[Terehov 0]

А какие характеристики вы собираетесь моделировать? Усиление, рассогласование? Или системные характеристики? То есть , что вы, собственно, собираетесь считать?

 

Может эту характеристику можно и в системном анализе рассчитать. Ведь туда можно запихать и СВЧ схему усилителя мощности и промоделировать. Для учета рассогласования есть даже такой специальный блок-переходник RF_START.

К сожалению больших навыков работы в VSS нет, поэтому этот вариант не рассматриваю. А задача которую хотел решить - это коррекция коэффициента комбинационных нелинейных искажений УМ путем внесения в этот УМ предискажений (амплитудных), ну и попутно защита УМ от рассогласования, перегруза по току и т. п. Хотелось бы моделировать с самим УМ или с большесигнальной моделью, S-параметрами здесь не обойдешься.

Странно, мощнейшая программа, а вопрос возможности комлексного моделирования усилителя мощности ВЧ и маломощных цепей его радиоуправления вызывает такие трудности. Весной посетил небольшой семинар, который проводила NI в том числе и по AWR - так там утверждалось что эта система сквозного проектирования. Не уверен, хотелось бы ошибиться.

[sp1noza 0]

К сожалению больших навыков работы в VSS нет, поэтому этот вариант не рассматриваю. А задача которую хотел решить - это коррекция коэффициента комбинационных нелинейных искажений УМ путем внесения в этот УМ предискажений (амплитудных), ну и попутно защита УМ от рассогласования, перегруза по току и т. п. Хотелось бы моделировать с самим УМ или с большесигнальной моделью, S-параметрами здесь не обойдешься.

Странно, мощнейшая программа, а вопрос возможности комлексного моделирования усилителя мощности ВЧ и маломощных цепей его радиоуправления вызывает такие трудности. Весной посетил небольшой семинар, который проводила NI в том числе и по AWR - так там утверждалось что эта система сквозного проектирования. Не уверен, хотелось бы ошибиться.

 

Мне кажется, что вашу задачу следует моделировать в VSS. Может быть будет полезен пример AGC_using_VGA_F (там система АРУ). VSS поддерживает схематики из Microwave Office (чтобы учесть все эффекты надо воткнуть модуль RF_Start), поэтому можете смело использовать ваш проект в VSS. Ну, а система AWR, действительно система сквозного проектирования.

[Terehov 0]

Мне кажется, что вашу задачу следует моделировать в VSS. Может быть будет полезен пример AGC_using_VGA_F (там система АРУ). VSS поддерживает схематики из Microwave Office (чтобы учесть все эффекты надо воткнуть модуль RF_Start), поэтому можете смело использовать ваш проект в VSS. Ну, а система AWR, действительно система сквозного проектирования.

 

Не вижу как эту задачу можно выполнить в VSS. VSS грубовата для таких "мелочей". В ней как вы отметили возможно использовать подсхемы из MWO, но разработать схему с отдельными элементами - ОУ, резисторами и т. п. вряд ли получится. Как вы понимаете, сама модель логарифмического усилителя ничего не решает, это всего лишь небольшая часть схемы.

Ну а то что AWR система сквозного проектирования, думаю это всего лишь благие намерения, которые так и останутся намерениями. Любой Главный конструктор знает, разработать изделие это значит разработать комплект рабочей конструкторской документации. Даже самая затратная часть работы - изготовление опытного образца проводится с целью проверки правильности РКД. AWR к РКД и даже к эскизной документации имеет малое отношение. Изготовление, монтаж элементов, сборка, регулировка - все эти процессы идут по документации других САПР. Область применения AWR - эскизный проект и часть технического проекта.

Кроме того, даже этот пример - невозможность моделирования нелинейного УМ с цепями радиоавтоматики, не в пользу идеи сквозного проектирования.

Все это конечно не умаляет достоинств и необходимости использования этого САПР.

 

[Stefan1 0]

Здравствуйте, у меня вопрос по электромагнитному моделированию: возможно ли и как в микровэйве исходя из реальных геометрических размеров промоделировать ряд параллельных проволочек (как развариваются кристаллы транзисторов) с целью определения их индуктивности и взаимной индуктивности в зависимости от высоты над землей и длины самих проволочек?

 

[Filippov.Dimas 0]

Здравствуйте, у меня вопрос по электромагнитному моделированию: возможно ли и как в микровэйве исходя из реальных геометрических размеров промоделировать ряд параллельных проволочек (как развариваются кристаллы транзисторов) с целью определения их индуктивности и взаимной индуктивности в зависимости от высоты над землей и длины самих проволочек?

Думаю, для данной задачи больше подойдет 3D симулятор, типа CST или HFSS...

[tsw 0]

Хочу посчитать в MWO усилитель на транзисторе Avago ATF-54143. Модель элемента есть в библиотеках MWO:

Почему subcircuit имеет только 2 выхода, хотя у транзистора их 4?

[sp1noza 0]

Хочу посчитать в MWO усилитель на транзисторе Avago ATF-54143. Модель элемента есть в библиотеках MWO:

Почему subcircuit имеет только 2 выхода, хотя у транзистора их 4?

 

Вероятнее всего это измеренные S-параметры, измеренные в разных режимах и скомбинированные в MDIF файл. Включение скорее всего с общим истоком, для верности посмотрите в даташите. Землю можно вывести щелкнув на свойствах модели, затем на вкладку ground и ставим галочку напротив Explicit ground node.

[sp1noza 0]

Здравствуйте, у меня вопрос по электромагнитному моделированию: возможно ли и как в микровэйве исходя из реальных геометрических размеров промоделировать ряд параллельных проволочек (как развариваются кристаллы транзисторов) с целью определения их индуктивности и взаимной индуктивности в зависимости от высоты над землей и длины самих проволочек?

 

Есть такой элемент Interconnects->BWIRES3. Там можно задать количество параллельных проволочек, их длину и т.п. и т.д. Может будет вам полезно.

[RFF-11 0]

Вам необходимо выбрать 3-х портовый [email protected]. Корпус этого транзистора есть в библиотеке

[Stefan1 0]

Здравствуйте!

Кто может подсказать как можно пересчитать цепи согласования для балансного транзистора MRF8P29300HR6 на другой материал?

Пример своего расчета в микровэйв офисе привожу в прикрепленных файлах. Здесь импеданс транзистора в зависимости от частоты задаю функцией, а импеданс цепей - параметром Z12 и сравниваю их, но они почему-то не одинаковые. В чем тут ошибка?

123.doc

[tsw 0]

Спасибо за советы, буду разбираться.

[Stefan1 0]

Здравствуйте!

Кто может подсказать как можно пересчитать цепи согласования для балансного транзистора MRF8P29300HR6 на другой материал?

Пример своего расчета в микровэйв офисе привожу в прикрепленных файлах. Здесь импеданс транзистора в зависимости от частоты задаю функцией, а импеданс цепей - параметром Z12 и сравниваю их, но они почему-то не одинаковые. В чем тут ошибка?

 

Переформулирую вопрос: Имеется схема с 3 выводами, мне нужно померить импеданс между двумя выводами, как это сделать? Параметр Z12 - почему-то выдает не то.

Изменено 25 июля, 2012 пользователем Stefan1

[Halo_Gen 0]

Переформулирую вопрос: Имеется схема с 3 выводами, мне нужно померить импеданс между двумя выводами, как это сделать? Параметр Z12 - почему-то выдает не то.

А зачем Вам Z12 (как еще называется - сопротивление обратной передачи)?

В даташите приведены характеристические сопротивления на каждый транзистор (у вас их два в 1 корпусе), поэтому если делаете цепь согласования, то нужно либо смотреть Z11 и Z22 (чтобы они максимально приближались к указанным в даташите), либо вместо Z1 и Z2 ставите ZFREQ (на каждое плечо транзистора), прописываете в них сопротивления, а по выходу порт и уже смотрите чтобы Z11 было максимально близко к 50 Ом.

[Stefan1 0]

А зачем Вам Z12 (как еще называется - сопротивление обратной передачи)?

В даташите приведены характеристические сопротивления на каждый транзистор (у вас их два в 1 корпусе), поэтому если делаете цепь согласования, то нужно либо смотреть Z11 и Z22 (чтобы они максимально приближались к указанным в даташите), либо вместо Z1 и Z2 ставите ZFREQ (на каждое плечо транзистора), прописываете в них сопротивления, а по выходу порт и уже смотрите чтобы Z11 было максимально близко к 50 Ом.

 

У меня в даташите написано, что импеданс мерился от затвора до затвора балансной конфигурации (Test circuit impedance as measured from gate to gate, balanced configuration), т.е. параметр, измеряющий импеданс между этими выводами.

 

Поставил элемент IMPED с прописанным в него импедансом из даташитов между этими двумя выводами и посмотрел КСВ по выходу - близко к 1, все хорошо. Для проверки результата хочу померить импеданс оптимизированных плат (на другом материале) между этими двумя выводами (затворами), чтобы сравнить его с указанным в даташитах. Как уже говорил параметр Z12 не подходит почему-то, хотя по смыслу должен стоять именно он. В чем тут дело?

Изменено 26 июля, 2012 пользователем Stefan1

[EUrry 3]

Как уже говорил параметр Z12 не подходит почему-то, хотя по смыслу должен стоять именно он. В чем тут дело?

Так схема с тремя выводами (полюсами) или тремя портами (шестью полюсами)? Обратите на это внимание, а также на определение Z-параметров (режимы).

 

P. S. Соответственно для измерения параметров трехполюсная схема преобразуется в четырехполюсную (двухпортовую) с одним общим проводом.

Изменено 26 июля, 2012 пользователем EUrry