rfsyn

Понятно, спасибо большое за развернутый комментарий. Ниже некоторые встречные комментарии и предложения: А если измерить белый шум в полосе 1 Гц при отключенном аттенюаторе и нагрузке 50 Ом на входе какой уровень получается? Он соответствует указанному в паспорте? У Вас шумовая полка на уровне минус 120 дБм, вероятно, что исследуется не ФШ генератора, а собственные шумы АС. Также сигнал желательно полностью вписать на экран, изменив масштаб по оси Y. Как вариант можно попробовать ФШ определить не с помощью встроенной функции (которая бывает, что некорректно работает и в гораздо более продвинутых приборах), а в ручном режиме с помощью маркерных измерений. Хоть и не удобно и долго, но есть возможность себя проверить.

Добрый день! К сожалению, не знаком с математикой данного АС. Попробуйте изменить значение VBW (сейчас у Вас 2k). Не может быть, что значение ФШ пересчитывается исходя из нормировки на 1 Гц?

1.импеданс на малом и большом сигнале будет отличаться. Я имел ввиду, что S-параметры верифицированы, а SPICE-модель может быть какого угодно качества. 2.IC-CAP достаточно гибкая система, можно импортировать свои данные (возможно придется немного подкорректировать формат). Но если нет опыта (=задела), то процедура может быть длительной. Даже более, чем разработка усилителя. Если усилитель на данном транзисторе разовая задача, то оптимимум (как предлагали ранее): сделать СЦ на основе S-параметров и реф-дизайна и дальше отработать на макете. Если планируется серия, то вероятно рассмотреть либо другой (более охарактеризованный транзистор), либо действительно сделать / заказать нелинейную СВЧ-модель.

Добрый день! По-моему, редко когда производитель предоставляет адекватную по точности (DC, S-пар, гармоники) нелинейную модель. Обычно S-параметры верифицированы по выборке образцов и вполне пригодны для расчета цепей согласования, тогда как нелинейная (Spice) модель предназначена больше для качественной оценки. Если практического опыта и специализированных программных продуктов (Keysight IC-CAP, например) нет, то оперативно сделать нормальную модель будет сложно. ИМХО наиболее правильно следовать ref-дизайну от производителя + сделать тестовую плату одного каскада для оценки характеристик именно транзистора + заодно сможете получить набор S-параметров для различных режимов. Или использовать наиболее документированный транзистор.

Пожалуйста AN-1287-11.pdf

Добрый вечер, уважаемые коллеги! То ТС: попробуйте посмотреть варианты уже готовых стандартов, которые часто представлены в руководствах от многих производителей СВЧ КИО. Кейсайт, например: Characterization of PCB Insertion Loss with a New Calibration Method (см. вложение). Надеюсь, что материал окажется полезным. Перед тем, как реализовать на подложке, желательно посчитать. Например, в ЭМ-симуляторе или хотя бы собрать на модельных линиях. Для какого диапазона частот Вы делаете структуры? PCB-insertion-loss-an.pdf

Добрый день! Для анализа было бы здорово приложить файл S-параметров самого ДШ, а также S-параметры калибровки и, указать, как отметили уважаемые коллеги выше уровень мощности порта передатчика ВА, чтобы как минимум исключить автосмещение ДШ 🙂

Добрый день! Описанный Вами подход (перебор по индексу набора файлов) вполне себе имеет право на жизнь. Обычно производители библиотек предусматривают опцию оптимизации по набору компонентов с дискретными значениями номиналов из ряда в составе своего PDK. Murata в данном случае не исключение. Для того, чтобы запустить оптимизацию нужно в поле "Value" компонента выбрать "Discrete Optimize Settings" вместо конкретного значения и указать типовое и граничные значения номинала. Подробно описано в инструкции от Murata (см. сл.22-23) https://www.murata.com/-/media/webrenewal/tool/library/ads2011/manual_ads_s_1810e.ashx

Добрый день! Qucs используем как неосновной инструмент, когда нужно провести быстрый расчет или для задач обучения. В приложении пример простейшей схемы, демонстрирующей, что отображение токов для источника возможно без применения доп.инструментов. Отображение напряжений осуществляется через клавишу F8 ("расчет рабочей точки") из меню схематика.

Добрый день! Попробуйте посмотреть в сторону 4024C https://en.ceyear.com/spectrum_analyzer-190 С оборудованием данного производителя работали. В целом в существующих реалиях довольно достойное решение.

Основные характеристики RO4003C в DS приведены до 50 ГГц+, практика показывает, что, как минимум, до Кa-диапазона все норм. Для МШУ обязательно учитывать переходные отверстия на землю (собственная индуктивность, взаимное влияние).

Полноценное создание структуры и расчет - да, EMPro или аналог. Симулятор FEM, интегрированный в ADS, вполне можно использовать для ряда объемных (3D) структур.

Добрый день! Если речь идет о печатной плате (проверить на наличие ошибок, ЭМС и др.), то MomentumRF должно хватить. При этом с целью экономии вычислительных ресурсов нужно оптимизировать разбиение (Mesh) и установить нулевую толщину для проводников. Если речь идет о резонансных структурах и др. (где существенны электрические параметры: частота, добротность, коэфт. связи), а геом.размеры соизмеримы с длиной волны, то лучше использовать MomentumMw. Если мы говорим про 3D-структуру, то лучше использовать FEM. Рекомендация: посмотреть примеры (Examples), выбрать наиболее подходящий и использовать его для своего проекта.

Добрый день! Может быть это и очевидно, но можно посмотреть готовые примеры с моделированием похожих структур антенн, обучающие материалы от HFSS. Так хотя бы будет понятна пошаговая процедура подготовки проекта к моделированию (порты, настройки симулятора, и др.).

Добрый день! Самый лучший вариант использовать готовые модели из библиотеки (например, XFERTAP с 1-ой первичной и 2-мя вторичными обмотками). В Вашем случае я бы посмотрел в сторону моделей трансформаторов на основе LRC. Подход более сложный, т.к. необходимо определить параметры каждого из элементов, но позволять создать модель трансформатора практически любой конфигурации (см. статью в приложении). Либо поискать готовые SPICE-модели от производителей ферритовых трансформаторов (скорее всего зарубежных). Pesc94 model of multiple winding trans.pdf

Попробуйте скорректировать настройки контроллера HB:количество гармоник (order), метод расчета (Solver) , увеличить количество итераций и т.д. Оптимальный вариант найти наиболее подходящий пример в Schematic->DesignGuide и использовать его для расчетов.

Данный подход называется иерархический дизайн ("Hierarchical Design") и является наиболее правильным при проектировании относительно сложных устройств и систем по отношению к "все компоненты в одной схеме". Более подробно можно ознакомиться в справке, задав в качестве ключевого слова в поиске Creating Hierarchical Designs. В качестве элементов подсхемы можно использовать как сами элементы (транзисторы, резисторы, диоды, конденсаторы, МПЛ и др.), так и результаты моделирования или измерений (например, блок с S-параметрами) или топологическое представление, о котором уже говорилось ранее. В качестве подробных примеров рекомендую обратиться также к встроенным DesignGuide, которые доступны из окна Schematic, например усилителей (Power Amplifier) или смесителей (Mixers). Если предполагается к освоению ADS версии 2011 и выше, то символ создается практически автоматичеки для необходимого схемотехнического представления из дерева проектов - правой кнопкой мыши кликаете на нужный Cell и выбираете New Symbol...Главное правильно задать порты, чтобы не было ошибок при моделировании. Удачи!

В классических ЭМ 2,5 САПР можно задать бесконечно тонкий металл (thin) или металл конечной ширины (thick). В новых версиях ADS появилась возможность (уже лет 5 как) для thick-металла указывать и "распространение" ширины: intrude/expand, что особенно актуально для многслойных структур: ПП, модулей и др. В первом случае (thin) расчет быстрее в ущерб точности. Во-втором, ситуация обратная. Какой тип задания толщины МПЛ использовать решает пользователь. Для МПЛ-фильтров с F более 3...5ГГц предпочтительнее задавать МПЛ все-таки с конечной шириной. Надеюсь ответил на Ваш вопрос.

Верхний - strip. Правильнее наверное обойтись одним слоем металла - cond1 для верхнего проводника, а cond2 при необходимости использовать для внутренних слоев или нижнего слоя (земля), если его конфигурация отличается от сплошной заливки. Вряд ли припой удасться промоделировать просто металлом, да и нужно ли это? Лучше исключить. Относительно sheet и thick. Потери (омические) будут учтены и в том, и в другом случае. А вот токи по бокам МПЛ - только в thick. Для усилителя это не критично, а на параметры фильтра может влиять. Посмотрите готовые примеры Microstrip фильтров и LNA.

Использование результатов ЭМ-анализа для деэмбеддинга: не совсем транзистор, а индуктивность на кремнии из открытых источников: http://www.integrandsoftware.com/papers/RFIC07.pdf В части деэмбеддинга транзистора можно посмотреть работу, например R. Torres-Torres. Analytical model and parameter extraction to account for the pad parasitics in RF-CMOS / IEEE Transactions on Electron Devices, Volume:52 , Issue: 7, 2005. Раз Вы перед собой поставили такую задачу, то наверняка пользуетесь ADS. Среди готовых примеров можно постмотреть, например, ЭМ-модель для усилителя на A3B5 подложке ...examples\MW_Ckts\MMIC_AmpEM_Sims_wrk. Надеюсь хотя бы частично помог.

Если есть нормальные исходные данные (gdsII, поперечное сечение подложки и описание слоев), то при должном умении точность ЭМ-анализа может быть достаточно высока. Для этих целей зачастую применяют 2,5D симуляторы, интегрированные, например, в ADS, IE3D, Sonnet, MWO и мн.др. СВЧ-САПР. В ряде зарубежных публикаций, когда у авторов не было возможности провести "честный" де-эмбеддинг, применяли результаты ЭМ-анализа. Статей на данный счет великое множество. Также нельзя отбрасывать фактор технологии: для А3В5 проще и точнее, чем для кремния_ИМХО. Ситуация кардинально меняется, если есть только сам кристалл без исходных данных. Можно примерно оценить визуально средствами современной микроскопии длину МПЛ, размер КП и др.элементов, но точность будет весьма посредственная: достаточная для прикладных исследований, но не для построения "боевых" нелинейных моделей. И опять же каков частотный диапазон применимости модели?

На первой схеме к Term3 и 5 не подключена земля. Расчет скорее всего будет ошибочным. Судя по второй (упрощенной) схеме у Вас два 50-омных устройства и посередине шунт на землю. Для упрощения задачи можете вместо дополнительных Term использовать обычный резистор с комплексным сопротивлением - тогда не будет доп.портов. Чтобы задать параметрически R комплексное для разных частот можно использовать DAC-компонент. В этом случае S21 (передачи мощности от ИМС1 к ИМС2) будет считаться в 50-омном базисе.

А м.б. так, что на достаточном удалении друг от друга нет взаимного влияния? Должно же быть критич.расстояние после которого Lij равна нулю... Если отдельно промоделировать 1-ую и 11-ую проволочки и посмотреть распределение полей в динамике, возможно предположение будет подтверждено? Практическое применение - модель корпуса?

Попробуйте постмотреть RF7846 от RFMD, м.б. подойдет, или что-то аналогичное от Maxim Semi http://www.rfmd.com/store/3g-power-amplifiers/rf7846-1.html При таком малом питании и достаточно высоком PAE (40...50%) ИМХО лучшая технология это SiGe.

Не могли бы Вы предоставить ссылку на сайт производителя?