Перейти к содержанию
    

rloc

Модератор
  • Постов

    3 197
  • Зарегистрирован

  • Победитель дней

    12

Весь контент rloc


  1. GaN HEMT знаю, MESFET не видел. Даже не вдаваясь в техпроцесс, при работе транзистора от 28В с уровнем сигнала близким к компрессии, напряжение на стоке проходит в том числе диапазон 0-5В, сохраняя линейность.
  2. Сопротивление не растет, емкость увеличивается, но не более обратносмещенного диода. Говорю вам как человек, моделировавший GaN техпроцесс для французской фабрики OMMIC (сейчас MACOM) на основе родного PDK. GaN имеет меньше емкости затвора и стока относительно GaAs при сравнимой крутизне, поэтому предпочтительнее для любых напряжений и применений. По этой причине и из-за грязного производства, выпуск GaAs пластин будет прекращен на всех фабриках, рано или поздно, в том числе в Томске.
  3. Все транзисторы на высокие напряжения можно использовать на 3.7-5В. По току подбирать, где-то 400-800mA. Нашел у себя старые записи BPSK 4Mb/s 4kW Class-C: Паразитная АМ сглаживается в один уровень и на качестве демодуляции никак не сказывается. Перескок фазы делал плавный, 80нс. Спектр расширяется, но потом есть BPF. Это еще на старых биполярных Integra. Похожи на усилители от CATV на 75Ом.
  4. Просто не смотрел. Мощные транзисторы строятся по принципу сложения, очевидно линейность еще зависит от внутренней структуры. Противофазно (тяни-толкай), в этом и заключается преимущество, в значительном снижении четных гармоник. А вот в Доэрти должны синфазно работать, один транзистор в классе-AB с ограничением (выше точки компрессии, высокий КПД), второй - с отсечкой в классе-C, сразу за порогом ограничения первого. NXP по Доэрти много работали, раньше выпускали готовые паллеты, а сейчас вижу и во внутрь кристалла поместили, правда диапазоны все повыше 450МГц. В SKY65116 мне кажется применен трансформатор по выходу. Но сняли с производства. GaN прекрасно работают от любого напряжения, а с 50В используют потому, что материал позволяет, чтобы не трансформировать сопротивление, или с меньшим коэффициентом, полосу шире сделать.
  5. Есть схема построения УМ, называется Doherty. В разы сложнее Push-Pull, но не количеством элементов. Да, любые полевики линейней биполярных без ОС. Но полевым надо сразу рабочий ток задавать, и усиление падает с ростом тока.
  6. Компоненты MLIN, MTEE, MSTEP и добавить MSUB на схему. Первый шаг - широкополосное согласование, пусть S21 будет не 20дБ, а 17дБ. Дальше считать в статике с элементами, указанными выше. Уже достаточно точно для 450МГц. Потом - в динамике, ЭМ-анализ, но с дискретными элементами в статике. На каждый дискретный элемент назначить порты. В качестве примера хорошо посмотреть, как FilterSolution экспортирует схему с топологией в AWR. Примерно так: https://youtu.be/n6AiytD3sHQ
  7. У меня подход такой: рисую слева и справа сложные RLC цепи, которые в себе содержат все возможные комбинации согласований (последовательные/параллельные, Pi/T), задаю пределы изменения и запускаю на оптимизацию по минимуму S11/S22 + максимум S21. Элементы, номиналы которых улетают в 0 или максимум, потом удаляю. Вот и вся оптимизация.
  8. Для одного транзистора не получится, проверьте на AH312.
  9. Как ни странно, расти с частотой: Так сам производитель рекомендует, но на частоте 900МГц:
  10. Низкая изоляция входа и выхода, S12. Обычная ситуация для одиночных транзисторов. Исправляют либо добавлением 2-го каскада, либо применением каскодной схемы. Если нечем изолировать, то иногда приходится идти на жертвы в виде дополнительных потерь: На выходе можно использовать трансформатор 1:16 (1:4 по напряжению) для частот около 450МГц, S22 станет шире.
  11. Что значит 1W на 50 Ом - это амплитуда 10В или 20В P-P. Чтобы на одном усилителе получить 35dBm (почти 2W) при 9В, по выходу должна быть трансформация сопротивления 1:4 (по напряжению в 2 раза). А вы хотите с 3.7В больше Ватта выжать. Значит нужен усилок с 3 Ом по выходу и трансформировать 1:16. А большой коэфф. трансформации - узкая полоса. И не надо писать про свою узкую полосу, речь про повторяемость и отсутствие подстроек. Паразитная АМ при фазовой модуляции - нормальный процесс. АМ хорошо срезается усилителем класса-С, мы как раз работаем с BPSK (максимум АМ) и подобным усилителем, но на 4kW. Величина паразитной АМ напрямую зависит от ширины полосы, если влезет до 5-ой гармоники битовой скорости, то можно пренебречь побочными эффектами.
  12. Немного ниже почитайте, где ток 400мА. Напряжение особой роли не играет, если предоставлен "голый" транзистор. Можно и на 28В взять исходя из рабочего тока. GaN должны работать еще лучше, при сопоставимой крутизне (усилении). В спящий режим можно переводить напряжением затвора в 0 (условно, 28мА).
  13. Относительно центральной частоты полоса узкая. Для того, чтобы подобрать усилитель не нужно копаться на Digikey. Принцип подбора простой. Скорее всего должен быть E-pHEMT, если про линейность, на ток до 300-500мА, и желательно с прямым доступом к затвору, чтобы подбирать ток стока, выходную мощность. Навскидку подходит Minicircuits TAV2-501+. Вход будет емкостной, но близкий к 50Ом, поэтому проще согласовать LC-цепями без сужения полосы. Выход очевидно будет близок к активному сопротивлению, но низкому, порядка 10-15 Ом. Его лучше преобразовать трансформатором 1:4, чтобы не сужать полосу согласования. Возможно Anaren T0727J5012AHF 12.5:50 дотянет вниз по полосе. Если в одиночном включении не хватит линейности, то собрать в Push-Pull. Как минимум, усилитель будет более гибким по выбору выходной мощности, линейности и полосы. PSK - это не фазовая модуляция? Жуть. Среди прочего было предложение сократить потребление за счет перехода в нелинейный режим, а полосу формировать фильтром. Просто потому, что не вижу амплитудной модуляции, или чего недосмотрел за уоки-токи? Про пиковую мощность?
  14. Начинал с нее, до присоединения к Keysight. AWR удобнее и функциональнее, квазистатических моделей - на любой вкус и цвет, помимо Modelithics где на основе измерений Sхх (последовательная/параллельная схема) построены аналитические модели, что для оптимизации быстрее. Без Ванги вижу боль и страдания. Его узкополосность наводит на мысли о нелинейных свойствах. Для FM/PM линейность не нужна, а на потреблении сэкономить можно. ФНЧ в любом случае по выходу нужен.
  15. В этой программе есть оптимизация? Сделайте согласование в широкой полосе, хотя бы 20%, чтобы не подстраивать и иметь допуск на разброс параметров.
  16. Мы в ТЗ прописываем не хуже -70дБ, не помню на основании какого ГОСТа.
  17. Между обмотками, как длинной линии, витой пары. Речь конечно о намотке сложенными вместе проводами (витыми), не внавал. Похоже измеряли импедансметром, по аналогии с Common Mode Choke, надо почитать про Zd. А по внешнему виду балун не должен отличаться от ATB2012. Фильтр просто необходим, чтобы не засорять эфир гармониками. Если тракт линейный, то хорошо гармоники сразу задавить, чтобы не тянуть через весь тракт.
  18. Zc (Common) - это модуль комплексного сопротивления, измеренный как для индуктивности, для одной линии из пары. Zd (Differential) по идее должно отражать волновое сопротивление, но почему оно меняется - не понятно.
  19. Ни о чем ваши измерения не говорят. На 500МГц выход у микросхемы - чистый меандр (нелинейный). Сильно нелинейные сигналы фильтруют сразу, не отходя от "кассы" (рядом с выходом). Напрашивается LC-балун с резонансными свойствами. И потери меньше будут. FR4 HighTG 170
  20. На СВЧ нет токовых или по напряжению балунов, это устаревшие названия. Есть импеданс балуна по входу и выходу. Не работает феррит на высоких частотах, как сердечник с действительной частью мю, скорее мнимая часть многократно больше (потери). В узкой полосе? Сделайте согласование в широкой. Но скорее не получиться ни в одном из вариантов. Производитель упростил выходную часть, в угоду низкого потребления при маленькой мощности. Иначе структура должна была похожа на step-аттенюатор + усилитель класса-А. Если делать двухслойку, то брать толщину 0.2мм при ваших ширинах полосков. Думаете высота переходных, где стоят блокировочные конденсаторы по питанию не влияет на работу чипа и в частности на импеданс выхода?
  21. Производитель нигде не пишет про согласованность выхода. Судя по описанию выход токовый, как у ЦАП, т.е. импеданс большей частью определяется нагрузкой, и то на низких частотах. От типа балуна мало что зависит. Плата 2-х слойная? Это не к вопросу согласования (хотя кто знает), а ЭМС.
  22. Если De-Embedding так влияет, то стоит задуматься о пролазе через оплетку и максимальном укорочении свободных "хвостов" для подключения к ПАВ (без распускания оплетки). Либо жесткий/полужесткий кабель нужен, либо гибкий с двойной экранировкой типа Multiflex 141 или его аналогов.
  23. По затуханию ближе к нормальной работе. Немного поэкспериментировать с входным/выходным согласованием и более качественным подключением, может без подключения корпусной земли. Не видно как разделан кабель. Если с распусканием оплетки, то плохо, нарушается волновое сопротивление. После снятия внешней изоляции лучше сразу облудить по всему периметру, надрезать кусачками в 3-4 мм и отломить. Можно поверх оплетки намотать зачищенный тонкий медный провод и вместе с ним облудить, чтобы зафиксировать диаметр. Потом уже к оплетке подпаивать одножильный провод для подсоединения к ПАВ. Возможно нужно подключение двух земель с каждой стороны. Однозначного вывода не стал бы делать.
  24. Я не вижу причин, почему в процессе изгибания должно что-то меняться, в любом варианте включения. Для симметрирования, например при переходе с коаксиального кабеля на симметричный диполь, попутно с трансформацией сопротивления. В аппноуте Qualcomm (Epcos) незначительно разносят земли, этого уже достаточно, чтобы исключить общую землю и на 10-20дБ улучшить подавление. Поэтому без феррита должно хорошо работать. Задача - убрать общий ток для входа и выхода, подавить синфазную составляющую.
×
×
  • Создать...