Перейти к содержанию
    

Зачем разные токи на перезаряд затвора полевого транзистора при включении и выключении?

Между выходом драйвера затвора и затвором обычно применяется R-RD цепочка, на заряд затвора - большее сопротивление, на разряд  - меньшее. Ток разряда делают больше тока заряда. Зачем?

Будет ли транзистор переключаться быстрее, чем написано в даташите, если ток ограничить на уровне, допустимом для драйвера, одним резистором с минимально-допустимым сопротивлением? То есть максимальный пиковый ток задавать максимально-допустимый, одинаковый на включение и выключение.

Вопрос не про мост, а про отдельный ключ. Сквозных токов не может быть, подгонка времён включения-выключения не требуется.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

7 hours ago, r_dot said:

Будет ли транзистор переключаться быстрее, чем написано в даташите,

😁 Не при каких условиях, если это даташит на этот транзистор

 

7 hours ago, r_dot said:

ограничить на уровне, допустимом для драйвера, одним резистором

Конечно возможно. Таких схем даже больше, чем с разнесенным вкл/выкл

  

7 hours ago, r_dot said:

Ток разряда делают больше тока заряда. Зачем?

 

7 hours ago, r_dot said:

Сквозных токов не может быть, подгонка времён включения-выключения не требуется.

Это делается чаще всего именно для "затягивания фронтов" не сколько для сквозных токов, сколько из-за всяких паразитов, да и в драйверах обычно верхний и нижний ключи разные как по быстродействию, так и по предельным токам

Изменено пользователем ded2016

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 hour ago, ded2016 said:

Ни при каких условиях, если это даташит на этот транзистор

Можете объяснить, почему?

Что мешает "рассосать" заряды затвор-исток и затвор-сток быстрее, увеличив ток в/из затвора?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

9 минут назад, r_dot сказал:

Что мешает "рассосать" заряды затвор-исток и затвор-сток быстрее, увеличив ток в/из затвора?

Ничто не мешает. В даташите прописаны условия(а иногда и схемы) при которых эти параметры измерены и контролируются на производстве. Практически, в зависимости от схемы, заряды могут рассосаться быстрее или медленнее..

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 9/14/2023 at 3:25 AM, r_dot said:

Зачем?

1) работа на индуктивность и 2) асимметричность Ugsth

On 9/14/2023 at 11:01 AM, ded2016 said:

Таких схем даже больше, чем с разнесенным вкл/выкл

Думаю, Вы забыли, что 1 резистор - это чисто для устранения паразиторв, а ток задаётся асимметричностью ВК драйвера. За исключением заведомо медленных схем.

On 9/14/2023 at 12:32 PM, HardEgor said:

Ничто не мешает. В даташите прописаны условия(а иногда и схемы) при которых эти параметры измерены и контролируются на производстве. Практически, в зависимости от схемы, заряды могут рассосаться быстрее или медленнее..

Уверены? Мне встречалось утверждение, что превышение тока затвора может привести к аварии. Но в какой аппноте - не вспомню.

Изменено пользователем ChristinaChadzynski

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

9 минут назад, ChristinaChadzynski сказал:

Уверены? Мне встречалось утверждение, что превышение тока затвора может привести к аварии. Но в какой аппноте - не вспомню.

Более критично возбуждение транзистора, а превышение тока в затвор можно и ограничить.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

3 hours ago, ChristinaChadzynski said:

превышение тока затвора может привести к аварии

Ни в одном даташите на транзисторы не встречал такого параметра - максимально-допустимого броска тока в затвор.

Зато встречал драйверы затвора с пиковым током 4-5 А (если не открывается - вот ссылка через прокси). Зачем тогда они выпускаются, если для удовлетворения параметров про времена задержки из даташитов на транзисторы, пикового тока в затвор 0,5 А более чем достаточно?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

13 минут назад, r_dot сказал:

Зачем тогда они выпускаются

Для конструкций минимальных размеров, а если монтаж ближе к объёмному, то для нейтрализации паразитов применяют в т.ч. замедления.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

51 минуту назад, r_dot сказал:

Ни в одном даташите на транзисторы не встречал такого параметра - максимально-допустимого броска тока в затвор.

Вот на 30 ампер)  https://www.littelfuse.com/products/integrated-circuits/gate-driver-ics/igbt-and-mosfet-driver-ics/low-side-gate-driver-ics/ixd_630.aspx

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 hour ago, Plain said:

Для конструкций ...

Замечание было, что нельзя превышать ток в затвор. Параметра "максимально-допустимый ток затвора" в даташитах на транзисторы нет. Чего нельзя превышать? Тот ток, который получается рассчётом по параметрам зарядов и задержек из даташита на транзистор? С чего бы это?
Вот и HardEgor того же мнения:

5 hours ago, HardEgor said:

Ничто не мешает.

 

43 minutes ago, HardEgor said:

Вот на 30 ампер

Ну, на 30 А - это скорее для управления групой запараллеленных. Хотя да, есть мощные полевики с исчезающе малым RDSON и убийственным зарядом затвора...

___________________

Итого, правильно ли я мыслю, что разумное повышение тока затвора (выше расчётного по параметрам из даташита) допустимо, временные параметры переключения можно получить лучше даже в разы (или всё-таки нельзя, в даташитах - максимально достижимые?), чем приведённые в даташите, если это не приводит к неприятностям в схеме из-за слишком крутых фронтов (большого dU/dt)?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если это что-то импульсное, работающее на индуктивную нагрузку, то включается ключ обычно на малом токе, а выключается после нарастания, при больших значениях тока. Стало быть, выключать его надо максимально быстро, чтобы снизить потери на запирание. Но не так быстро, чтобы не было лишнего звона, который обязательно расползётся по всей плате и будет виден даже на ЭМС. И не так быстро, чтобы не перегрузить выход драйвера.

А включать транзистор можно и медленно. Потери меньше, т.к. коммутируемый ток меньше. Нагрузка на драйвер меньше.

Но это только частный случай, одна из причин разделения цепи управления затвором. Их много разных, причин этих.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

9 минут назад, r_dot сказал:

повышение тока затвора (выше расчётного по параметрам из даташита) допустимо

Предельные параметры указаны в отдельных статьях паспортов, тока затвора там никогда не было.

Один из способов борьбы с паразитами — схема с общим затвором, и в ней его ток равен току нагрузки.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ра

15 часов назад, r_dot сказал:

Между выходом драйвера затвора и затвором обычно применяется R-RD цепочка, на заряд затвора - большее сопротивление, на разряд  - меньшее. Ток разряда делают больше тока заряда. Зачем?

Будет ли транзистор переключаться быстрее, чем написано в даташите, если ток ограничить на уровне, допустимом для драйвера, одним резистором с минимально-допустимым сопротивлением? То есть максимальный пиковый ток задавать максимально-допустимый, одинаковый на включение и выключение.

Вопрос не про мост, а про отдельный ключ. Сквозных токов не может быть, подгонка времён включения-выключения не требуется.

 Работать-то будет, и в очень широком диапазоне резисторов. Но греется зараза, радиатор ему подавай.  Но все хотят  без радиатора... или очень маленький....

Основные потери на переключение происходят в узком диапазоне напряжений. От порогового напряжения 

начала проводимости Vth до окончания роста/спада напряжения на стоке (полка Миллера)  Обычно Vth и Vm меньше середины питания драйвера. Ток перезаряда емкостей от плато Миллера 

включение Igon =(Vdrv -Vm)/Rg,  

на выключение  Igoff =Vm/Rg,

 Пусть питание драйвера 12 вольт. Плата Миллера 4В

тогда Igon =8/Rg,  Igoff =4/Rg,

Ток затвора на выключение при единственном резисторе в 2 раза меньше чем на включение. Соответсвенно транзистор будет в два раза медленнее выключаться. Коммутационные потери на выключение больше..

Вообще здесь это расписано для начинающих.

https://www.power-electronics.info/drv-mosfet-igbt.html

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 9/14/2023 at 4:52 PM, r_dot said:

Ни в одном даташите на транзисторы не встречал такого параметра - максимально-допустимого броска тока в затвор.

Зато встречал драйверы затвора с пиковым током 4-5 А (если не открывается - вот ссылка через прокси). Зачем тогда они выпускаются, если для удовлетворения параметров про времена задержки из даташитов на транзисторы, пикового тока в затвор 0,5 А более чем достаточно?

Я же написал - это было в аппноте. И не надо передёргивать, драверы на 5А (а бывают и на 50) - это не для тех, кому хватает и 0,5.

On 9/14/2023 at 5:55 PM, r_dot said:

Параметра "максимально-допустимый ток затвора" в даташитах на транзисторы нет.

Потому, что его превысить способен только 1 юзер из 10000, а у него уже и так есть понятие о том, что можно, а чего не стоит)

On 9/14/2023 at 5:55 PM, r_dot said:

Хотя да, есть мощные полевики с исчезающе малым RDSON и убийственным зарядом затвора...

___________________

Не Rdson, а Rg)

Quote

Итого, правильно ли я мыслю, что разумное повышение тока затвора (выше расчётного по параметрам из даташита) допустимо, временные параметры переключения можно получить лучше даже в разы (или всё-таки нельзя, в даташитах - максимально достижимые?), чем приведённые в даташите, если это не приводит к неприятностям в схеме из-за слишком крутых фронтов (большого dU/dt)?

В теории - да, но не в разы и в реальности усложнение конструкции будет неадекватно результатам. И стоит прошерстить все аппноты по этому и смежным вопросам для выяснения надёжности такого решения.

On 9/14/2023 at 5:56 PM, borodach said:

И не так быстро, чтобы не перегрузить выход драйвера.

Выход драйвера перегрузить нельзя, он же работает как резистор на КЗ) и именно этот режим используется при нормировании параметра "макс. ток". Если это не музейный драйвер с БТ на выходе. Можно сжечь сам драйвер, если при большой скорости переключения поставить большую частоту)

On 9/14/2023 at 6:47 PM, Plain said:

Один из способов борьбы с паразитами — схема с общим затвором, и в ней его ток равен току нагрузки.

Что-что-что?

On 9/14/2023 at 7:06 PM, wla said:

От порогового напряжения начала проводимости Vth

*Не от него, а от напряжения, соответствующего току стока, равному току нагрузки.

 

 

Изменено пользователем ChristinaChadzynski

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

5 hours ago, wla said:

Вообще здесь это расписано для начинающих.

https://www.power-electronics.info/drv-mosfet-igbt.html

Типичная макулатура, которой весь интернет завален. Друг у друга списывают... теоретики диванные.
Почитайте внимательно, особенно главу "Расчет параметров цепи управления MOSFET-транзисторов". Весь "рассчёт" строится на уже выбранных значениях этих самых "параметров цепи управления" - резисторов в затворе.

Ответа на вопросы "как достичь максимального быстродействия" или "как выбрать оптимальное значение резистора затвора по соотношению потери-быстродействие" там нет.

 

2 hours ago, ChristinaChadzynski said:

r_dot said: ...

Такое впечатление, что вы отвечаете даже не читая. Лишь бы что-нибудь ответить. Ну, поддержу разговор в том же стиле (хотя модератор наверное не одобрит):

2 hours ago, ChristinaChadzynski said:

1 юзер из 10000

По более точным данным, 1 юзер из 100500.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...