[ViKo 1]

Соответственно уровню оппонента. :) zero level

[EvilWrecker 0]

Соответственно уровню оппонента. :) zero level

Мечтать не вредно :laughing: - но ни выиграть спор, ни даже "поработать на публику" как вы ранее писали это не поможет: здесь вы крайне неоригинальны- вокруг уже давно таких персонажей хватает с избытков, чье поведение вы копируете :biggrin:

[yuri.job 0]

Офигеть, простыня уже на 9 страниц.... Забавно смотреть, как человек, явно со скромным опытом работы с ПЛИС пытается проталкивать свои идеи(которые изначально были вопросами) Зловреду, который, судя по форуму только и занимается, что плисами да процами и HDI дизайном. уж извините, но Зловред прав на все 100, когда рассказывает что и как ставить и почему. Вы можете читать херову тучу книжек, но на практике получить абсолютно неработающее устройство, потому как теория теорией, а практический опыт разводки с предварительными симуляциями хотябы импедансов это куда эффективнее, тем ровненько в ряд 100пик, 680, 0.1мкФ, особенно, когда понятия неимеешь, а нафига оно надо.

И опять же дельный совет, если чего то не знаете, а надо здесь и сейчас - начните с реф.дизайнов от Кислых, Авнета и Дигилента. Покрайней мере это относительно откатаные вещи. хотя бы в части питаний.

[one_eight_seven 3]

но Зловред прав на все 100, когда рассказывает что и как ставить и почему.

Не всегда. Например, в случае via sharing'а, ибо это не есть зло, а даже наоборот. Более того, в тех же предложенных им документах сказано, что не нужно делать via sharing, но если конденсатор настолько близко к этому via, что от конденсатора до via не нужно проводить дорожку, то такое подключение будет оптимальным.

 

Но некоторые вещи действительно заставили меня чесаться в самых неприличных местах. Например, нулевая задержка на тромбонах вследствие нулевой индуктивности за счёт встречно протекающих токов.

[ViKo 1]

А вы промоделируйте, если есть на чем. Поиграйтесь с расстоянием между дорожками. Приближается к нулю не есть ноль. Тенденцию описываю.

Что касается ПЛИС, занимаюсь ими с ACEX-10K, то есть, давно. Все мои разработки работали, как того требовалось.

[one_eight_seven 3]

Приближается к нулю не есть ноль. Тенденцию описываю.

Что именно вы предлагаете промоделировать? Чтобы моделировать что-то, нужно иметь адекватную модель, предложите свою на оценку. И что будет стремиться к нулю? Физическая длина пути, по которой должен пройти фронт волны? Или вы думаете, что тромбон - это "удлинняющая индуктивность"?

[EvilWrecker 0]

Не всегда. Например, в случае via sharing'а, ибо это не есть зло, а даже наоборот.

Конечно- это же все зависит от ситуации, да и я сам привел варианты в контексте этой темы с via sharing как на топе, так и на боттоме :laughing: "Спор" заключается не в этом, а в том что утверждение будто это самый оптимальный вариант из всех возможных- неверно. Особо подчеркну, это не делает его плохим, кривым и пр.- он даже в вполне себе неплох в в контексте темы. Просто самым оптимальным он не является, и все :biggrin:

 

Ну и второй основной момент заключается в том что не надо навешивать на это "соединение" пинов и конденсатора с общими отверстиями еще что-либо. Один раз поставили и хватит, более не надо :biggrin:

но если конденсатор настолько близко к этому via, что от конденсатора до via не нужно проводить дорожку, то такое подключение будет оптимальным.

Исходя из логичного предположения что толщина платы может быть очень разной, резонно охарактеризовать такой случай как микрулька и конденсатор на одном слое- это собственно и есть то что обычно показывают в гайдах. В абсолютном значении расстояние это заведомо меньше чем в случае размещения на противоположных сторонах. Единственное что- близко не к виа, а к active device :laughing: , но и к виа конечно тоже близко будет- иначе смысл теряется.

[ViKo 1]

Что именно вы предлагаете промоделировать? Чтобы моделировать что-то, нужно иметь адекватную модель, предложите свою на оценку. И что будет стремиться к нулю? Физическая длина пути, по которой должен пройти фронт волны? Или вы думаете, что тромбон - это "удлинняющая индуктивность"?

Задержка сигнала, естественно. Написано же. Чем и как моделировать - если бы у меня было чем, я бы тему не создавал.

[one_eight_seven 3]

Задержка сигнала, естественно

Вы тут, случайно, в духе Ландау, 20 страниц математических выкладок потеряли, и вместо них употребили слово "естественно". Не надо так.

 

Исходя из логичного предположения что толщина платы может быть очень разной, резонно охарактеризовать такой случай как микрулька и конденсатор на одном слое- это собственно и есть то что обычно показывают в гайдах. В абсолютном значении расстояние это заведомо меньше чем в случае размещения на противоположных сторонах.

Да даже если они находятся на разных сторонах платы. Если конденсатор располагается, по каким-то иним критериям, кроме близости к уже имеющемуся или подразумеваемому переходному отверстию от вывода микросхемы, настолько близко к этому самому переходному, что оно (переходное) будет в его fanout'е - то это тоже причина использовать via sharing.

Однако, если перемещение конденсатора к этому отверстию приведёт к ухудшению соединения с противололожным полюсом питания, то использование via sharing'а - уже вопрос спорный. Если же подключение к тому самому противоположному полюсу питания и так имеет больший импеданс, то оно будет уже вредно. Вы об этом?

Изменено 29 июня, 2018 пользователем one_eight_seven

[EvilWrecker 0]

Да даже если они находятся на разных сторонах платы. Если конденсатор располагается, по каким-то иним критериям, кроме близости к уже имеющемуся или подразумеваемому переходному отверстию от вывода микросхемы, настолько близко к этому самому переходному, что оно (переходное) будет в его fanout'е - то это тоже причина использовать via sharing.

Здесь уместнее говорить о том, что в случае симметричной 4х слойки где все плейны на внутренних слоях, прирост длины виа к соединению с ним будет одинаковый что на топе, что на боте- т.к. либо длинее связь до одного плейна и короче до другого, либо одинаково наоборот. Тут ключевое влияние имеют по большей части именно те самые mutual явления, при этом несмотря на то что в случае спартана и на них можно подзабить, сами"принципы" это не отменяет ни разу :laughing:

Однако, если перемещение конденсатора к этому отверстию приведёт к ухудшению соединения с противололожным полюсом питания, то использование via sharing'а - уже вопрос спорный. Если же подключение к тому самому противоположному полюсу питания и так имеет больший импеданс, то оно будет уже вредно. Вы об этом?

Примерно так(если отбросить издержки описания)- как уже упоминалось, нужно рассматривать PI именно в контексте свойств PDN, а не только лишь одиночного конденсатора- тем более что тс, как отметил yuri.job, пытается делать общие/фундаментальные утверждения в аксиоматическом ключе конкретно по тем аспектам, за которые он сам и спрашивал :laughing:

[MapPoo 0]

Задержка сигнала, естественно. Написано же. Чем и как моделировать - если бы у меня было чем, я бы тему не создавал.

Все таки, немного уменьшающаяся задержка и "нулевая задержка" это несколько разные вещи...

У каденса где-то даже были результаты моделирования данного вопроса.

[ViKo 1]

Все таки, немного уменьшающаяся задержка и "нулевая задержка" это несколько разные вещи...

У каденса где-то даже были результаты моделирования данного вопроса.

Было бы любопытно найти. А насколько немного, определяется геометрией. В идеале, при минимальном зазоре между проводниками, какой будет?

[Volkov 0]

когда пины земли/питания являются соседними(друг за другом) в противовес случаю когда они "далеко".

 

Расположенных близко пинов недостаточно.

 

 

Необходимо обеспечить низкоимпедансный путь для передвижения заряда от конденсатора, и емкости полигонов питания.

Что бы это обеспечить, необходимо снизить индуктивность линии связи - увеличить взаимную индуктивность между сегментами линии, и свести к минимуму длину сегментов с само-индукцией. Сокращая расстояние между переходными отверстиями, мы тем самым увеличиваем коэффициент связи магнитных полей, и обеспечиваем более низкий импеданс в этом сегменте линии.

Расположив переходные отверстия с одной стороны, мы тем самым получили еще одну область цепи с низким импедансом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ага, а лучше 3- все равно же ничего не будет.

 

 

 

[Aner 3]

Расположенных близко пинов недостаточно.

 

Необходимо обеспечить низкоимпедансный путь для передвижения заряда от конденсатора, и емкости полигонов питания.

Что бы это обеспечить, необходимо снизить индуктивность линии связи - увеличить взаимную индуктивность между сегментами линии, и свести к минимуму длину сегментов с само-индукцией. Сокращая расстояние между переходными отверстиями, мы тем самым увеличиваем коэффициент связи магнитных полей, и обеспечиваем более низкий импеданс в этом сегменте линии.

Расположив переходные отверстия с одной стороны, мы тем самым получили еще одну область цепи с низким импедансом.

...

Какую то фигню написали вы, посудите сами.

1) ... низкоимпедансный путь - это непонятная абстракция, цепь то распределенная. Низкий импеданс это вы про ESR вероятно.

2) ... передвижения заряда ... . Но заряды это уже статиака, у нас таки токи текут, интересует скорость нарастания напряжения на нагрузке.

3) ... индуктивность линии связи, опять не отсюда, у нас же цепь питания.

4) ... сегменты с само-индукцией - это вообще не отсюда, прикиньте индуктивность и частоты для этих линий. Двумя - тремя порядками ошиблись.

5) ... увеличиваем коэффициент связи магнитных полей - КАКИХ ещё магнитных полей для более низкого импеданса?

...

Вывод никакой, псевдофилософия какая то, идите учите мат часть. Оксфордовские лекции в помощь.

[EvilWrecker 0]

:biggrin: Ох уж эти любители моделирования :biggrin: Но перед тем как перейти к этой теме сначала комментирование более ранних сущностей:

У каденса где-то даже были результаты моделирования данного вопроса.

Поскольку в контексте персональной физики тс комментировать это в очередной раз смысла нет, можно лишь отметить что гугление в лоб по данной тематике сразу выдает пачку документов прямо относящихся к вопросу с неплохим разбором, например 1,2,3,4,5.

 

Теперь самое интересное :laughing: - но сперва небольшая заметка персонально волкову: свои "результаты моделирования" лично мне можете как аргумент не предъявлять и соответственно не тратить на это время- как вы занимаетесь моделированием я уже в соседних ветках насмотрелся сполна :biggrin: Всерьез воспринимать вас в данной области, особенно после многочисленных инсинуаций касаемо SI/PI тематики, которые поражают воображение неподготовленного человека своим пещерным маразмом, равно как и отсутствием каких-либо вменяемых фактов- за исключением, конечно, т.н. говномоделирования . И вот вы снова пишите:

Расположенных близко пинов недостаточно.

Тут снова комплексный случай, когда с одной стороны вы не можете опознать контекст темы- именно расположение пинов спартана в таком то корпусе и связанной длины фанаутов/местом для вывода трасс(т.к. речь шла именно про них, с соответствующими оговорками), а с другой- пытаетесь максимально искаженным и абсурдным способом пересказать содержимое тех бумаг, ссылки на которых я же и привел. Дело ваше- однако, сохраняя добрые традиции :biggrin: , встречные вопросы:

Расположенных близко пинов недостаточно.

Недостаточно для чего?

Необходимо обеспечить...Что бы это обеспечить

Этот поток гуру-сознания, который состоит целиком из максимально кривого пересказа ранних постов/бумаг комментировать нет смысла- самое интересное далее

Расположив переходные отверстия с одной стороны, мы тем самым получили еще одну область цепи с низким импедансом.

Уж не хотите ли вы сказать, что приводите это "утверждение" с соответствующей картинкой(нижняя ее часть) конкретно к корпусу обсуждаемого ранее спартана?

 

Наконец, немного "о конденсаторах", в частности об их индуктивности- есть распространенное заблуждение, будто "на гигагерцах конденсаторы уже не работают". Здесь конечно многое можно сказать(особенно об авторах :laughing: ),но это будет совсем большой уход от темы- поэтому, даже не беря во внимание факт наличия многочисленных конструкций дискретных конденсаторов предназначенных для работы на десятках ГГц(там будут в описании словечки типа ultra wideband, single layer, lga matrix- посмотреть можно например у AVX, ATC и пр.) и даже крайне показательные и интересные изыскания по "обычным" конденсаторам(смотреть со стр.156, хотя сам документ отличный от начала и до конца), можно использовать подход от противного: если в хайспидных дизайнах на несколько ГГц ставили абы как абы какие конденсаторы(как примерно описал Alexandry), то просто сам факт их появления гробил бы PDN напрочь. Но почему-то это не происходит :laughing: - и раз уж местные гуру так много внимания уделяют opposite mounting( а потом ищут несусветные индуктивности) возьмем для примеру разводку под серверными камнями с OCP:

на картинке в крайне небольшом числе стоят 0402 банки на IBM power, "разведенные дорожками" :biggrin: (терминология гайдов). Предупреждая замечания по декапам на субстрате- резюме по этому посту будет в конце, пока идет просто разговор о явлениях. Есть и более показательный случай:

изображен Xeon, в котором используя "терминологию гайда" сделано и via sharing, и end pin connection(vs. side connection), и виа чето не так много как некоторые могут ожидать, и сами банки аж 0805- все не "по гайду".

 

Дело конечно же в том, что гуру электроникса как обычно не в состоянии понять 3 вещи:

- условия под которые писался гайд

- границы применимости и как они получаются

- реальную жизнь :biggrin:

что ярко демонстрируется и в этой и во многих других темах. Есть хорошее высказывание на этот счет- "живем в стране советов, все любят друг другу советы давать". Здесь конечно мне стоит сделать шаг назад, т.к. по сравнению с тем же хабром такого потока радиомакак нету: припоминаю там тему в хабе электроники, где мужик относительно недавно написал ряд "правил для новичков", и в комменты быстро набежала местная "элита хардвара" :biggrin:

 

Ну и немного за PI "в ВЧ"- как известно, область RF примечательна переходом от lumped elements к distributed elements в той или иной степени, соответственно здесь наиболее ярко проявляются недостатки подхода "анализ одной банки" VS "анализ PDN"- особенно если рассматривается не здоровенная лопата типа сервера, а супер упаковка- в которой как раз используют и реверсированные банки, и 3х выводные(обе очень сильно влияют на PDN impedance), и конечно embedded capacitance. При этом имеются в виду не встроенные 0201,0402 и пр, а именно настоящая распределенная емкость, например это. Про то как это работает и почему можно почитать здесь(1,2,3)- при этом нужно отметить, что сама техника закладки большого Dk между землей и питанием не является чем то сверхъестественным, однако числа получаются очень хорошими, например:

Поэтому и на гигагерцах есть жизнь, притом вполне себе уверенная :laughing: Местами- с обычными банками.