evgdmi

Я редактирую LPF только если отредактированное нужно использовать во всех проектах. Например, я в основном работаю на высоких частотах, поэтому в LPF меняю МГц на ГГц. В AWRDE можно создавать структуру упрощенным способом, когда можно самому создавать слои и материалы. Это удобно для простых структур. Для сложных многослоек обычно лучше использовать менеджер топологии, который позволяет создавать любые слои, материалы и перемычки в любом файле LPF. Но есть и альтернативный способ, вместо LPF использовать элемент STACKUP,, в котором можно создавать любые слои и материалы. Во вложенном файле есть два примера ЕМ структур созданных разными способами. Там же есть и описание, как они создавались. Посмотрите, может пригодится. Использовалась AWRDE v.14. Projects.rar

Я как то читал про этот файл, но не помню где. Завтра постараюсь вспомнить, на работе у меня эта запись сохранилась. А вот редактировать этот файл иногда приходится. Делается это просто. Нужно найти этот файл на диске (он в корневом каталоге AWRDE) и нажать клавишу F4. Можно добавлять новые слои, изменять единицы измерений по умолчанию и пр., потом сохранить. Но сохранять лучше с другим именем, например LPF1, на всякий случай, чтобы нечаянно не испортить основной файл.

Присоединяюсь. Успехов во всём, и в трудах, и в личной жиизни.

На этой вкладке щёлкните по кнопке Справка, откроется окно с описанием работы этой опции.

Сомневаюсь. Нигде не видел многослоек в линейном моделировании, такая структура требует 3-х мерного моделирования. Если я ошибаюсь и Вы найдёте что то подобное, покажите здесь.

Maksimka прав. У Вас резисторы и конденсаторы не включены в экстракцию, посмотрите свойства этих элементов, у них не отмечено Enable. Но экстрактор видит соседние элементы и понимает, что между ними должен быть включён какой то элемент, а для этого должны быть порты. Ну и экстрактор, как добросовестный работник, создаёт эти порты. Чтобы экстрактор извлёк резисторы и конденсаторы для них нужно создать топологию в менеджере топологии. Вы это сделали, но с какими то ошибками. Посмотрите их в менеджере топологии, они перечёркнуты красными линиями. Однако топология схемы выглядит выглядит правильно. И ещё. Экстрактор извлекает топологию схемы и если в топологии схемы есть ошибки, то эти ошибки будут и в ЕМ структуре. Поэтому сначала нужно отрыть топологию схемы и убедиться что она правильная или выделить всю и щёлкнуть по значку Snap Together. У Вас в схеме есть подсхема, которая не соединена с соседним элементом, т.е. в схеме есть разрыв. Значит и тополгии будет разрыв и она будет извлечена с разрывом в ЕМ структуре и двумя портами (на входе и выходе схемы), в разрыве портов не будет, т.к. там ничего не подключено. Если подсхему соединить проводом с соседним элементом, то и в ЕМ структуре разрыва не будет. Для выполнения экстракции не обязательно поводить анализ, достаточно щёлкнуть по элементу EXTRACT правой кнопкой мышки и выбрать Add EXTRACTION. И это ещё не всё. Посмотрите 3-х мерное отображение полученной ЕМ структуры. Там на месте резисторов и конденсаторов пусто, нет соединений. Поэтому и график после анализа останется прежним. Это из-за ошибок в моделях резисторов и конденсаторов. Но с этим я не разбирался, не успел, больно солидный проект. Но немного выше я уже показывал как можно сделать модель конденсатора и резистивный слой для простоты, хотя можно смоделировать и настоящий, если известны габариты и слои. В заключение прикладываю проекты с несколькими изменениями. Там два проекта, с разрывом и без. AMP_1350_2690MHz.rar

А Вы можете здесь выложить свою схему? И какой версией AWRDE Вы пользуетесь.

Посмотрите этот пример. Там есть пример создания конденсатора в менеджере топологии и его включение в топологию. Конденсатор имеет несколько слоёв. Их можно сдвигать, чтобы посмотреть что это за слой и какой материал. Порты конденсатора тоже должны использовать соответствующий материал. Также там есть документ с описанием как создать аттенюатор используя резистивный слой. Может поможет. Wire.rar

Возможно потому, что Ваш симулятор просто не видит резистор и конденсатор. Чтобы он их увидел, нужно создать соответствующие ЕМ модели. Это можно сделать в менеджере топологии Layout. Для резистора можно сделать упрощенно, просто в слоях корпуса добавить соответствующий резистивный слой и назначить его резистору в ЕМ структуре. Для конденсатора сложнее, нужно делать модель.

При экстракции из схемы извлекается ЕМ структура, а у неё всегда порты 50 Ом. Даже если изменить омность порта, анализ ЕМ структуры будет выполняться с 50 Ом. Портам можно назначить или порт возбуждения, или порт нагрузки и назначить им желательный импеданс. Но на анализ это не влияет, но на вычисление фазы влиять будет.

Возможно требуется лицензия. У Вас она есть?

Для перерасчёта можно использовать FilterSolution или AWRDE.

Можно же обойтись и без наставника, просто внимательно изучить руководство пользователя. Да и в имеющихся примерах поискать что нибудь похожее. Правда это потребует терпения и довольно много времени.

В AWRDE, точнее в Microwave Office, который входит в состав AWRDE, среди других вычислителей, имеется нелинейный анализ, который выполняет анализ подобных схем. Если в схеме имеются близко расположенные металлические полоски, их взаимное влияние можно учесть используя экстракцию.

Промоделировать можно в AWRDE.

Это точно. К тому же 3-х мерную структуру можно начертить в AXIEM и передать для анализа в Ansys, что бывает удобно.

Я в таких случаях обычно использую ФНЧ.

Я получил это сообщение на почту и ответил, но ответ почему то не дошёл, поэтому повторюсь. Когда то в давние времена мы брали пластину из жёсткой стали, вырезали по контуру фланца, по внутреннему сечению волновода на пластине делали насечку и раздвигали в разные стороны. После свинчивания двух фланцев для надёжности по их контуру обмазывали поглощающей смазкой. Не помню как она называлась, поставлялась в тюбиках и на воздухе быстро застывала.

Присоединяюсь С днём Советской Армии, в которой я служил 3 года в далёкой молодости.

Присоединяюсь к поздравлениям. Всем успехов в работе, счастья в личной жизни и чтобы сбылись пожелания, если такие были в Новогоднюю ночь.

Проект смоделирован в 14-ой версии, сохранён в 13-ой, хотя не совсем уверен, что он сохранился в 13-ой. Проверит не могу, у меня нет 13-ой. А вот насчёт топологии к усилителю я уже написал некоторые предположения. Думаю что может быть поможет экстракция, чтобы получить ЕМ структуры проводников. s-параметры вряд ли помогут. Насчёт SPICE модели боюсь что то сказать, но для экстракции она вроде годится.

Попробуйте, но у меня в 14-ой версии почему то не сработало. Может что то не учёл. Между прочим в ЕМ структуре можно создать резистивный материал и начертить полигон с этим материалом в разрыве между проводниками, или начертить параллельный шлейф к полигону, замкнутому на землю. Тогда можно видеть ток текущий и по резистору, и по замыкающей перемычке. А вот что будет если подключать не резистор, а транзистор или микросхему? Наверное если и можно просмотреть токи, то только входящие и выходящие.

Сегодня между делом попробовал два варианта. В первом разрезал полосок, но не раздвигал и использовал внутренний порт. Во втором полоски раздвинул и добавил порты стороны. В обоих случаях добавил резистор (res). В ЕМ структурах токи видны, а в резисторах нет. Вероятно потому, что у них нет топологии и они не могут показать ток. Возможно, если в менеджере топологии создать топологию для резистора, может ток и будет виден, а может и нет. На всякий случай выкладываю проект. Я моделировал в AWRDE v.14, но сохранил в 13-ой. Надеюсь, что откроется. Но на всякий случай выкладываю и картинки. Current-resist.rar

Т.е. Вы разрезаете полосок на две части, раздвигаете их и в промежуток ставите компонент? Или используете внутренние порты? И какой компонент Вы вставляете, микрополоску или резистор?

Да, Analyst поддерживает, но я с ним не работаю, на него у меня нет лицензии. Я занимаюсь только планарным моделированием. А трёхмерным занимается мой коллега, но он работает в CST.