[ChristinaChadzynski 1]

Салют.

Тестирую сабж. Схемка:

Для проверки влияния вх. хар-к транзисторов. Справа - лабБП с ограничением на 3А, слева - просто регулируемый.
Ток баз без нагрузки (1,1-0,77)/1=0,33А
с нагрузкой, активный: (1,1-0,825)/1=0,275А
то же, инверсный: (1,1-0,686)/1=0,414А
А теперь интересное: на коллекторе активного транзистора - 0,13В
а инверсного - -0,11В! Я 3 раза перепроверил диод, менял полярность силового тока, включал-выключал - всё сходится, биполярные транзисторы умеют коммутировать большой ток в инверсном режиме, почему об этом никто не сказал?
Сами герои - санкеновские C4138 если что. 10А, 400В, 80Вт.

Без этого сама идея такого ТТР была бы провальной - диоды давали бы под 1В падение при токе в несколько ампер, а так - подика-ты.

Edited January 30, 2024 by ChristinaChadzynski

[vov4ick 41]

Это не инверсный режим. В инверсном эмиттерный переход закрыт. Когда оба перехода открыты - режим насыщения.

Общий провод внизу?

[Plain 394]

13 часов назад, ChristinaChadzynski сказал:

почему об этом никто не сказал?

Очевидно потому, что реверсный режим стандартных транзисторов тупо невыгоден, но вполне применим, если сделать транзистор симметричным, как в микросхемах аналоговых ключей, которые назывались "прерыватели", когда полевых транзисторов ещё не было, например, 101КТ1.

[ChristinaChadzynski 1]

2 hours ago, Plain said:

реверсный режим стандартных транзисторов тупо невыгоден

Офигенно выгоден, 0,11В против 0,8.

2 hours ago, Plain said:

но вполне применим, если сделать транзистор симметричным

Транзисторы уже лет 70 как несимметричны.

2 hours ago, Plain said:

как в микросхемах аналоговых ключей, которые назывались "прерыватели", когда полевых транзисторов ещё не было, например, 101КТ1.

Там внутри обычные советские транзисторы в инверсном включении. Почему так говорю - они применялись и в линейных схемах как 2 ОК.

Edited January 31, 2024 by ChristinaChadzynski

[Точка Опоры 97]

3 minutes ago, ChristinaChadzynski said:

Транзисторы уже лет 70 как несимметричны.

Изредка попадаются т.н. "muting" транзисторы с экстремально высоким обратным нпаряжением эмиттерного перехода. Вполне возможно, что они симметричны.

Но они - не силовые.

[ChristinaChadzynski 1]

12 minutes ago, Точка Опоры said:

"muting" транзисторы

Круто, ох уж эти буржуи со своими пупкогрелками с ДУ)

[injener 3]

Много лет прошло.... Как я помню из универа, инверсный режим как раз и отличался малым падением напряжения? Но расплата за это - меньший коэффициент усиления бета (типа площадь эммитера меньше коллекторной). Если есть возможность "всадить" требуемый ток базы для коммутации и обеспечить съем тепла, то почему нет? 

[ChristinaChadzynski 1]

1 hour ago, injener said:

Как я помню из универа, инверсный режим как раз и отличался малым падением напряжения?

Вроде бы - он переставал работать на больших токах. Да и не совсем это полноценный инверсный режим, мы не подаём напряжение на "симметричный" электрод, на нём всегда меньше вольта, транзистор работает как низковольтный ключ (как мосфет с обратной полярностью - отсечь ток он не может, но может шунтировать боди-диод).

К-т усиления в инверсном режиме - в районе 1..3 у всех транзисторов, а у меня - 7, причём это в режиме насыщения, в нормальной полярности такой же плюс-минус.

 

[ChristinaChadzynski 1]

Измерил h21э в линейном режиме - 7..8 в инверсном, 39 в прямом... высоковольтные транзисторы не так просты.

[niXto 7]

Вот только у биполярных транзисторов есть параметр Emitter-Base Breakdown Voltage, и он обычно не больше 6...10 В независимо от заявленного напряжения коллектор-эмиттер. Поэтому при "инверсном" напряжении выше 6 В применять биполярные транзисторы нельзя. То есть эмиттерный переход работает как низковольтный стабилитрон.

[Plain 394]

11 часов назад, niXto сказал:

при "инверсном" напряжении выше 6 В применять биполярные транзисторы нельзя

Такого здесь и не предлагают, по причине наличия обратных диодов на схеме в первом сообщении темы.

Вопрос скорее в том, что дискретные биполярные транзисторы в перспективе стремятся к исчезновению, а значит попутно и к подорожанию, поэтому коммерческая ценность у изобретений вряд ли будет.

[A.V.Avtomat 54]

3 часа назад, Plain сказал:

Вопрос скорее в том, что дискретные биполярные транзисторы в перспективе стремятся к исчезновению, а значит попутно и к подорожанию, поэтому коммерческая ценность у изобретений вряд ли будет.

Ну вот тут я сильно сомневаюсь, что исчезнут, в усилителях мощности звука и силовой электронике останутся, по крайней мере у нас в РФ точно.

А так да, такая мировая тенденция существует, даже в УМЗЧ им придумали замену. Но резко вытеснение не произойдёт.

[ChristinaChadzynski 1]

On 2/12/2024 at 9:20 PM, niXto said:

То есть эмиттерный переход работает как низковольтный стабилитрон.

У нас там ещё и антипараллельный диод стоит, присмотритесь, никаких стабилитронов.

Да и сдаётся мне, что пробой малыми токами порядка Iкбо там не страшен. Проверять это, конечно, нет смысла.

On 2/13/2024 at 9:24 AM, Plain said:

Вопрос скорее в том, что дискретные биполярные транзисторы в перспективе стремятся к исчезновению, а значит попутно и к подорожанию, поэтому коммерческая ценность у изобретений вряд ли будет.

Я, видимо, забыл экономическое обоснование. Мосфет с падением порядка 0,15В при 3А/500..600В стоит 3..4 доллара, mje13009 - 0,3, 10 раз отличие. А так - да, БТ были заброшены ещё 40 лет назад (а это 400 на человеческие годы), еле-еле развиваются только СВЧ мощные.