НЕХ

Можно, но следует добавить синфазный дроссель по питанию DC/DC - он убережет от dV/dt (только чтоб не резонировала проходная ёмкость и индуктивность дросселя) (сам обхожусь маленьким колечком, 500 кГц, обмотки по 4 виточка, не более 5 пФ, одна первичка и 6 вторичек) Они ещё нас переживут... http://www.ineltron.de/english/isahaya-dat...tation_2011.pdf http://www.idc-com.co.jp/english/product/hybridic/03.html

А ёмкость у них какая межобмоточная ?

Вот только mosfet не слышат ваших заклинаний... "The longer the ZVS dead-time, the more charge can be accumulated in the free-wheeling diode device, whatever its construction. In the case of the free-wheeling diode being a MOSFET body-diode, the recovery can be labored and potentially hazardous to the device being recovered. Dynamic avalanche may be seen at high rates of recovery that can result in catastrophic failure. A parasitic bipolar junction transistor (BJT) within the MOSFET can be enabled and its lack of safe-operating-area and sufficient breakdown voltage can precede microscopic hot-spot induced failure within the MOSFET. High temperature can aggravate the matter by increasing a stored charge, reducing the base-emitter voltage threshold of turn-on in the BJT, and/or reducing the thermal margins for the hot-spot formation process. In general, the less time the output stage switch sees in a reverse current flow mode without being turned-on, the less stored charge can be accumulated in a free-wheeling diode of any form. (Minority-carrier mechanisms being the least well behaved.) For example, a MOSFET is just as conductive in its controlled majority-carrier channel during reverse main-terminal operating conditions as it is when the main-terminals are normally biased (forward current). When so enabled it appears as two devices in parallel, a MOSFET and a diode. The lower the resistance of the MOSFET, the more of the current is diverted from flowing through the diode. In some situations the result of having the majority-carrier channel normally biased may be more than a simple current diversion and may sometimes also result in the physical distribution of charge within the MOSFET being more desirable when the majority-carrier current flows are active." В них всё с точностью наоборот !

Там нет никаких дорожек и проволочек на силовом пути - вывод припаян к кристаллу всей площадью.

Периодически заставлял ВТА41 коммутировать 7кВт. Справлялись без страха. Единственная проблема при коротком замыкании в нагрузке без принятия спецмер. Отключается автомат, возникает перенапряжение, пробивается промежуток между выводами и заземлённым радиатором. Дуга горит в автомате и отгорающем выводе. Итог - всё черно и вставка плавкая на сотню ампер останавливает процесс...

это просто источник питания. и тиристоры есть с управлением по волокну. и всё это накачивается лазерным светом.

источник самых сильных помех - закрывающийся диод. поэтому - лучше без "косых", что-нибудь с ZVS на MOSFET. самым шумным будет ККМ...

суперконденсатор (ионистор) ?

начать с IRF510 гуглить на "class E" и "class Ф2"

Не для тиристоров - http://www.jdsu.com/ProductLiterature/ppc12e_ds_pp_ae.pdf 12 V Photovoltaic Power Converter

В сварочном инверторе это регулярный процесс.

понятия не имею - коричневое колечко. лампа индукционная. http://forum.ixbt.com/topic.cgi?id=48:8524

:bb-offtopic: ...в настольной лампе 23W osram уже давно трудится пара полевичков на 2,7 МГц. ELP чаще встречается ближе к таким частотам.

А пьезокерамический резонатор не прокатит ? И не кварцем единым - "Использование лангаситовых резонаторов в генераторах, управляемых напряжением (ГУН) позволяет существенно увеличить пределы перестройки." танталат лития тоже подходит - http://www.newpiezo.com/ru/langasite.html "Разработаны резонаторы (РТЛМ-17) на основе "сильного" пьезоэлектрика танталата лития с частотой последовательного резонанса 35, 70 и 140 МГц по первой механической гармонике. Особенностью этих резонаторов является большой резонансный промежуток 5-8%. Генераторы управляемые напряжением, созданные на основе этих резонаторов, способны перестраиваться по частоте до 5 % при изменении нагрузочной емкости от 4 до 30 пФ. Температурная стабильность этих резонаторов на порядок выше стабильности LC контура. Добротность достигает 1,5-2 тысячи"

а есть ли в схемотехнике источника ограничения на величину выходной ёмкости ? (поиск готовых решений в сети даёт схемки с единицами мкФ на выходе для исключения экстремальных токов при коротком замыкании - важен ли такой подход ?)

http://www.nxp.com/documents/data_sheet/TDA5140A.pdf ?

если не лень мотать - попробуйте на МРР за морем такое диво - http://www.cmi-ferrite.com/products/Gapped.htm пока искал, попалось это - http://www.ieee.li/pdf/viewgraphs/fundamen...tics_design.pdf ...до поры - до времени

Не знаю - ни разу не видел обратноходов на кольцах... Большой размах рабочей индукции не будет препятствовать глобальному потеплению.

LV 25-P, например. http://www.lem.com/docs/products/lv%2025-p.pdf

светодиод быстро включается и выключается, как никакой другой источник паразитной засветки. кроме этого длительность вспышки, вероятно, постоянна. ФВЧ требуется.

MPP, как бы, мопермаллоевая пудра. Лучшая из пудр по потерям.

а если бюджет позволяет - почему бы не MPP ? http://www.mag-inc.com/products/powder-cores/mpp-cores

Смешные проблемы ! Дроссель трехфазный поставьте по выходу преобразователя. Дело в ёмкости кабеля и чуткой защите IGBT.

FMC, если интересно, то про адаптивный драйвер расписано тут - http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=81435 а трехуровневый инвертор описан тут - https://www.google.com/url?sa=t&rct=j&a...TjxF5xUYEu145Gg (Ваша личная почта на электрониксе не работает, пока не опубликуете десяток постов)

тогда ещё может проситься стабилитрон, фиксирующий напряжение между общей точкой истоков и базами верхних транзисторов каскода. Если интересуют частоты выше 2 кГц, то нет равных полевику BF862.