magnum16

Посмотрите здесь http://www.g3ynh.info/zdocs/refs/Medhurst/Medhurst1947.html P.S. Если Вам нужен широкополосный дроссель, попробуйте конические (например, http://www.piconics.com/conical-inductors/ )

Тогда можно сделать на полевом транзисторе, включенном последовательно с нагрузкой. (Сток к питанию, исток к нагрузке). Управление можно делать на трансформаторе или на драйвере с подвешенным питанием. С транформатором задержки меньше.

начать нужно с определения нагрузки и частоты повторения

для импульсных полей можно использовать http://www.vniiofi.ru/depart/m12/ippl.html

книга есть на http://gen.lib.rus.ec

Если я Вас правильно понял, то получается что-то типа: (нижняя цепь) Мне кажется, это не особо лучше просто демпфирования LC колебаний резистором без использования линий с контролируемым импедансом. Полосковую линию малого импеданса сделать сложно. (25 Ом на fr4 1.5 мм это ширина полоска порядка 10 мм)

Затвор силового транзистора согласовать с линией в широкой полосе частот сложно. По крайней мере, мне не удавалось. Конечно, все зависит от фронтов и затворных емкостей.

Конечно, имеет смысл сближение только тех проводников, по которым течет ток контура. Но так как нас интересует ВЧ ток, то он может проходить через фильтрующие емкости. ВЧ сигнал идет по пути наименьшего импеданса. В Ваших примерах в 1 случае индуктивность не изменится, во 2 случае уменьшится, если ВЧ ток будет идти по +300V. (для этого надо добавить еще конденсатор около драйвера между +300V и COM )

верно при любом расположении. уменьшается индуктивность контура, т.к. уменьшается его площадь.

Берем формулы из Калантарова http://gen.lib.rus.ec/book/index.php?md5=2...43E0&open=0 Индуктивность проволоки на ВЧ L=mu0*l/2/pi*(ln(2*l/r)-1) Взаимная индуктивность двух проводников при h<<l (h - расстояние между проводниками) M=mu0*l/2/pi*(ln(2*l/h)-1+h/l-h^2/4/l^2+...) далее прикиньте сами

Давайте посчитаем индуктивность петли. Если полигон, по которому течет обратный ток, находится под дорожкой по всей ее длине, то для оценки можно использовать формулу для провода над проводящей стенкой. См., например, http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%98%D0%BD%...%81%D1%82%D1%8C (Проволока параллельна стене, высокая частота). Пусть a=0.5 мм, d=1.5 мм (толщина платы). Для длины 380 мм получаем 137 нГн. Способы уменьшения индуктивности - уменьшение толщины платы или препрега для многослойки и увеличение толщины дорожки. Параллельные проводники хуже, чем одна дорожка с шириной равной сумме проводников и зазора между ними. Полезная ссылка http://www.learnemc.com/tutorials/estimati...mating-L01.html

Если дорожки будут близко, то индуктивность уменьшится не сильно из-за взаимной индуктивности. Вообще, в вашем случае надо рассматиривать индуктивность петли, а не участка цепи. Как у Вас течет обратный ток?

Попробуйте спросить в http://www.trimcom.ru/

на http://gen.lib.rus.ec/ есть

У керамики класса 2, к которой относится X5R, емкость сильно зависит от величины напряжения, как постоянного, так и переменного. Также есть зависимость от частоты. Например, емкость кондесатора 10 мкФ 25 В X7R на частоте 10 кГц, при смещении 6,3 В и амплитуде 1 В примерно равна 5 мкФ, если верить измерителю Е7-20.

30 сентября начинается онлайн курс "Введение в силовую электронику". Ведет курс Robert Erickson, автор книги Fundamentals of Power Electronics. Курс на английском. Записаться можно здесь https://www.coursera.org/course/powerelectronics

Судя по схеме, питание драйвера 10 В.

Почему не сместить синус на половину питания логики? На 100 МГц можно и без компаратора сразу на вход логики.

Еще варианты могу подбросить: http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDD86113LZ.pdf и другие транзисторы fairchild из серии FD*86*** http://www.infineon.com/cms/en/product/mos...112ab6ffab22940 и другие транзисторы infineon из серии optimos

Из кремниевых ВЧ транзисторов можете посмотреть IXYS http://www.ixys.com/Documents/AppNotes/CO1.pdf http://www.ixyscolorado.com/index.php?opti...t&Itemid=35

По расчету есть информация в книге Dr. Marian K. Kazimierczuk - RF Power Amplifiers (2008)

Я особо дешевых транзисторов способных хорошо переключаться с частотой 70 МГц не встречал. Можно попробовать собрать на SiC или GaN транзисторах. У Cree есть много ВЧ транзисторов, но они довольно дорогие, от 50 долларов. У EPC http://epc-co.com/epc/ есть недорогие силовые GaN транзисторы, можно попробовать их. Например, EPC2012 стоит 3 доллара. http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/RF/...20Amplifier.pdf

http://www.thorlabs.de/thorproduct.cfm?partnumber=LP520-SF15

Подобрать фотодиод по быстродействию, собрать усилитель и измерить на осциллографе. По оптике раздел здесь http://electronix.ru/forum/index.php?showforum=198

Когда я разбирался с моделированием диода в спайсе, мне помогли исходники ngspice. Возможно, Вам тоже будут полезны. Биполярный тр-р здесь http://ngspice.git.sourceforge.net/git/git...90cf224;hb=HEAD и рядом