НЕХ

Gregory, фактически ваш пьезоэлемент двойной, как на первой схеме ?

Как мы сразу не сообразили в чём было дело)) ? Это же классика жанра. Мы должны были раньше понять, откуда дует ветер. Пьезокерамика и фотодиоды, какая разница - подход одинаковый, только в постоянном токе различия. Gregory, вот вы же можете утолить любопытство наблюдающих. Взяли да провели тесты. Стали бы знаменитостью, все б ссылались на ваши опыты. Всего то надо опустить в жидкий азот mmbta14/64, bc847/857/3904/3906, bfp640/650/740, 2n7002/bss84p, bfu910f)) Всего то надо знать примерную оценку базового тока/порогового напряжения при фиксированном токе коллектора/стока. Электроника - красивая дисциплина. Логика и гармония. Вход - база. Коллектор соединён с базой следующего, а эмиттер с коллектором, он же выход. White, 1943 год И оно будет работать на SiGe транзисторах в малосигнальном режиме. Ибо Дарлингтон))

Цель этого понятна - экранирование входа повторителя. Любая неучтённая емкость его на корпус поменяет коэффициент преобразования заряда.

Такой вариант уже предлагался. Лучше обойтись без новых непредсказуемых сущностей LT1009, TL431 Правильнее питать JFET отдельным генератором тока, что позволяет увеличить номинал нагрузочного резистора для большего усиления и снизит шум, привносимые током базы каскодного каскада. Хотя, погляжу, о шумах на картинках никто не заботится (особенная жесть на последней, рекомендованной) Соберите правильно вашу же схему, заменив JFET на bss84p и переподключив второй электрод керамики с земли на выход. Плохой из меня педагог, терпения не хватает))

Вы ошибаетесь. Мы сейчас говорим о схеме, изображенной внизу 4 страницы, а не то поделие с 2 крупными ошибками с первого листа. Тогда уж пытайтесь на OPA 827, он с входным каскадом на jfet Вы понимаете, что это одно и тоже ? Только инвертированное))

Пьезокерамика теперь "закорочена" повторителем. Напряжение на ней не меняется. Заряды перетекают в С2 ( в инвертирующей схеме это был бы конденсатор обратной связи) Это тоже зарядочувствительный усилитель. При положительном питании его можно построить только на р-канальном mosfet.

На порядок простой биполяр, а Дарлингтон на два)) Да, Plain, Вы детектив. Действительно схема с первой страницы от повторителя на р-канальном MOSFET. И становится понятным предназначение С3 - бутстреп, поднимающий величину высокоомного резистора, расширяющее НЧ. А С2, несколько пФ, задаёт коэффициент передачи заряда в Вольты. Просто в схеме была вторая ошибка - пьезоэлемент должен был быть подключен не на землю, а на выход. Блестяще потрудились ! Я тоже молодец, ваш патент не видел ранее, схема самописная)) С4 - теперь вредный лишний элемент.

Вот поэтому и просится один SiGe HBT для пущего усиления. У него на таком минусе будет больше 1000. Каскодом включать придётся для высоковольтности. На графиках коэффициента передачи производителя diodes при -50 ничего не предвещало беды)) Ядерщики пишут, что ОУ в пластике, выполненные по SiGe процессу, не теряют способностей на холодке. В частности, opa211

Из повторителя тоже можно попробовать сделать усилитель заряда. Не знаю, как поведёт себя р-канальный MOSFET на морозе, но только этот тип проводимости применим, как имеющий меньшие фликкер шумы. Биполярные транзисторы могут быть составными mmbta14/64. Конденсатор определит чувствительность.

Для справки - ёмкость между изолированными частями tda51s (приёмопередатчик и DCDC) = 3.5 пФ

Минус там на комнатной температуре. РТС, возможно, смд микропроволочная индуктивность - у меди сопротивление растёт с потеплением.

Её никто, кроме вас не использует. НИКТО. https://patents.google.com/patent/US3601712

В каждый. Повторите фильтр, нарисованный в даташите на АЦП, дважды. Хороший АЦП был ads1220, теперь надо искать альтернативу. Не нахожу у азиатских поставщиков нормальных источников опорного напряжения... Ещё на самый вход , прямо к термопарам поставить высоковольтный варисторы, вторым выводом присоединённые к корпусу неизолированной части с процессором. Чтобы в промышленных условиях не пробить изоляцию tda51s.

Даже в 1986 году знали, что нельзя соединять сток с коллектором. https://patents.google.com/patent/US4801893A/en Усилитель автора темы имеет обратную связь через R и преобразует ток с датчика в напряжение на сопротивлении, и работает в режиме зарядочувствительного усилителя через ёмкость С между электродами затвора и стока. Химера эта нравится зачинателю - ёмкость межэлектродная сильно меньше 2000 пФ и усиление "хорошее" Можно догадаться для чего -200 градусов акселерометру и нам уже показывали по телевизору, куда летят протоны с внештатно установленным акселерометром. Не вижу принципиальной разницы между схемой на первой странице и забитием молотком акселерометра в другое положение. Дело в подходе. Ну нормально же работает, чуток только косячит.

"Снимите это немедленно !" Это не схема, это позор какой-то... На входе поставьте два последовательных RC фильтра ( в каждом 2 резистора и 3 конденсатора). Потом сигма-дельта АЦП. Развязку и дсдс вам обеспечит tda51s-41hc.

На криогенных температурах на затвор bf862 уже приходится плюс подавать - https://www.google.com/url?sa=t&source=web&rct=j&url=https://arxiv.org/pdf/1102.4143&ved=2ahUKEwiA8vOpu8z_AhWQDuwKHfrKB_8QFnoECDAQAQ&usg=AOvVaw3pOjxp0zrgH-V6OtS69Woo JFET хорошо бы прогревать током до 120К. Если вторая обкладка датчика доступна, то вот вариант зарядо-чувствительного усилителя. Каков коэффициент передачи PNP транзисторов в жидком азоте - большой вопрос. Надеюсь, что больше 1)) В любом случае, схема с первой страницы с резистивной обратной связью недоразумение. Только при ёмкостной обратной связи получится классический зарядочувствительный усилитель. Ёмкость затвор-сток выполняет сейчас эту функцию, но она сильно зависит от напряжения на выходе. Обратная проводимость сток-исток 3-5 кОм. Это сопротивление будет в обратной связи коллектор-база Дарлингтона и определит усиление. Поэтому и предлагал запитать сток от батарейки временно. Судя по графику 13 в пдф bf861, при более 5 вольт на стоке начинаются негативные процессы, приводящие к росту тока затвора. Может это не спад на НЧ, а неоправданный рост усиления ВЧ из-за непредсказуемой обратной связи, обусловленной только внутренними свойствами полупроводников))

Это часто практикуемая схемотехника при параллельном соединении ключей для борьбы с возбуждением.

Запитайте сток jfet от батареи или стабилизированного источника 3-5 Вольт и посмотрите на результат. В вашей "схеме" усиление абы какое, ограниченное проводимостью канала.

Коэффициент усиления ДОЛЖЕН быть стабилизирован ! Если ток затвора не 0, то может возбуждён усилитель на многих мегагерцах ? Ток канала в правильном режиме должен быть более 3-4 мА, а напряжение сток-затвор не превышать 5 Вольт, иначе появится ток затвора из-за ударной ионизации. На азотных температурах шум НЧ растёт почти на порядок, особенно на малых токах.

Можно сгородить, как на эскизе. Но усилитель заряда изящнее.

Ёмкость затвор-сток умножается на коэффициент усиления. Стабильность коэффициента передачи датчика устанавливает С2 ? На большом минусе температуры у jfet растёт фликкер-шум, вроде. Всего 2 варианта. Ежа с ужом не скрестить, скорее всего первый каскад bf861 работает не в режиме.

JFET плохо работают на минусе более 70. А вот HEMT GaAs и SiGe BJT показывают чудеса в улучшении характеристик при таких температурах. Если в представленный на первой картинке трансимпедансный усилитель поставить малый конденсатор между выходом и затвором (удалив С2) - получится зарядовый усилитель.

Это трансимпедансный усилитель.

Схема подобна инвертирующему усилителю с резистором обратной связи 47М*(1М/5,1К) = 9ГОм С2 параллельно источнику сигнала, он чем меньше, тем лучше. Избавляет от RF помех, вероятно. Художники нарисовали затвор около стока, а не по середине или напротив истока. Биполярный транзистор - дарлингтон.

На сайте xdevs.com когда-то препарировали усилитель фирмы Femto. Но другой серии.