НЕХ

Да, R1 yвеличить до 1кОм. DB3 нарисовать симметричным)) На натурных испытаниях подобрать значение ёмкости воизбежании резонансов и задержек чрезмерных.

Форсирующие RC это не то... Рост тока УА должен быть стремительным, сразу и много. Иначе локальный перегрев кристалла и тепловой пробой в малой области. Сладкая парочка - динистор(диак) и тиристор - обеспечивает разряд ёмкости в УЭ. Можно поставить один DB3, увеличить R1, зашунтировать его небольшой ёмкостью, поставить пару обратных диодов на УЭ тиристоров. Пока напряжение не достигнет 30 Вольт на R1, схема молчит. Достигло - диак открылся и разрядил ёмкость в УЭ тиристора. https://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-application-note-thyristor-triggering-and-protection-of-diodes-and-thyristors-en-2018-11-19-rev-02.pdf

Да, токи циркулируют именно так. При отрицательном напряжении на УЭ переход ведёт себя как обычный стабилитрон на 9 Вольт. Измерил на ВТ152. Когда на УЭ отрицательный выброс он остаётся закрытым - в это время открывается оппозитный тиристор. Плохо это всё по 2 причинам. Биполярный транзисторы деградируют от такой вольности - уменьшается усиление по току. Второе - большая часть тока управляющей катушки вместо УЭ течёт через R1. Тиристорам смерть, если ток УЭ мал! Лучше придумать так - при прохождении зазора растёт напряжение на управляющей катушке и R1, для помехоустойчивости ждём когда напряжение на обратносмещенном УЭ тиристора без внутреннего шунта достигнет 3- 5 вольт, затем закорачиваем его и весь ток устремляется в УЭ противоположного тиристора. Теперь через R1 ток незначительный, ведь там уже не десяток Вольт. В таких схемах надёжность определяется параметром тиристора dI/dt, лучший отечественный КУ221- стояли в развёртке старинных ТВ. Большой ток УЭ при открытии тиристора очень важен. В моем предложении с аналогом низковольтного динистора можно параллельно R1 добавить конденсатор, чтобы импульс тока был острее.

Диоды VD2 VD3 не участвуют в открытии тиристоров, они заперты.

Такого не предлагали! Нужный тиристор открывается втекающим прямым током, а его прохождение происходит благодаря проводимости управляющего перехода оппозитного тиристора в обратном направлении. Но если у автора конструкция в руках можно снять осциллограммку напряжения на УЭ и не гадать. Заодно проверить, умощняют ли искру диоды, установленные параллельно тиристорам. Забавно, что недавно придумал схему управления емкостным снаббером для силовых мостов/полумостов с ШИМ - и катушка также стоит, и пара тиристоров угадывается)) Только управление ими идёт по цепи катода и пара IGBT присутствует. Недавно ремонтировал сервопривод с питанием 380. Там входной выпрямитель на тиристорно-диодных модулях IXYS. Горело хорошо - дорожки от управляющих электродов испарились от тока как раз обратного направления, дуга к - 500 Вольтам стремилась. Но на удивление тиристоры исправны и БП ожил.

Симисторы при советской власти были в диковинку. У меня нашёлся ВТ152, но в нём шунтирующий резистор - не могу проверить пробой. Получается, что благодаря пробою был защитный интервал напряжений на L3 R1, до которого тиристор не отпирался.

Прочитайте внимательно про 4квадрантные симисторы и их токи управления. Вытекающий ток управляющего электрода = оптимальное управление.

Это неверное утверждение.

Так бы работало на симисторах)), Vasily_

Под рукой нет тиристора без зашунтированного перехода... Предполагаю обратимый пробой, наподобие пробоя эмиттерного перехода биполярного транзистора. Напряжение около 7 Вольт.

Тогда видится такая картина - Заряд С1 проходит по цепи VD5, L1, L2, R2. Диоды VD2 и VD3 блокируют в это время возможность открытия при накопления энергии. После цикла зарядки ток катушек течёт через VD4, R2, диоды VD2 VD3 закрыты. В тиристорах управляющий переход зашунтирован часто резистором в 50-300 Ом. Ток управления может течь сквозь него. Но лучше поставить параллельно небольшой диод.

В реальном магнето диоды VD2 VD3 стоят в ту же сторону, как изображено на схеме? Нет ли ошибки на картинке... По опыту многолетнего чтения РDF - не существует документа без ошибки или опечатки))

Резистор согласующий на выходе ОУ съедает свою половину.

Трансформатор стоит правильно. 200 Ом для согласования волнового сопротивления. Небольшая ошибка в 200%))

http://www.ko4bb.com/getsimple/index.php?id=isolation-amplifiers

Отрицательное выходное напряжение наверху схемы формирует преобразователь по схеме Чака(Кука) Сдвоенные дросселя позволяют уменьшить или даже исключить при определённых условиях пульсации входного или выходного тока.

А как согласовывать логический элемент с 50 Ом на входе ? Синусоиду на выходе логики будет не узнать)) Кто-нибудь может посмотреть анализатором цепей, что из себя представляет смещенный в линейный режим небуферированный инвертор - каково последовательное сопротивление и стоящая за ней ёмкость Миллера? Может стоит подобрать простой gain block вместо инвертора ?

Проблема при использовании ОУ в 50-омном тракте - согласование приходится делать с потерями. В RF MMIC широкополосное согласование возможно noiseless. Коэффициент шума возможен гораздо лучше, смотрите на документ LMH6629. Но если использовать трансформатор или LC на входе ОУ можно добиться большего.

Разве у вас короткие по нынешним временам ? http://hvpe.cau.ac.kr/wp-content/uploads/2017/02/Current-loop-Gate-Driving-Circuit-for-Solid-state-Marx-Modulator-with-Fast-rising-Nanosecond-Pulses.pdf

Искусства ради)) Транзистор превращает входной каскад усилителя с токовой обратной связью в регулируемый каскод (RGC) По теме - полно интегральных усилителей ВЧ с гораздо меньшим шумом, чем ОУ. Но потребление тока будет приличным.

Та схема не про шумы... А в новой выше вместо конденсатора на входе поставить широкополосный трансформатор 1:1

CFA в инвертирующем включении с коэффиентом усиления 20 (многовато немножко) А кто-нибудь пробовал усиливать как на моей картинке? Композитный усилитель с дополнительным каскадом на SiGe транзисторе, подддерживающем неизменным напряжение на инвертирующем входе. Эти транзисторы прекрасно работают при равенстве потенциалов базы и коллектора. В цепи базы поставить бид на 5-10 Ом.

У КМОП инвертора в линейной области скачок входной ёмкости из-за эффекта Миллера в момент переключения. И резистор защитный на входе. Лучше усилить маленьким CFA усилителем сначала.

Если нет материальных ограничений, можно попробовать HEMT https://gansystems.com/wp-content/uploads/2020/09/GN004-Design-Considerations-of-Paralleled-GaN-HEMTs_200910.pdf 10 Ампер при 20 Вольт гарантируют на DC у GS61008

Infineon производит mosfet, адаптированные для линейной работы https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/12v-300v-n-channel-power-mosfet/ipb048n15n5lf/