Plain 168 4 февраля Опубликовано 4 февраля · Жалоба 16 минут назад, ChristinaChadzynski сказал: где там рядом ИС? Если имеете ввиду, где те ИС на моей схеме, уже несколько раз говорил — это J1, потому что внутри ИС тоже один транзистор, только гораздо нежнее. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ChristinaChadzynski 1 4 февраля Опубликовано 4 февраля · Жалоба До этого Вы говорили, что нужно защищать ИС от пробоя в нагрузке-джфете. Теперь выясняется, что ИС - это сам транзистор.. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
vervs 24 4 февраля Опубликовано 4 февраля · Жалоба 2 часа назад, ChristinaChadzynski сказал: Теперь выясняется, что ИС - это сам транзистор. ...или несколько транзисторов(каскадов) в одном корпусе. Автор не привел модель ИС/транзистора, отсюда и непонятки, скорее всего GaAs и нужно примерно это Active Bias Networks for FETs на рассыпухе. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ChristinaChadzynski 1 4 февраля Опубликовано 4 февраля · Жалоба 32 minutes ago, vervs said: ...или несколько транзисторов(каскадов) в одном корпусе. Да не важно - лишь бы всё это было бы одним и тем же на всём протяжении разговора. А то как будто за руками фокусника пытаешься уследить... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
A.V.Avtomat 11 6 февраля Опубликовано 6 февраля · Жалоба В 04.02.2024 в 15:13, ChristinaChadzynski сказал: А то как будто за руками фокусника пытаешься уследить... .. особенно, если сам являешься фокусником и пытаешься навести тень на белый день Причём в каждой теме именно так такой же флэйм по каждому чиху и ни слова по сути Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
