falling_stone

Я в своё время тоже делал платы на omap l137, omap3, omap4. Но в какой-то момент стало понятно, что TI сливают эту линию. В те ~2года через это прошли многие. Тот же freescale, который сейчас nxp, тогда же сорвал выход i.MX7, выпустил их спустя года 2, и не факт, что по изначальному спеку. Потом спохватились и кинулись догонять поезд. И если NXP это более ли менее удалось с i.MX7 и 8, то TI с их Jahinto, по-моему, нет. Так что, ИМХО, есди придется перепроектировать, берите i.MX.

Скорее всего Вы правы. Я однажды использовал стэп модель, содержащую разваренный кристалл, там 25микронные проводники и площадки с их разваркой, и Канвас мне их порезал, не смог показать.

Извините, ближе к телу не получится, могу только предложить направление для эсперимента. Я сам в своё время с этой проблемой справиться не смог, впрочем, я тогда работал ещё с версией 16.6, а у Вас - 17.4. У меня в 17.2 тоже получались поверхности, 17.4 я не проверял. От Вас впервые услышал, что вообще при каких-то условиях можно получить стэп с твердотельной платой. Осталось понять каковы эти условия. Может ли быть, чо Ваш проект сделан в 17.2 и импортирован в 17.4? Далее я бы шел в двух направлениях: создал максимально простой проект, и если он выдает твердотельную плату, постепенно увеличивал бы сложность. Второе направление - урезать ваш проект, пытаясь добиться изменения с поверхностей на твердое тело. Можно ещё менять дэмо, к примеру, увеличив размеры или увеличив число слоёв.

То, что я сейчас напишу - чистое гадание, но, вдруг, поможет: может быть, дело в стэкапе?

Импорт idx/idf происходит у механика и, конечно, зависит от того, с какой программой он работает. В моём случае механик работал с NX (unigraphics, теперь siemens). Картинок, к сожалению, у меня нет.

Попробуйте проверить, прикреплены ли properties, связанные с высотой (содержат что-то вроде max_height, min_height, извините, точно не помню) к полигонам, определяющим границы компонентов в слоях place bound top/bottom. Они могут иметь приоритет над стэпом и создавать кубики даже при определенных моделях. Пропадание сообщения при удаленном подключении может быть связано с использованием opengl. Попробуйте поискать opengl в установках, может его можно отключить. Что касается второго вопроса, я с этим сталкивался, но решить не смог, обошел, став использовать idf/idx вместо стэпа

Да, у них это два разных стэпа. Более того, если у Вас гибкая плата, в согнутом виде стэп выдается только из под 3д канваса.если не ошибаюсь, при преобразовании в 3д канвас, Вы можете фильтровать что включать, а что нет. Возможно, Вы включили проводники/плэйны, в том числе и внутренние слои, тогда это сильно увеличивает стэп. Кроме того, проверьте, нет ли у Вас больших стэп моделей компонентов. Несмотря на то, что у Вас кубики, стэпы компонентов наверняка включены в модель, кубики их просто могут перекрывать.

Чтобы это обойти, я перестал выдавать step, стал использовать idx. Если конструктор механик может делать импорт idx или idf, плата получается твердым телом, а не поверхностями. Idx, к тому же, позволяет (теоретически) осуществлять двусторонний инкрементальный обмен, но мне это отладить не удалось, может в следующих версиях, лет через...

"Стоимость - 30к." - прошу прощения, неясно, рублей или долларов? Если речь о долларах, то я возьмусь.

Да, безусловно, изначально это для технологичности, но в данном случае, мне кажется, это может убить двух зайцев, увеличив емкость проводника, "висящего в воздухе" внутри антипэда. Аппноут посмотрю, спасибо!

Извините, вопрос, возможно, не в тему, а можно ли вместо пьедестала использовать теардроп? По идее, пьедестал уменьшает импеданс линии, на последнем участке перед подключением к виа, теардроп должен делать то же самое.

Это неплохо делается в SystemSI, бывшего Sigrity, теперь Cadence. Если не завязаны на Cadence, можно и в Hyperlynx от Mentor (или теперь Siemens? Замучили уже с этими переменами мест слагаемых) Материалы для изучения есть в Ютьюбе, и на рутрэкере, например.

Я, увы, с Вами согласен. С точки зрения религии, жизнь - это высшая ценность и для спасения жизни правила Шаббата можно нарушить. Пункты C.1, D.1, D.5 этому противоречат, насколько я понимаю. Думаю, что автоматика должна оставаться включенной, чтобы быть готовой сработать в чрезвычайной ситуации и спасти человека, если что-топойдет не так. Как мне кажется, нужно или вступать в переписку с тем, кто это ТЗ составлял, уточняя конкретное функционирование, или отказываться от этой работы, чтоб мальчики кровавые потом по ночам не являлись.

Если можно, всё, что связано с цепями безопасности, приведите полностью, может, разберемся. С кнопками все понятно, суть в том, чтобы даже случайное нажатие не приводило к замыканию цепи. То есть, пружинку в кнопке сжать - это ничего, а электроны даже по слаботочной цепи гонять, это уже работа и нарушение Шаббата.

Звучит очень странно. В Шаббат лифт должен работать без участия человека, реально идти от начала до конца, останавливаясь на каждом этаже. Цель - чтобы пользователю не нужно было нажимать на кнопки. Но чтобы отключались системы безопасности? Это нонсенс, возможно, ошибка в техзадании. Может, имелось ввиду, что лифт должен полностью отключаться в Шаббат?

Извините за чисто эмпирический подход, но мне кажется, что необходимо следующее: Между генератором и закрытым резонатором включиь трехпортовый циркулятор, на третий порт - согласованную нагрузку, способную рассеять (в худшем случае) полную мощность генератора. Также необходимо измерение рассеиваемой мощности. Резонатор настраивается механически - поршнем по стенке, противоположной диафрагме ввода энергии. Образец внутри резонатора тоже должен быть подвижен, для того, чтобы его можно было помещать в "пучность" электрической/ магнитной составляющей стоячей волны. Возможно, необходим подвижный зонд для измерения маскимума возле образца. Алгоритм настройки таков: 1.Выставляем частоту и мощность генератора. 2.По минимуму рассеиваемой на нагрузке мощности настраиваем резонатор поршнем. 3.Выставляем образец в точку максимума стоячей волны. 4.повторяем п.2 Далее - варьируем частоту/мощность и всё сначала.

Переходное отверстие может составлять своим диаметром 70% от ширины пэда, но площадь переходных - не 70% площади пэда. Припой будет затекать, но это можно скомпенсировать количеством пасты. Не убирайте отверстия с пэда, настаивайте на этом.

Я бы посоветовал следующее: Плату сделать так, как рекомендовано. Обязательно открыть от маски (с запасом на все толерансы) отверстия под микросхемой с обратной стороны платы. Если Вы даете производителю указание заполнять переходные отверстия, эти 3 переходника оставьте незаполненными. Это позволит припою свободно затекать в них, что при пайке QFN, DFN и некоторых LGA вполне нормально. При грамотном дизайне площадки под корпусом и стэнсила замыкания не происходит даже если расстояние между центральным пэдом и периферийными близко к 0.1мм. Это достигается именно за счет всасывания лишнего припоя в отверстия под корпусом. У Вас же, по сравнению со многими другими QFN, расстояние от земляного пэда под микросхемой до соседей велико и, на мой взгляд, опасности короткого замыкания нет. С другой стгроны, большее количество затекшего припоя может привести к плохой пайке центрального пэда. Обычно отверстия под центральными пэдами делают диаметром 0.2-0.3мм. У Вашего производителя, насколько я понимаю, проблема с минимальным диаметром сверловки, что-то около 0.35мм.Если нет возможности уменьшить диаметр переходных отверстий до 0.25-0.3мм, припой будет затекать в них в большем количестве. Для того, чтобы этого избежать, возможно, производителю придется увеличить открытие стэнсила так, чтобы он покрывал не только центральное, но и соседние отверстия, увеличитв количество припоя. Нельзя увеличивать ширину открытия, только длину. Отношение общаей площади открытия стэнсила по отношению к площади всего пэда не должно быть больше 0.5-0.6. Все это можно делать при неизменном дизайне платы на этапе сборки, делая небольшие партии с разным количеством припоя и собирая статистику от партии к партии, проверяя платы рентгеном (надеюсь, он есть). Всё, извините за многословие:)

Не могли бы Вы, пожалуйста, пояснить, что имели ввиду? И, лучше, приведите механический чертеж корпуса и рекомендованный Интелом футпринт, если таковой имеется. Тогда можно будет обсуждать детали, иначе не совсем понятно в чем проблема. В keep-out районах есть медь? Она прикрыта маской?

Площадка земли по брюхом микросхемы - это основное место разварки земли кристалла регулятора. Если оттуда убрать отверстия, останется соединение через переходные отверстия конденсаторов, а у него больше паразитные сопротивление и индуктивность. Может и нестабильно работать, и больше излучать. Если производитель не может гарантировать нормальную пайку при разводке как у Интела, советую задумайться о его замене.

Мне кажется, что щель в решении Интел сделана для улучшения пайки, это как бы thermal relief. Электрически у Интел в 2 раза больше переходных отверстий в непосредственной близости от конденсаторов, т.е. и паразитное сопротивление и паразитная индуктивность меньше. На счет отверстий "под брюхом", это предмет серьезного "holy war". Для себя я пришел к выводу, что при диаметре переходников 0.2 - 0.3мм, если они не закрыты, в них капиллярным эффектом втягивается припой, но при правильном дизайне шаблона, т.е., если припоя достаточно, весь чип "присасывает" к плате и пузыри под чипом исчезают, или минимизируются. Исключения - при vapor phase пайке, и при закрытых виа, но это более дорогие процессы, чем те, что используются обычно.

А, может, подставке можно сделать injection lock? Тогда ее и без варикапа к опоре привязать можно будет.

Marching waveforms - это не моделирование формы сигнала, а отображение результатов по кускам в процессе симуляции. Если эту опцию отключить, Вы увидите сразу весь результат сразу по окончании симуляции, а до этого не сможете видеть ничего.

Сейчас тот же sub-drawing называется clipboard. Эта функциональность никуда не делась.

Олег, Как раз, по-моему, наоборот, BSS159N закрывается при отрицательном напряжении, при 0..-2 он всё ещё открыт, это depletion mode fet. Закрывается он при достижениии отрицательного напряжения -2.5... -3В.