rloc

Это тот квадратик, который закрывает мост? Похоже кто-то не очень хочет, чтобы любопытные глаза его увидели ) Статейка про построение моста без ферритового балуна, с отсылкой к E5071C: A New Active Balun Reflectometer Concept for DC to Microwave VNA Applications

Все правильно, в жидком азоте, надеюсь помните когда обсуждали ) Для СВЧ порядка ft=90ГГц важно иметь супербетта на НЧ, чтобы на высоких частотах хоть что-то осталось. Мне кажется, показано крайнее положение.

Да. Шумы намного хуже по причине работы схемы преимущественно в линейном режиме, против схемы на одном bjt с ОБ с глубокой отсечкой (скважность тока до 10), где транзистор большую часть времени выключен и не нагружает добротность. IMWS-AMP.2019.8880135.pdf

У маломощных транзисторов с Ft ~ 30ГГц и выше не встречал металлических корпусов - это лишняя емкость, как и любой другой корпус. Вопрос только зачем? У транзисторов типа BFR840L3/BFR843EL3 корпус 1x0.6мм против 0.4x0.4мм у бескорпусного, не шибко больше, и выводы жесткие, легко бонды приваривать. Могу привести статью, где студенты из малазийского университета при поддержке завода Keysight сделали ЖИГ на 20ГГц по планарной технологии на BFU910F, а там корпус немного более. 15dBm с одного транзистора снимают. До 20ГГц можно и без гибридной технологии обойтись. Вся прелесть с ОБ - работа с низким сопротивлением эмиттера и соответственно с низким эквивалентным сопротивлением резонатора, влияние паразитных емкостей меньше.

С таким током он 100% станет неисправным, даже если был рабочим. Замерьте пожалуйста сопротивления шунта и сопротивление фильтра по +15В в предполагаемой схеме выше. Хотя, если следовать логике, они должны быть низкоомными, (15-14)/0.027 = 37 Ом, вся мощность падала на транзисторе. Самый странный момент в этой схеме. Где защита от "дурака"? Или все же там не +15В должно быть?

Может мы о разных вещах говорим, на мой взгляд мощность есть чем раскачать: Для MMIC скорее всего питание около 5В. Если PHEMT, то без проблем около 22дБм при 5В в линейном режиме, если HBT Дарлингтон, то те же 22дБм от 5В в нелинейном режиме (выше P1dB).

Зачем от генераторного каскада требовать мощность? Транзистору некуда тепло отводить, да и сфера мне кажется большие мощности не потянет. Последующий буфер должен разогнать мощность, но там похоже свое питание.

Сам себя дискредитирует и выставляет в худшем свете. Самый лучший способ борьбы - игнорировать. Жаль, многие поддаются на провокации, взгляните сколько ответов.

Соединил схему генератора со схемой термостабилизации: Перерисовал с некоторыми изменениями/дополнениями, поскольку есть сомнения в правильности срисовки автором разборки. Некоторый диссонанс вызывает питание +15В. На месте DIE должен быть bjt вроде LPT16ED с традиционным питанием порядка 3-4В и рабочим током около 20мА. Значит избыток напряжения нужно рассеивать на шунте и пассивном фильтре и греть атмосферу. Может транзистор сгорел, что кто-то неосторожно крутанул Rx? Логичнее и безопаснее было запитать от 5-7В.

Мертвеца бы восстановить, а не за шумы бороться.

Идеализированная модель, но по которой в дальнейшем сделана рабочая схема на 2.5ГГц: Я бы назвал схему с ОБ - VCO стабилизированный резонатором YIG.

Есть емкость эмиттера, достаточно большая. Вы наверное помните тему про FSL6 с плюшевыми мишками, там много фоток октавных VCO с индуктивностью в эмиттере и исчезающе малой емкостью варикапа на верхней границе диапазона. Автор замерил напряжение в базе - 0.5В. Вторая схема - для пассивной термостабилизации, когда в базе делают скажем 5В, а вы приводили куски активной с шунтом. Нестыковочка.

В схеме с ОБ сфера не нужна, будет генерить с индуктивностью 1нГн. Ток в базе должен быть много меньше 3мА. По НЧ у СВЧ транзисторов h21 не менее 150, иногда бывает супербетта под 16000 (не составной прошу обратить внимание). Конечно, напряжение на коллекторе в рабочем режиме должно быть 2-4В, не более.

Похоже биполярный сгорел. Не может быть в коллекторе 14В при 27мА, тогда сейчас должно рассеиваться около 0.37Вт. Просто сгорит, при размерах порядка 15x15mil. Снимите питание и прозвоните переходы БЭ и БК в двух направлениях. Как вообще там может быть 14В? Больше 4В для СВЧ транзисторов опасно. Должен быть ограничитель. Хорошо тепловизором глянуть. Как определили исправность буфера? Какое напряжение в истоке (если Jfet)?

Силовую часть потом можно проверить. Сейчас нужно убедиться, что есть генерация, она без магнитного поля должна быть, теоретически даже без сферы. Набросал приблизительную/упрощенную схему, может и не так: Буферный каскад, мне кажется, не MMIC, а FET, причем с ОЗ, что было бы более правильно для развязки и полосы.

Прежде чем ковырять, замерили бы напряжения в ключевых точках, потом поздно будет. Первый - транзистор точно, дальше может и MMIC. Разрешение низкое.

Понятно, что схема не имеет отношения к фото. PNP? Когда они были высокочастотными?

Это схема драйвера обмоток. Конденсатор не может быть в цепи ООС.

На 90% с BJT по схеме с ОБ, как делается большинство широкополосных ГУНов. Отличия скорее всего в температурной стабилизации рабочей точки и до 6ГГц может быть каскод для изоляции от нагрузки. https://www.sjsu.edu/people/raymond.kwok/docs/project172/EE172_YIG_oscillator.pdf Найти бы его еще. Сейчас можно попробовать заменить на BFR840L3/BFR843EL3

Мне понравилась концепция кита Minicircuits UVNA-63 , собранного на базе одной микросхемы трансивера фирмы Vayyar (VYYR2401-A3), очень похожей на знакомый всем чип - AD9361. Цена не маленькая, порядка 3500$ за известный бренд. И продолжение этой концепции в законченном приборе - eVNA-63+ , где как думаю применены 2 подобных трансивера для развязки между портами >80дБ. Идея далеко не новая, но учитывая "бросовую" цену за AD9361 на вторичном рынке, вполне реализуемая умелыми руками в бюджете 100$+.

Если заявленные 10дБм мощности без аттенюатора подают на смеситель, то может и нормальная цена. Кто кроме Marki делает смесители от 30кГц до 26ГГц с высоким ДД?

На мой взгляд, далеко не самый лучший вариант, даже для бюджетных проектов, любые балуны подобного типа. Они работают больше как четвертьволновые трансформаторы, феррит не охватывает обмотки по всей окружности на 360гр, поэтому на длине полуволны и кратных частотах будут провалы. Дешевле поставить жесткий коаксиал с парой ферритовых трубок 10K из раздела EMI-поглотителей. Многослойка используется. Тут как раз много вопросов к топологии LiteVNA, где они переходят на внутренние слои. Не вижу просчитанного количества земляных виа вокруг сигнального. Просто наобум поставили, по интуиции. Больше всего экраны вызывают возмущение. Нельзя на клипсах ставить, с щелями, "дует" через них. Либо целиком припаивать, либо через проводящую резину уплотнять. По LibreVNA была дискуссия на эту тему, к правильным выводам пришли в итоге. На досуге пришла интересная идея. В качестве усилителей-ограничителей с ровной полкой мощности до 20ГГц можно использовать драйверы лазеров от QSFP28, жаль документацию на них сложно найти. Работают в ключевом режиме, потребление низкое и приличный размах мощности. Идеально подошли бы для раскачки мощности для обычных диодных смесителей.

Просто для знакомства прикладываю скан LiteVNA v0.3.1: На обратной стороне ничего нет, LCD плотно прилегает на двустороннем скотче. Мост должен быть похож (возможно чуть другие номиналы), как в nanoVNA V2: ] Смеситель должен быть AD8342 (по документации до 3.8ГГц), ключи с маркировкой "5" - FM3585. Больше как наглядный пример, почему выше 3ГГц резко ухудшаются параметры, а сам мост уже имеет резонансы в районе 8-9ГГц.

Сорри, невнимателен.

Осмелюсь предположить - для оценки градиента температуры, чтобы точнее определить/вычислить температуру кончика жала. По всей видимости актуально для тонких жал с высоким термосопротивлением. Что за станция?