[Herz 4]

6 hours ago, wim said:

Проблемы с линейным режимом не у MOSFET, а у двоечников, которые не умеют считать/моделировать линейные схемы.

А линейные схемы адекватно моделируются по существующим моделям MOSFET-ов? Ну, хоть тех же IRF3205?

[Plain 168]

26.10.2020 в 13:36, Herz сказал:

Если есть наброски

Размышления застопорились на том, что четырёхквадрантный из нынешнего двухквадрантного получается практически даром. У меня четырёхквадрантного никогда не было, поэтому не в курсе, как быть — схемотехнически, проще сделать симметричные общие и выбирать нужную полярность подключением кабеля. Тот же вопрос иначе — требуется ли смена полярности на лету.

[wim 6]

1 час назад, Herz сказал:

А линейные схемы адекватно моделируются по существующим моделям MOSFET-ов? Ну, хоть тех же IRF3205?

Вполне. Нужно промоделировать траекторию движения рабочей точки MOSFET при переходных процессах и сравнить с ОБР из даташита. Например, в источнике тока на линейном MOSFET IXYS вот так оно выглядело. Для "нехорошего" MOSFET нужно учитывать наличие участка вторичного пробоя, при заходе в который транзистору верная смерть. Однако этот участок не во всех даташитах документирован, что и породило миф.

[Plain 168]

10 часов назад, wim сказал:

Для "нехорошего" MOSFET нужно учитывать наличие участка вторичного пробоя

ОБР конкретно IRF3205:

 

 

[khach 33]

Какой к монахам вторичный пробой, если транзистор в линейном низковольтном БП с пререгулятором работает с падением напряжения меньше вольта? А максимамальное напряжения в 30-40В бывает только в момент срабатывания триггерной защиты и транзистор закрылся а пререгулятор еще не успел отработать. Но это процесс подобный закрытию транзистора в импульсном устройстве, притом однократный.

Проблема как раз в нелинейном поведении транзистора пр прямых падения в доли вольта- процессы быстрые и ОС не успевает их отрабатывать.

[wim 6]

1 час назад, Plain сказал:

 IRF3205

Это из тех, которые с нечестными даташитами. Вот пример честного даташита - IRFB4110:

10 минут назад, khach сказал:

Какой к монахам вторичный пробой

Объясняю ещё раз для непонятливых - во время переходных процессов траектория рабочей точки может заходить в область вторичного пробоя. Моделируйте и сами всё увидите.

[khach 33]

1 hour ago, wim said:

Объясняю ещё раз для непонятливых - во время переходных процессов траектория рабочей точки может заходить в область вторичного пробоя. Моделируйте и сами всё увидите.

Зачем моделирвать переходные процессы, тем более что при импульсном пререгуляторе их моделировать адекватно реалу- большая проблема. Как можно загнать транзистор в область вторичного пробоя в блоке питания 30В 5А? При миллисекундных временах реакции аналоговой ОС. Вот честно, вам это удавалось? Сделать что то чтобы транзистор прогорел и сработал тиристорный crowbar как последний рубеж защиты нагрузки от перенапряжения? А если сработал, то crowbar был с регулируемым порогом или на максимальное напряжение блока рассчитан?

 

[Herz 4]

1 hour ago, wim said:

Это из тех, которые с нечестными даташитами.

Ну, и как моделировать? Искать только "честные"? И как определить, что модель "честная", даже в этом случае?

[Plain 168]

1 час назад, wim сказал:

Это из тех, которые с нечестными

Итого, после долгих поисков методом перебора, найденный 100-вольтовый, с ещё не выпиленным из графика ОБР постоянным током, и, ещё в квадрате, честный, может работать в линейном режиме лишь до 10 В, что маловато для типовых 30 В любительского БП, поэтому не миф.

[rx3apf 0]

Я бы глянул в сторону FDA59N30. Не IXIS, конечно, но и цена гуманнее...

[khach 33]

Поэтому и говорю- забить на MOSFET, применять биполяр. Прямое падение выбрать в районе 1.2-1.5В. Пререгулятор делать с цепью буста для базы - отдельный плавающий источник питания на 2.5 -3В выше напряжения выхода пререгулятора для питания цепи базы. Выходной каскад на биполяре можно выносить на радиаторе в удобное для охлаждения место на длинных провдах на разьеме, на MOSFET всю схему ОС надо распологать как можно ближе к транзистору, т.е делать силовую плату по другим нормам.

[wim 6]

26 минут назад, Plain сказал:

может работать в линейном режиме лишь до 10 В

Ну нет, не всё так страшно. Нормально он работает до 30 В. Потому что переходный процесс - это не DC и даже не 10 мс.

37 минут назад, Herz сказал:

как моделировать?

Не понял вопроса. Как технически это сделать? Моделируется переходный процесс и строится график в координатах V-I. А потом накладываем его на график ОБР из даташита.

[Plain 168]

1 минуту назад, wim сказал:

Нормально он работает до 30 В

Речь была не про него, а про те, которые ставили те любители, которые породили тот миф, т.е. 40...60-вольтовые, и у которых графика ОБР в паспортах может даже вовсе не было, не говоря о том, чтобы он был честным, и чтобы на него взглянуть.

[wim 6]

40 минут назад, Herz сказал:

Искать только "честные"?

Необязательно. Если надыбали мешок разных сверхдешёвых MOSFET, выбирать из них те, у которых напряжение больше. Чтобы участок вторичного пробоя был заведомо правее рабочей области.

1 минуту назад, Plain сказал:

 те любители, которые породили тот миф, т.е. 40...60-вольтовые

Лично меня не волнуют проблемы любителей.

44 минуты назад, Herz сказал:

как определить, что модель "честная"

Модели транзисторов вообще не учитывают эффект шнурования тока. Но это и не нужно. Я вообще не понимаю сути вопроса - что, так трудно наложить два графика один на другой? ПМСМ это даже в школе умеют.

22 минуты назад, khach сказал:

Поэтому и говорю- забить на MOSFET, применять биполяр. 

А биполяр, значит, моделировать не надо? Включили и сразу всё работает.  Я и говорю - радиолюбительская мифология.

[Plain 168]

18 минут назад, khach сказал:

с цепью буста для базы

Это да, а в биполярном класс D, каскадно с биполярным линейным, поэтому на выходе четыре вольтодобавки.

31 минуту назад, rx3apf сказал:

Я бы глянул в сторону FDA59N30

Он нечестный, на графике ОБР нет перегиба вторичного пробоя.