или сотни наносекунд. И сразу электронолитография не нужна- можно делать широкий медленный затвор. Зато все это подстегивает как рынок ростовых машин, так и сопутствующий рынок прекурсоров роста, химии, техпроцессов.

Гуглите polhemt. Только не спрашивайте про коммерческую окупаемость и вообще логику этой затеи. Но рабочие кристаллы существуют. Прикол в том что часть из них были не на SiC а на гомоэпитаксиальной подложке из того же нитрида.

Вот тут вы меня разочаровали. За это время можно было и свой собственный слепить. Говорю это вполне ответственно, потому что видел пример как гораздо меньшая страна чем Россия просто из чувства "что смогем" такой транзистор слепила практически с нуля. Без всякой связи с Cree. По повду техпроцесса- не путайте мягкое с теплым. Почти вся фотолиторафия кроме затворов воплне исполняется по техпроцессу 1-2 мкм. Обычными масками или вообще direct laser writing по фоторезисту. Только сами затворы надо делать электронолитографией с нанометровым разрешением. Будете смеяться- для этого использовался древний электронный микроскоп слегка модернизированный "на коленке".