APEHDATOP

Добрый человек, а как бы подлечиться в 25-ой?

Спасибо

могут

не помогло, то же самое Да у меня и трансформатор то простенький Не то что у него Хотя форма характеристик такая же как и у него

Подождите...А что не так с таким построением схемы? На низкую частоту Ku-band - балун побольше в геометрических размерах, на верхнюю частоту - Ka-band - балун поменьше в геометрических размерах. Где нарушение принципов построения умножителей? (может есть книга или статья - где это указывается?) На другой диапазон частот, с другими трансформаторами, но суть таже и верифицирован на фабрике: Я Вас понял Соответственно можно применить выходной балун в качестве входного - он не валится на разных частотах

Ku-band (EM-анализ): Kа-band (EM-анализ): ну а как же "живые" получить без моделирования - никак А на этот вопрос есть какие соображения?

Добрый день! В частотных умножителях/дублёрах есть такой параметр как fundamental rejection - подавление основной частоты. Зависит этот параметр от качества симметрирующих трансформаторов (балунов). На просторах интернета попалось видео, где разработчик из Plextek RFI показал и рассказал про свой проект удвоителя частоты на техпроцессе TQP13 от Triquint (11 лет назад). Повторил (как обезьянка) за разработчиком из Plextek RFI проект умножителя частоты/дублёра на pHEMT техпроцессе. Получил следующие результаты: При этом меняя размер диода в диодном кольце между симметрирующими трансформаторами могу уменьшить Fund_Rej_dB при этом дельта/offset (между m1 и m2) удвоенной частоты и основного тона увеличится и наоборот. В процессе моделирования использовал следующие измерительные блоки из состава ADS: 1) Pspec – это измерение выдает спектр мощности при анализе гармонического баланса. 2) Pfc – это измерение выдает среднеквадратичное значение мощности одного частотного компонента. 3) В Measurement Equation – были записаны выражения для потерь преобразования (C_Gain_dB) и подавления основного тона (Fund_Rej_dB) В конце добавил ФВЧ на выход удвоителя И получил следующие результаты: Очевидно, что балуны Маршанда на TQP13 получились более качественными и у них можно менять ширину линий, тем самым устремляя дисбаланс (баланс) амплитуды и фазы к нулевому значению и как следствие увеличивая fundamental rejection. Но, тем не менее, что получилось – то получилось. Насколько критично значение fundamental rejection для удвоителей частоты? Если ФВЧ достаточно хорошо давит основной тон и пропускает с минимальными потерями вторую гармонику, как в этом случае интерпретировать fundamental rejection? Ведь у разработчика из Plextek RFI и fundamental rejection на высоком уровне больше 47 дБ и на спектре подавление основного тона по сравнению с удвоенной частотой составляет 45 дБ и ФВЧ никаких нет .

Первое: Ответ на один из основных вопросов: Почему для переключателей на SOI (в отличие от переключателей на GaAs HEMT, pHEMT) не требуются внешние блокировочные конденсаторы, насколько я понял, раскрыт в этой статье: "Поскольку затворы находятся на изоляторе, переключатель не должен быть подвешен выше потенциала земли для работы с положительным напряжением. Это также предотвращает возникновение напряжения на линии ВЧ, и поэтому переключатель не требует конденсаторов блокировки постоянного тока." Второе: Здесь, конечно, сморозил глупость. Наверное, корректно сравнивать, SOI (RF-SOI) и GaAs (FET, MESFET, HEMT, pHEMT) И результат сравнения, с большим перевесом на стороне SOI: RF-SOI имеет FOM ~80фс, тогда как GaAs pHEMT имеет значение Ron*Coff FOM ~200фс. Ron напрямую влияет на вносимые потери, а Coff связан с полосой пропускания и изоляцией. Добавление шунтирующего транзистора увеличивает Coff одновременно улучшая изоляцию, снижая вносимые потери, но уменьшая полосу. Третье: милитаристская Япония, заявляет следующее (см. картинку): блокировочные конденсаторы внутри микросхемы (на кристалле)

+-10В

Нашёл и "ключики" там же, ещё раз ОГРОМНЕЙШЕЕ СПАСИБО за подсказку Но у них, там передовой "advanced" 120 нм техпроцесс pHEMT: "One series and two shunt pHEMTs per throw typically provide 2.6 dB insertion loss and 29 dB isolation at 50 GHz. This IC is fabricated in MWTC’s advanced 0.12-μm gatelength GaAs pHEMT process." Обратносмещённый диод подразумевалось (обычный диод Шоттки) катодом к плюсу питания? Или что-то другое? Потому что есть такой техпроцесс на Win Semiconductors PIH1-10 (https://www.winfoundry.com/en-US/News/news_content/3631) в котором pin-диод совмещён с pHEMT транзистором да ещё и с логикой (CMOS и SiGe нервно курят в сторонке). Понятно, что этот адвансед 120нм делали под себя как IDM и что там у них в составе сказать сложно, может и лучше чем у WIN PIH1-10. Но внешние ёмкости по RF всё равно ставят, Skyworks говорит что на SOI внешние конденсаторы по RF не нужны

Даже не знаю На схемах выше - они (транзисторы) в составе pdk. Про корпусные не владею информацией

Благодарю

Сам ключ то спроектирован (рассчитан) на pHEMT (правда без внутренних емкостей на шунтирующих транзисторах ) А вот где подсмотреть как спроектировать выдержит он DC или нет - непонятно

SKYWORKS пишет, что обязательны внешние DC конденсаторы: "GaAs RF Switch Fundamentals A switching field effect transistor (FET) functions as a three port device, where the source and drain ports form a conduction path or channel for the RF signal and the gate port controls whether the channel is opened or closed. A DC control voltage applied to the gate is required to create this function. Most switching FETs use a depletion mode configuration, which means that the channel is normally in its low resistance state with no voltage applied and in its high resistance state when a negative voltage is applied to the gate with respect to the drain and source. For positive control voltage operation, RF ground connections must be floated by inserting a DC block between the FET and ground. Also, DC blocks are required on the RF ports (see Figure 1)." sky_switch_product_brief_bro378-10a.pdf А Macom предлагает КМОП в качестве драйвера (видимо которую можно реализовать и на pHEMT). Поможет ли это с изначальной задачей (потери от 0 Гц и выдерживает +5 В и -5 В) - вопрос? S2079.PDF Но обратносмещённых диодов на затворах (в pHEMT) не попадалось. Если у Вас есть статьи или дизайн по этому вопросу - поделитесь пожалуйста

alex-sss, cпасибо Вам огромное!!! Нужно и полезно, а главное - оперативно