iliusmaster 5 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 10 часов назад, wim сказал: Не имею возражений - я сказал то же самое другими словами. Ну, давайте по кругу пойдём - какие Ваши доказательства невозможности применения этих транзисторов в линейных схемах. Без ссылок на то, что это всем известно ещё со времён Бонч-Бруевича. Доказательство в том, что современные полевые транзисторы с большой площадью кристалла и значительным числом запараллеленных структур имеют значительные проблемы с температурной нестабильностью в линейном режиме. Во времена Бонч-Бруевича таких проблем не было, да даже пару поколений структур назад эти проблемы были гораздо меньше. Linear Mode Operation and Safe Operating Diagram of Power-MOSFETs. - теория с выводами на странице 12. Про тепловое сопротивление и хороший тепловой контакт. Application Note AN-1155, MOSFETs Withstand Stress of Linear-Mode Operation(Abdus Sattar from Ixys) - тоже самое про обеспечение сверхнизкого теплового сопротивления для недопущения температурной разницы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SSerge 6 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 3 часа назад, haker_fox сказал: почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента? Одни точнее, но дольше считаются, другие попроще, но быстрее. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 31 минуту назад, iliusmaster сказал: современные полевые транзисторы с большой площадью кристалла и значительным числом запараллеленных структур имеют значительные проблемы с температурной нестабильностью в линейном режиме Нет никаких проблем, если мы не выходим за пределы ОБР. Я об этом уже 100500 раз говорил. А в ключевом режиме это что ли не так? При этом в качестве альтернативы предлагают архаичные биполярные транзисторы, у которых тоже есть участок вторичного пробоя. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
haker_fox 61 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 1 minute ago, wim said: А в ключевом режиме это что ли не так? Гм... не выходит ли так, что линейный режим - растянутый ключевой? И, выходит, в любом случае нужно просто не выходить за ОБР. 4 minutes ago, SSerge said: Одни точнее, но дольше считаются, другие попроще, но быстрее. Т.е. так вот банально просто) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 4 часа назад, haker_fox сказал: Почему нельзя иметь одну полную? Основная проблема моделей 500-го уровня - это ошибка сходимости численных методов. Только что, haker_fox сказал: в любом случае нужно просто не выходить за ОБР Да, но есть разные участки ОБР. Есть область теплового пробоя - это там, где пальчику уже горячо, но транзистор ещё работает. Умирает, но работает. И есть участок вторичного пробоя, где он умирает, даже не успев нагреться. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
haker_fox 61 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 30 minutes ago, wim said: И есть участок вторичного пробоя, где он умирает, даже не успев нагреться. К своему невежеству не знаю, как его определить графически. Не поможете?) Т.е. какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя? При проектировании своей нагрузки на IRF3205 я сделал всё, чтобы точка транзистора просто не ушла за самую "нижнюю" кривую. Спасибо) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 31 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 3 часа назад, haker_fox сказал: почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента? В том же Micro Cap на один транзистор может быть до 10 уровней (LevelX, BSimx). Почему нельзя иметь одну полную? Или как учитывать нюансы их выбора для расчётов? много людей и у каждого свои вкусы. Те, кто ближе к топологии ИС, используют модели с заданием геометрических параметров и погонными емкостями стока затвора. Кому то это не нравится и используют абсолютные значения паразитных емкостей. Кому то не нравится и то и это потому что вычисление поведения емкостей в динамике на их взгляд усложнено (тормозит) из-за непростых формул физических процессов , приближенных к теории, и они рады их заменить более простыми эмпирическим формулами поведения емкостей. Кому то надо более точное поведение от температуры и вводят два коэффициента для более точной аппроксимации, а кому то это по барабану , если надо быстрее считать. Одну полную иметь нельзя. Конкуренция между изготовителями пакетов САПР в скорости обсчета схемы заставляют их искать всякие разные методы ускорения расчетов, не влияющие драматически в их области на качество моделирования. Учитывать нюансы для их выбора- это по вкусу и желанию тратить время на это неблагодарное иногда занятие. Если у Вас есть сапр, в котором Вы проектируете - используйте рекомендации изготовителя этого сапра при выборе моделей. Поведение боди-диода через подложку вообще как правило неверно моделируется в встроенных моделях (важно для проектантов ИИП) и поэтому существуют рекомендации для чувствительных схем по этому параметру подключать "внешний" должный диод в подсхеме спайса для элемента, который более точно опишет процессы рассасывания. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 15 минут назад, haker_fox сказал: какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 213 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 21 минуту назад, haker_fox сказал: какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя? MOSFET secondary breakdown.pdf 5 минут назад, wim сказал: Вы так и не ответили, что делать в случаях, когда этого перегиба нет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба Только что, Plain сказал: что делать в случаях, когда этого перегиба нет Ответил ещё раньше - использовать MOSFET с более высоким напряжением V(BR)DSS. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dimka76 62 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 9 minutes ago, Plain said: MOSFET secondary breakdown.pdf 449.46 kB · 1 download Число философский вопрос ))) А что в России перестали толковые технические книжки писать ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 15 минут назад, dimka76 сказал: А что в России перестали толковые технические книжки писать ? Про полевые транзисторы? Так их и не было. То есть книжки писАли, но они содержат ложные утверждения, поэтому толковыми их никак не назовёшь. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
haker_fox 61 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба Уважаемые @Plain, @wim, спасибо за инфу про вторичный пробой. Будет, что на выходном прочитать. Уважаемый @тау, благодарю за объяснение про модели! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 213 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 31 минуту назад, wim сказал: использовать MOSFET с более высоким напряжением V(BR)DSS Это не синоним и не гарантия наличия у таковых перегиба на графике — т.е. в отсутствие перегиба, весь график ОБР становится графиком вторичного пробоя? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 3 ноября, 2020 Опубликовано 3 ноября, 2020 · Жалоба 2 минуты назад, Plain сказал: Это не синоним и не гарантия наличия у таковых перегиба на графике Нужно исходить из того, что перегиб реально существует, но не отражён в даташите. Выбор транзистора с более высоким напряжением отодвигает участок вторичного пробоя вправо от рабочей области. Других советов по использованию неправильных транзисторов в линейном режиме у меня нет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться