Jump to content

    
Sign in to follow this  
Zuse

Схемотехника лабораторных импульсных ИП

Recommended Posts

10 часов назад, wim сказал:

Не имею возражений - я сказал то же самое другими словами.

 

Ну, давайте по кругу пойдём - какие Ваши доказательства невозможности применения этих транзисторов в линейных схемах. Без ссылок на то, что это всем известно ещё со времён Бонч-Бруевича.

Доказательство в том, что современные полевые транзисторы с большой площадью кристалла и значительным числом запараллеленных структур имеют значительные проблемы с температурной нестабильностью в линейном режиме. Во времена Бонч-Бруевича таких проблем не было, да даже пару поколений структур назад эти проблемы были гораздо меньше. Linear Mode Operation and Safe Operating Diagram of Power-MOSFETs. - теория с выводами на странице 12. Про тепловое сопротивление и хороший тепловой контакт.

Application Note AN-1155, MOSFETs Withstand Stress of Linear-Mode Operation(Abdus Sattar from Ixys)  - тоже самое про обеспечение сверхнизкого теплового сопротивления для недопущения температурной разницы.   

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 часа назад, haker_fox сказал:

почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента?

Одни точнее, но дольше считаются, другие попроще, но быстрее.

Share this post


Link to post
Share on other sites
31 минуту назад, iliusmaster сказал:

современные полевые транзисторы с большой площадью кристалла и значительным числом запараллеленных структур имеют значительные проблемы с температурной нестабильностью в линейном режиме

Нет никаких проблем, если мы не выходим за пределы ОБР. Я об этом уже 100500 раз говорил. А в ключевом режиме это что ли не так? При этом в качестве альтернативы предлагают архаичные биполярные транзисторы, у которых тоже есть участок вторичного пробоя.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 minute ago, wim said:

А в ключевом режиме это что ли не так?

Гм... не выходит ли так, что линейный режим - растянутый ключевой? И, выходит, в любом случае нужно просто не выходить за ОБР.

4 minutes ago, SSerge said:

Одни точнее, но дольше считаются, другие попроще, но быстрее.

Т.е. так вот банально просто)

Share this post


Link to post
Share on other sites
4 часа назад, haker_fox сказал:

Почему нельзя иметь одну полную?

Основная проблема моделей 500-го уровня - это ошибка сходимости численных методов.

Только что, haker_fox сказал:

в любом случае нужно просто не выходить за ОБР

Да, но есть разные участки ОБР. Есть область теплового пробоя - это там, где пальчику уже горячо, но транзистор ещё работает. Умирает, но работает. И есть участок вторичного пробоя, где он умирает, даже не успев нагреться.

Share this post


Link to post
Share on other sites
30 minutes ago, wim said:

И есть участок вторичного пробоя, где он умирает, даже не успев нагреться.

К своему невежеству не знаю, как его определить графически. Не поможете?):blum3: Т.е. какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя? При проектировании своей нагрузки на IRF3205 я сделал всё, чтобы точка транзистора просто не ушла за самую "нижнюю" кривую. Спасибо)

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 часа назад, haker_fox сказал:

почему существует огромное количество уровней моделей для одного и того же элемента? В том же Micro Cap на один транзистор может быть до 10 уровней (LevelX, BSimx). Почему нельзя иметь одну полную? Или как учитывать нюансы их выбора для расчётов?

много людей и у каждого свои вкусы. Те, кто ближе к топологии ИС,  используют модели с заданием геометрических параметров  и погонными емкостями стока затвора. Кому то это не нравится и используют абсолютные значения паразитных емкостей. Кому то не нравится и то и это потому что вычисление поведения емкостей в динамике на их взгляд усложнено (тормозит) из-за непростых формул физических процессов , приближенных к теории, и они рады их заменить более простыми эмпирическим формулами поведения емкостей. Кому то надо более точное поведение от температуры и вводят два коэффициента для более точной аппроксимации, а кому то это по барабану , если надо быстрее считать.

Одну полную иметь нельзя. Конкуренция между изготовителями пакетов САПР в скорости обсчета схемы заставляют их искать всякие разные методы ускорения расчетов, не влияющие драматически в их области на качество моделирования.

Учитывать нюансы для их выбора- это по вкусу и желанию тратить время на это неблагодарное иногда занятие. Если у Вас есть сапр, в котором Вы проектируете - используйте рекомендации изготовителя этого сапра при выборе моделей.

Поведение боди-диода через подложку вообще как правило неверно моделируется в встроенных моделях (важно для проектантов ИИП) и поэтому существуют рекомендации для чувствительных схем по этому параметру подключать "внешний" должный диод в подсхеме спайса для элемента, который более точно опишет процессы рассасывания.

Share this post


Link to post
Share on other sites
21 минуту назад, haker_fox сказал:

какие характерные признаки на графике участка вторичного пробоя?

MOSFET secondary breakdown.pdf

 

5 минут назад, wim сказал:

SOA.png

Вы так и не ответили, что делать в случаях, когда этого перегиба нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Только что, Plain сказал:

что делать в случаях, когда этого перегиба нет

Ответил ещё раньше - использовать MOSFET  с более высоким напряжением V(BR)DSS.

Share this post


Link to post
Share on other sites
9 minutes ago, Plain said:

Число философский вопрос )))

А что в России перестали толковые технические книжки писать ?

Share this post


Link to post
Share on other sites
15 минут назад, dimka76 сказал:

А что в России перестали толковые технические книжки писать ?

Про полевые транзисторы? Так их и не было. То есть книжки писАли, но они содержат ложные утверждения, поэтому толковыми их никак не назовёшь.

ОБР.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

Уважаемые @Plain, @wim, спасибо за инфу про вторичный пробой. Будет, что на выходном прочитать.

Уважаемый @тау, благодарю за объяснение про модели!

Share this post


Link to post
Share on other sites
31 минуту назад, wim сказал:

использовать MOSFET  с более высоким напряжением V(BR)DSS

Это не синоним и не гарантия наличия у таковых перегиба на графике — т.е. в отсутствие перегиба, весь график ОБР становится графиком вторичного пробоя?

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 минуты назад, Plain сказал:

Это не синоним и не гарантия наличия у таковых перегиба на графике 

Нужно исходить из того, что перегиб реально существует, но не отражён в даташите. Выбор транзистора с более высоким напряжением отодвигает участок вторичного пробоя вправо от рабочей области. Других советов по использованию неправильных транзисторов в линейном режиме у меня нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this