Перейти к содержанию
    

НЕХ

Участник
  • Постов

    1 577
  • Зарегистрирован

  • Посещение

  • Победитель дней

    1

Весь контент НЕХ


  1. Может быть автору темы хватит двух быстрых диодов на PGND и VLLC_bus ? Надо всё таки выяснить как помеха сбивает контроллер - через ёмкость оптрона или разделительного трансформатора ? Резкое изменение частоты - насыщение магнитопровода трансформатора ? При 10 Вольт на затворе силового ключа сопротивление растёт в 2 раза(( Какова индуктивность L45 ?
  2. Вы цепи стабилитронов своих подключили к обоим обмоткам выходным трансформатора. Поэтому ограничение стало 8 Вольт. Картинка с драйвера опять запорота - верх срезан. Я имею ввиду верхний ключ внутри драйвера контроллера.
  3. С вашим самодельным драйвером с первой страницы бардак - на затворе должно быть +15 в открытом состоянии. А схема ограничивает до 8 стабилитроном и несимметрична. Не сочиняйте - есть картинки с подобными трансформаторными драйверами GDT. До кучи - хочется взглянуть на второй выход контроллера тоже. В тот же момент. Ведь верхний ключ слабее))
  4. В формирователе отрицательного напряжения обычно стабилитрон, зашунтированный конденсатором большой емкости. Важно не нагружать излишне драйвер зря.
  5. Это не так просто, к сожалению. Теперь интересен не затвор, а выход контроллера. Сток можно рядом со щупом держать через воздух - он нужен только для синхронизации.
  6. Картинка терпимая. Если в затворе на включение будет 30 Ом с диодом, ничего не изменится - драйвер режет скорость. Нельзя на затвор более -4. Теперь надо смотреть, что происходит непосредственно на выходе драйвера контроллера при спаде/фронте на стоке из-за межобмоточной емкости разделительного трансформатора.
  7. Всё с нижним ключом - затвор и сток. И около 0. Видимо выход контроллера столь слаб, что ключи переключаются так долго.
  8. Надо увидеть, что происходит на затворе при росте напряжения на стоке. И чтобы 0 Вольт был не за краем экрана. И это при 3.3 Омах на включении ?
  9. Это включение транзистора, а интересует, что происходит, когда он выключен. Но уже видно, что включение плавное - каков резистор в затворе ?
  10. Регион 3 потенциально опасен. 1 вольт в клетке, 10 нс в клетке. Смотрим на маленький всплеск на затворе при открытии оппозитного ключа. Включение мосфет неинтересно. Пичок превышает пороговые 1.8 Вольт ?
  11. Картинки снова ужасны, приблизьте, пожалуйста. Отдельно фронт, отдельно спад с моментом включения противоположного ключа. Ниже резонансной частоты простые мосфеты горят обычно))
  12. dV/dt при ёмкостном характере нагрузки полумоста совсем другое...
  13. Картинки затвор-исток не информативны в режиме ZVS. Что там будет без нагрузки полумоста на трансформатор ? Минимальная частота управляющего контроллера точно выше резонансной LLC ?
  14. У инфинеоновских пороговое напряжение выше, они без отрицательного справятся. Просто не надо резко открывать - ставьте 100 Ом и наблюдайте
  15. Не уголёк, но и не транзистор уже... 3906 или 2907 будет лучше Может P-mosfet вместо 858-го ? Если оппозитный ключ резко открывается, то через ёмкость сток-затвор наводится напряжение до порогового и происходит сквознячок. Надо включить полумост без выходного трансформатора, будет сильно греться, значит сквозит. Вот бы увидеть осциллограмму этого затворного напряжения. Выходной драйвер контроллера не блещет силой - надо посмотреть, что там происходит без нагрузки полумоста через ёмкость разделительного трансформатора.
  16. 'If a gate drive transformer is used then GD1 should be used to drive the high-side MOSFET and GD2 used to drive the low-side MOSFET" - это условие соблюдено ? "The gate-drive transformer used to directly drive the LLC power MOSFETs should have a low common-mode capacitance. " - в спецификации на трансформатор ёмкость не приведена... ВС858 не работает на токе более 100 мА LLC топологии не требуется резко включать ключи из-за ZVS У MOSFET внутреннее сопротивление затвора 13 Ом. Тут в пору думать об отрицательном смещении затвора, а не 3.3 Ома в цепи))
  17. С таким драйвером затвора сквозняк будет происходить всегда при заходе близко/ниже резонансной частоты
  18. Межобмоточная ёмкость разделительного трансформатора затворов. 3R3 и BC858 - не лучший выбор. Резистор бы поставил на порядок больше, транзистор подобный BISS
  19. Подобный композитный усилитель успешно использую - Ускоритель усилителя / boosted transimpedance amplifier на ixbt.photo: http://ixbt.photo/photo/358797/30781Lv6MstoAez/1328879.jpg Полосу усиления таким образом можно значительно расширить - Composite amplifier E-pHEMT + RGC + OPA656 на ixbt.photo: http://ixbt.photo/photo/358797/30781Lv6MstoAez/1339025.jpg Сейчас схемку развил - получилась "матрёшка" быстродействующая. Непосредственно с выхода ора140 в режиме интегратора наблюдаю скорость изменения выходного напряжения 300V/mks Вопрос - а зачем автору в его схеме диоды и резистор на 10к ?
  20. LM5110 может подавать -5V на выход. Положительное напряжение на затворе от +3.5V до +10 EL7154, EL7155
  21. Небывальщина. Вот при источнике с дробовым шумом (фотодиод, например) - больше света = больше шума. Но отношение сигнал/шум улучшается
  22. Работы навалится... Не разгрести. Настоящее импортозамещение))
×
×
  • Создать...