[Turgenev 1]

31.08.2021 в 00:18, Freesom сказал:

Потому что график обратных потерь в дБ несёт информацию только о мощности, а есть ещё фаза. А фаза как раз и показывает соотношение действительной и мнимой частей комплексного импеданса. Но и обратные потери можно представить не в дБ и фазе, а в виде действительной и мнимой части. Когда согласование не идеально, отражение может быть чисто активным, или чисто мнимым, или комплексным. На графике S11 в дБ все эти варианты могут выглядеть одинаково, разница будет только в фазе.

Согласен, спасибо за объяснение. Но нужно еще небольшое разъяснение. График обратных потерь в дБ можно получить взяв модуль от импеданса порта (корень квадратный из суммы квадратов активной и реактивной составляющей). Т.е. график обратных потерь тоже учитывает реактивную составляющую. Я это к чему всё: привык смотреть на АЧХ, игнорируя ФЧХ вовсе. Можете ли вы указать пример, когда S11 в дБ идеален (потери больше 20 дБ), а на ФЧХ или на диаграмме Смита все плохо?

И правильный ли вывод, что чем ближе активная составляющая импеданса неидеально согласованного устройства к 50 Ом, тем больше обратные потери, т.е. меньше S11, лучше КСВ?

 

 

 Как в схематике размещается любой сосредоточенный элемент, чтобы при просмотре топологии был учтен размер этого элемента (корпус)? Т.е. на скрине вместо отрезка TL18 должен встать резистор R1. Длина резистора равна длине отрезка TL18 (корпус резистора 0603). Тоже самое касается и S-параметров сосредоточенного элемента- к цепи я его подключу, а как учесть промежуток, который имитирует корпус элемента?

Скрытый текст

 

Изменено 1 сентября, 2021 пользователем Turgenev

[K0nstantin 5]

2 часа назад, Turgenev сказал:

 Как в схематике размещается любой сосредоточенный элемент, чтобы при просмотре топологии был учтен размер этого элемента (корпус)? Т.е. на скрине вместо отрезка TL18 должен встать резистор R1. Длина резистора равна длине отрезка TL18 (корпус резистора 0603). Тоже самое касается и S-параметров сосредоточенного элемента- к цепи я его подключу, а как учесть промежуток, который имитирует корпус элемента?

  Скрыть содержимое

 

 

 

Назначить резистору R1 либо вашему Субблоку S-параметров топологическое представление (ПКМ в Схематике/Layout). В GDS библиотеке рисуете Layout желаемого элемента. Там же ставятся порты (пины), к которым будут тянуться соединения к подключаемым далее элементам в схеме. 
Плавно перетекаете в AWR? :)

[Freesom 22]

6 hours ago, Turgenev said:

Можете ли вы указать пример, когда S11 в дБ идеален (потери больше 20 дБ), а на ФЧХ или на диаграмме Смита все плохо?

20дБ это круг в примерно 10 Ом вокруг ваших 50 Ом на диаграмме Смита. Может быть 41 или 61 Ом или 50±j10 Ом. Это уже плохо или ещё нет?

[Turgenev 1]

19 часов назад, K0nstantin сказал:

В GDS библиотеке рисуете Layout желаемого элемента.

  Спасибо. Сразу вспомнились основы моделирование в офисе от Дмитриева. Там это подробно расписано.

19 часов назад, K0nstantin сказал:

Плавно перетекаете в AWR? :)

Стало до жути интересно проверить, когда узнал что схематик AWR дает сходимость с измерениями реальной платы.

 

27.08.2021 в 15:24, cismoll сказал:

Это да, похоже, что никак.

Оказывается можно! В измерениях указываем APLAC симулятор, чтобы он автоматически создавал наборы данных в Data set (не графики!).

Скрытый текст

Затем создаем дубликат измерений и в качестве источника указываем интересующий датасет, напихивая таких измерений в 1 график сколько влезет:

Скрытый текст

 

14 часов назад, Freesom сказал:

20дБ это круг в примерно 10 Ом вокруг ваших 50 Ом на диаграмме Смита. Может быть 41 или 61 Ом или 50±j10 Ом. Это уже плохо или ещё нет?

Это одно и тоже по потерям, рискну предположить или я не понял о чем вы. Построил на диаграмме Смита этот круг в подтверждение своих слов:

Скрытый текст

 

 

 

Созрел еще вопрос. У меня в Data files лежат S-параметры и ноунейм табличные данные (выделено на скрине слева). В настройках Data files указано, что в этот раздел я складываю Z-параметры, нормируя их на 1. Почему настройки Data files никак не отражаются на S-параметрах? Какую бы нормировку не ставил или тип данных не выбирал моделирует по одинаковому.

Скрытый текст

 

[cismoll 13]

1 hour ago, Turgenev said:

Затем создаем дубликат измерений и в качестве источника указываем интересующий датасет, напихивая таких измерений в 1 график сколько влезет:

Да, получилось, спасибо.

Не очень, конечно, удобный способ, когда, например, надо одновременно контролировать КСВН входа и амплитуды и фазы нескольких выходов.

[Turgenev 1]

38 минут назад, cismoll сказал:

Да, получилось, спасибо.

а не насторожило использование не дефолтного симулятора, а APLAC? В чем разница?

[cismoll 13]

1 hour ago, Turgenev said:

а не насторожило использование не дефолтного симулятора, а APLAC? В чем разница?

Нет, не насторожило. Это "просто" другой солвер, который AWR когда-то давно купила вместе с компанией, его разработавшей, и встроила в свой интерфейс. Насколько я понимаю, разница была бы заметна при нелинейном моделировании. Странно только то, что возможность так работать с датасетами появляется лишь при его использовании.

Вообще, конечно, было бы полезно знать разницу между солверами. Так навскидку ничего не нашёл.

 

[Freesom 22]

 

22 hours ago, Freesom said:

Можете ли вы указать пример, когда S11 в дБ идеален (потери больше 20 дБ), а на ФЧХ или на диаграмме Смита все плохо?

8 hours ago, Turgenev said:

Построил на диаграмме Смита этот круг в подтверждение своих слов:

Ну так вот, речь о том, что все точки имеющие отражение меньше -20 дБ будут попадать внутрь этого круга. Всегда. Это к вопросу, возможно ли что на графике S11 отражение меньше 20дБ, но на диаграмме Смита всё плохо. Всё зависит от того что считать плохо. Будет там 52+j7 Ом, например. Это плохо или где?

 

[Turgenev 1]

02.09.2021 в 23:11, Freesom сказал:

Это плохо или где?

Это КСВ 1.1 или больше 20 дБ обратных потерь в 50 омной системе, а хорошо это или плохо зависит от задачи. Я так думаю.

 

Не подскажите как задать воздух в качестве подложки в AWR? А именно тангенс диэлектрических потерь и Rho? На большой Rho (больше 100) ругается симулятор.

[K0nstantin 5]

2 часа назад, Turgenev сказал:

Это КСВ 1.1 или больше 20 дБ обратных потерь в 50 омной системе, а хорошо это или плохо зависит от задачи. Я так думаю.

 

Не подскажите как задать воздух в качестве подложки в AWR? А именно тангенс диэлектрических потерь и Rho? На большой Rho (больше 100) ругается симулятор.

Rho это ведь сопротивление дорожки относительно золота. К подложке оно не имеет отношение.

Чуть Вас подкорректирую: зависит от ТЗ (она же задача). Кому-то и 1.5 норм и 2, кому-то 1.1 беда (читал здесь на форуме, что кого-то за это выгнали с работы :D ). Да и полосу нужно смотреть. В природе ничего идеального не бывает и всё относительно, тут прибыло, там убыло. + ещё не раз здесь скажут, что на погрешности измерений теряется больше.

[Turgenev 1]

16 часов назад, K0nstantin сказал:

Rho это ведь сопротивление дорожки относительно золота.

Согласен, снова напутал. А тангенс угла диэлектрических потерь (tand) для воздуха не подскажите?

[K0nstantin 5]

2 часа назад, Turgenev сказал:

Согласен, снова напутал. А тангенс угла диэлектрических потерь (tand) для воздуха не подскажите?

Везде значится 0

[Tonilo 0]

Подскажите, отчего после созданий EM structure  на графике все значение уползают?

Изменено 11 сентября, 2021 пользователем Tonilo

[K0nstantin 5]

11 часов назад, Tonilo сказал:

Подскажите, отчего после созданий EM structure  на графике все значение уползают?

Первоначально вам нужно увеличить габариты подложки. От края полоска до края дорожки должно быть не менее двух толщин подложки. Это же касается на самом деле и  сторон, где расположены порты. Там можно использовать Deembeding на длину более двух толщих подложки, заранее увеличив полосок на эту длину.

[Damyen 1]

20 часов назад, K0nstantin сказал:

Подскажите, отчего после созданий EM structure  на графике все значение уползают?

В каком смысле уползают? Если вы промоделировали в схематике, то получите одни зависимости коэффициентов. Если по этой же схеме, создали ЭМ-структуру, и попробуйте промоделировать, значения у вас уползут, это неудивительно, так как схематик и аксием по-разному расчет производят.