=AK=

То, что вы нарисовали, работать не будет, там просто полная ерунда нарисована. Из-за того, что предельно-допустимое напряжение на пине PG такое маленькое, вам придется поставить еще один транзистор, одними только резисторами обойтись не получится. В конечном счете деталей будет больше, чем в первой предложенной схеме на N-MOSFET. С учетом того, что LDO расчитан всего на 15 В, именно эту схему использовать наиболее целесообразно. Ей не нужны никакие стабилитроны, на вход LDO попадет меньше 15 В за счет падения напряжения на транзисторе Q2. Надо только использовать транзистор с пороговым напряжением затвора не менее 2 В. Возьмите, например, IRF540. Чтобы ничего не грелось, надо использовать импульсный понижающий преобразователь, как неоднократно предлагалось ранее, например, LMZM23600 или наподобие него.

Если бы понимали, то оперировали бы джоулями и миллитеслами, а не вольтам, амперами и "процентами от входного напряжения". Загнать сердечник в насыщение - ума совсем не надо, ум нужен чтобы не дать ему войти в насыщение. А если сердечник входит в насыщение, то о каком-либо КПД рассуждать смешно.

Истинное положение вещей для флайбэка состоит в том, что на прямом ходе сердечник трансформатора накапливает энергию, а на обратном ходе отдает накопленную энергию в нагрузку. Вот из этого фундамента все и выводится. Расчет, как это водится, надо вести для самого плохого случая: при минимальном входном напряжении надо успеть закачать нужную энергию в сердечник, а при самом большом токе нагрузки успеть выкачать эту энергию из сердечника. Это определит и частоту работы, и соотношение длительностей прямого и обратного хода, и коэффициент трансформации. Чаще всего для этого режима принимают скважность 2 и от этого дальше пляшут. Понятное дело, что при прочих равных чем выше частота работы, тем лучше. Но макс частота ограничена и доступностью ИС управления, и параметрами ключа, и т.п. Поэтому макс. частоту тоже можно задать волюнтаристически, на основе выбранных компонентов. Зная частоту, макс. мощность и скважность, можно посчитать энергию, передаваемую сердечником в каждом цикле. А зная энергию, можно выбрать сердечник трансформатора, он должен быть достаточно большого размера, чтобы эту энергию накопить и не войти в насыщение. Там можно помухлевать с размером зазора в сердечнике, но слишком уж сильно зазор увеличивать не надо: и поля рассеяния будут больше, и меди придется намотать больше, медь может не влезть в окно сердечника.

При измерении противовесом был корпус NanoVNA. Mеня устраивает даже VSWR 2.5. Учитывая что мой прибор маленький, а характеристики антенны скачут даже в зависимости от того, лежит он на столе "лицом вверх" или "лицом вниз". Для меня главным критерием является на каком расстоянии обеспечивается устойчивая связь в городских условиях. Сравнил я как-то упомянутую выше дешевую промышленную антенну на 433 МГц с S11 менее -10 дБ и наворочeнную штыревую длиной метр, со встроенным противовесом. У наворочeнной и S11 было лучше -40 дБ, и импеданс тютелька в тютельку 50 Ом, а расстояние оказалось меньше, чем с дешевой антенной. Я подозреваю, что причиной была странная на мой взгляд АЧХ, эта антенна помимо 433 МГц неплохо ловила на частотах GSM.

У вас нарисован N-MOSFET с открытым стоком. Направление стрелки на MOSFET-ах часто бывает нарисовано "от балды". Там по смыслу P-MOSFET-а быть не может, поскольку такой экзотики как микросхемы с негативным питанием я и не знаю даже, делает ли сейчас кто-нибудь. "Плюсу" на вашей схеме взяться неоткуда, транзистор или открыт, или закрыт. Проверьте, какое предельно допустимое напряжение может быть на этом пине, возможно он не выдержит более, скажем, 6 В. И напишите внятно, когда на выходе 5 В, транзистор открыт или закрыт?

Я не совсем понял, что вы спрашиваете. На всякий случай, схема с P-МОSFET, работающем в ключевом режиме.

Я на 433 МГц как-то мерял недорогую промышленную штыревую антенну. Получилось 44-j33, а S11 чуть меньше -10 дБ. И кусок провода, 74-j6 и S11 почти -14 дБ. На мой взгляд, примерно тож на тож.

Там помимо четвертьволновой аннтенны есть еще согласователь импедансов. В классическом варианте это трансформатор, можно также сделать на П-образном LC-фильтре и т.п. Но в массовом производстве это неудобно, поэтому производители антенн делают довольно замысловатые конструции, которые в эквивалентной схеме сводятся к П-фильтру. Конечно, вы можете взять кусок провода 8.1 см и согласовать его трансформатором или П-фильтром. Однако если вы просто подрежете кусок длинного провода до настройки антенны на нужную частоту, получите практически такой же результат. По факту более длинный провод добавит индуктивность, так что уже получится неплохое согласование на нужной вам частоте. Можете попробовать в основании антенны добавить конденсатор в несколько пик на землю и настроить длину после этого. Возможно, согласование немного улучшится, однако сомневаюсь что овчинка будет стоить выделки. Насчет "длинных" антенн я вот еще что хочу сказать. В большинстве случаев производители делают "длинные" антенны ради маркетинга. Чтобы покупатель был уверен, что за свои деньги он купил "вещь", а не фигню какую-то, "недомерок". А как посмотришь на характеристики, усиление у них практически все те же 3 dBi, плюс-минус. Реально длина больше чем четверть длины волны требуется для коллинеарных антенн, обеспечивающих заметно большее усиление, чем обычный четвертьволновой штырь. Но это редкий тип антенны и стоит он отдельных денег.

Четвертьволновой диполь на 868 МГц имеет длину всего 81 мм. Для рулетки это маловато. Купите векторный анализатор NanoVNA, он очень дешевый. К разъему SMA припаяйте кусок гибкой проволоки, с запасом. Подключите к анализатору и смотрите на получившуюся характеристику антенны. За счет того что она длиннее чем требуется, она окажется настроена на частоту ниже чем надо. Понемножку кусачками отрезайте от антенны кусочки, пока она не окажется настроенной на 868 МГц.

Сравнивал, какая дальность связи в городских условиях на частоте 433 МГц при использовании двух чипов: старого (и снятого с производства) TRC105 и вполне современного S2LP. В TRC105 штатным образом используется ПАВ. Чип старый, приемник не очень чувствительный. Они за счет ПАВ снизили потребление приемника, не тратили энергию на активные фильтры. Из-за этого, конечно, подавление сигналов за пределами полосы слабое, примерно децибел 40: если рядом работают промышленные "воки-токи" на 470 МГц, то связи нет уже на расстоянии метров 10. Однако если рядом нет таких мощных помех, то к моему удивлению, картина оказалась обратная: на TRC105 связь на 500 м, на S2LP - всего примерно на 300. Возможно в варианте с ПАВ лучше подавлялись сигналы сотовой связи, не знаю.

-- Если девайс, обозначенный N, это pnp транзистор (как можно догадаться из его неряшливого УГО, эмиттер - верхний электрод), то он будет все время открыт и сгорит от тока, который пойдет от источника +17 на источник +5 -- Если девайс, обозначенный N, это npn транзистор в инверсном включении (эмиттер подключен к +17), то его база-эмиттерный переход пробьется обратным напряжением 12 или 17В, после чего он тоже сгорит -- Если девайс, обозначенный N, это N-MOSFET, то он или всегда будет закрыт (если пороговое напряжение затвора больше 5В), или же обеспечит всего 2-3 вольта на резисторе R после подачи +5В на затвор. В любом случае напряжение на затворе транзистора P относительно его истока будет всегда больше 12В, т.е. транзистор Р будет всегда открыт. -- Если девайс, обозначенный N, это npn транзистор в прямом включении, а к +17 подключен его коллектор, то при подаче напряжения +5 он обеспечит на резисторе R напряжение примерно +4.5В. Это лучший вариант из всех, то толку все равно ноль: транзистор Р будет всегда открыт. Вы школу-то уже закончили или нет еще?

Любые подойдут. И биполярный npn тоже подойдет. А лучше всего подойдет понижающий импульсный преобразователь вольт на 5-6, имеющий вход EN.

Надо брать в корпусе на соответствующую мощность, чтобы не выгорел. И с низким затворным напряжением. В любом случае эту мощность должен кто-то рассеивать, так уж лучше распределить ее примерно поровну между LDO и транзистором. Вместо Q2 вообще-то лучше LM117 поставить (с соответствующей обвязкой), тогда падение напряжения на нем можно задать точно.

Не имеет, она неработоспособна. Р-канальный MOSFET там вообще говоря не нужен. Вполне сгодится N-канальный, пусть на нем падает напряжение и рассеивается мошность. Зато LDO будет меньше греться при питании от 17В

Очень просто: меряйте при одинаковом токе нагрузки, например, при нулевом или близком к нулю. Или вы не способны контролировать ток нагрузки батареи, которую хотите мерять?