Plain

Первое противоречит второму, потому что уже задаёт максимальный диффсигнал на уровне 20 мВ, и по этой причине исключает третье. А ещё, задача в т.ч. нерешаема до тех пор, пока не выяснится динамическое входное сопротивление АЦП.

Из ключевых полевых всегда плохие, медленные и капризные источники тока — по причине ёмкостей, на порядки превосходящих таковые биполярных. Параллельное соединение требует такой, для кого-то неприметный, график в паспортах компонентов, как ОБР — теоретически, можно долго и нудно искать и найти некий гипертранзистор, ОБР которого позволит политически нагнуть его одного для решения задачи, но полевые, опять же, в силу своей естественной ячеистой природы, попросту механически тяжко переносят линейный режим. Насчёт резисторов — по всем признакам, Вы простой руководитель, так что, когда дело дойдёт до специалиста, он быстренько, и в уме, посчитает, что в последней схеме каждый из пары стандартных 1 Ом 0805 параллельно будет рассеивать по 50 мВт, т.е. пару градусов перегрева.

Тогда чего ждём? 100 А 50 В 1 МГц уже без проблем, с Ваших слов, давно в наличии, а намотать описанный выше трансформатор на RM6 (EE16, EFD20 и т.д.) можно за полчаса голыми руками. Если отводы будут не сильно пухнуть по бокам, можно увеличить число слоёв до 11.

...внутриприборными/собственными сигналами используется лишь резистор, ограничивающий ток через встроенные в микросхему диоды защиты на уровне десятой доли их предельного паспортного значения. В любых других случаях перед данным резистором ставится ограничитель. Поэтому, если под XS1 и XS2 подразумевается нечто, торчащее наружу, обе схемы выгорят от первого же чиха.

Пример не в тему, потому что это никакие не буферы, а преобразователи уровней, т.е. микросхемы с двумя источниками питания, отсутствие одного из которых является штатным режимом работы. Буферы — никак, читайте абзацем выше.

Вашу предыдущую кросстему администрация закрыла со строгим предупреждением по причине игнорирования вопросов участников форума, однако ж Вы ничуть не изменились.

Автор в своём последнем сообщении нас заверил, что с этим у него проблем нет, несмотря на то, что, с его же слов, с некоего голого мифического полумоста, т.е. безо всяких там трансформаторов, получилось сдоить лишь жалкий 1 кВт, а ещё, задолго до создания данной темы у него на руках уже имелась схема конкурентов, тупо скопировать которую, включая трансформатор и способ его намотки, по неназванной причине оказалось большой проблемой.

Поближе к реальности:

Перед ОУ — любой умножающий ЦАП (с внешним опорным) — например, цифровой потенциометр.

Операционные усилители каждый первый делает.

Абсолютно все такие компоненты горят, чудят, и в лучшем случе просто не работают, по единственной причине — нарушении требований производителя, к каковым в первую очередь относится разводка, ни одну из которых Вы до сих пор не удосужились показать.

По всё той же одной формуле — например, магнитопровод RM6, 7 слоёв, по 60 витков провода 0,1 мм в каждом — 4 слоя полупервичек намотать 10-ю параллельными секциями по 6 витков в каждой (т.е. 9 отводов), и 3 слоя вторички между ними, также соединённых параллельно. Пониженный КПД компенсируется соответствующим повышением напряжением питания, тем более по ТЗ оно всё равно регулируемое.

Например, вот. Адаптивный мостовой драйвер — например, на таких изоляторах и таких драйверах затворов.

Ничего не сгорит. Симистор начинает включаться при входном токе больше IFT и напряжении в диапазоне VIH на нём, и перестаёт это делать в противном случае. Если входной ток держать около порогового, то в дело вступают тепловые шумы и гистерезисы, и этот порог начинает всего лишь соответствующе им плыть. Так что, подавать туда что-то плавное можно, но просто бессмысленно.

Чем столько возни, ещё и с посредственным результатом, проще было бы давно собрать на синхронном контроллере, начиная с рабоче-крестьянского NCP3020A.

Проясните, что Вы имеете ввиду, потому что в паспорте из примеров — только Рис.8 и Рис.9, и на обоих на вход подаётся никакой не плавный треугольный, а фиксированный ток с выхода логического элемента.

Например, на таком "обратноходовом трансформаторе", одной UC3843 и одном NMOS делается преобразователь из 20 В в 0...500 В, далее мост на стандартных 600-вольтовых NMOS. Походный вариант — батарейный отсек на пару AA NiMH, далее на таком "обратноходовом трансформаторе" преобразователь в 0...500 В, далее мост на стандартных 600-вольтовых NMOS.

Нет у CR-123A никаких проблем при низкой температуре, а если Вы её попытаетесь зарядить, она взорвётся — это и на ней самой, и в паспорте, и в любом учебнике жирным шрифтом прописано.

Например, порыться в мусорном ведре и достать оттуда 10-летней давности 70-рублёвый CD с радиорынка, с которого поставить VMware, в ней Win XP с него же, а в ней EWB. Но EWB не является средой для проектирования на БМК — для этого надо что-то типа ISE.

http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=132097 Однако сегодня интригал Сыроежкина звучит поинтереснее — чего в схеме измерения сопротивления забыло измеряемое сопротивление.

Повторю, круто — это CR-123A на каждом углу и практически даром, а тут, во-первых, никаких 2 мА даже близко нет, а во-вторых, все модели данного химпроцесса давно сняты с производства, читайте внимательнее оффсайт.

ok Как нам это "OK" понимать? Вы сообщением выше вновь подтвердили, что Вам по-прежнему всё-таки требуется БП на изначальные 2 кВт, а сами продолжаете упорно оживлять редкую абстракцию на заурядные 200 Вт и аж на 6-ти транзисторах. Или Вы их просто планируете в конце работ десяток поставить в параллель, т.е. десяток ETD59, полсотни ключей и т.п.?

CR-123A в ближайшем продуктовом.