AndreyVN

Пардон, это касается как раз перепадов. Note that recognition of falling or rising edge interrupts on INT7:4 requires the presence of an I/O clock, described in “Clock Systems and their Distribution” on page 37. Пересадил Int0 на Int1 - такая же картина, по спаду - работает, по низкому уровню - нет. Инициализация прерывания производится не сразу, там много кода, инициализируются LCD экран, таймеры, карта памяти, только потом очередь доходит до внешних IRQ и долгожданного asm("SEI"). Не отработана пока версия о том, что летящие подряд прерывания блокируют фоновую программу.

Да, это я видел в даташите, у меня низкий уровень висит непрерывно. В моем случае АЦП, которое запрашивает прерывание и МК - разные устройства. АЦП запросил прерывание и повис в нуле, МК мог быть выключен, МК включили, он увидел внешнее IRQ получасовой давности и приступил к обработке. Если пользоваться перепадами - возникает зависон в момент включения. В даташите есть что-то невнятное о наличии тактирования для прерывания от постоянного уровня. Какое тактирование? Тактовый генератор самого МК? У меня он работает непрерывно, МК не спит.

Всем привет! Не могу запустить внешнее прерывание Atmega64 int0 по низкому уровню. По фронту- работает, по спаду - работает т.е. аппаратная часть и настройки регистров в порядке. Что может быть не так при работе от низкого уровня? Еще ниже надо?! :-)

Делал ключ как раз на 3кВ, 5 последовательно соединенных IGBT IRGB20B60PD1, недорогие. Щелкал этим ключом по 4 виткам сначала на феррите, потом на альсифере. PS: Пиковые токи довольно трудно измерить в смысле доверия к полученной цифре.

Так и было, слишком много пар набралось на схеме, не красиво.

Подходит! Просто, никогда не пользовался. Как это работает? В футпринте рисуется 4 равноценных пада, а в поле PinEq в описании компонента написать JMP для дублирующих падов?

Всем привет! Хочу перед новым годом нарисовать в Pattern Editor диод под два посадочных места - корпусное и SMD, 4 пада порождают 4 точки подключения, да и при наложении падов Unexpected condition выскакивает. Как выкрутиться, рисовать с корпусным падом загогулину из черточек аля SMD посадка?

Нет, а где цены можно увидеть? А вот здесь, вроде и нечего: http://shop.rusgates.ru/mo-permalloy-mp/ Правда, не понятно пока что это за Mo Permalloy.

Для воздуха с тем-же объемом и намагничивающем полем что у альсифера получим: (4xПИx10-7 x 6400А/м x 6400A/м)/2=24 Дж

Если посчитать запасенную энергию в единице объема магнитного материала (BxH)/2 вблизи насыщения, получим следующее: феррит (280mT×79A/m)/2=11,0 Дж; альсифер (500mT×6400A/m)/2=1600 Дж. Между тем, многие считают, что альсифер канул в прошлое вместе с магнитными головками. Почему материал в 150 раз большей энергоемкости так несправедливо забыт? МногАМотать? Что сейчас популярно из магнитодеилектриков?

Спасибо, помогло!

При попытке симулировать в PSpice 16.2 любую схему с моделью AD8065, скачанной с сайта AD, лезет ошибка: ERROR -- |VON - VOFF| too small for VSWITCH model X_U1. Параметры ключа в модели выглядят правдоподобно: .model Switch vswitch(Von=1.505,Voff=1.495,ron=0.001,roff=1e6) Скорее всего ошибка в чем-то другом, как узнать, в чем? Схему упростил до повторителя.

А подскажите, pls, как решается для нового найденного валидного хэша (бит-коина) - является он дубликатом уже существующего, или нет? Ведь единого сервера с реестром решений, вроде как нет по условию полной децентрализации платежной сети.

Похоже, Вы правы, достаточно ограничиться условием по перемагничиванию, механическая прочность получится сама собой.

Кольцо. 4 витка подобрано (пока), чтобы за 1 мкС происходило 1 полное колебание, в результате которого феррит менял направление намагниченности. Пока работаю с низкими напряжениями 300-400В, коммутирующая способность ключа 2 кВ, опасаюсь, что при выходе на полную мощность феррит треснет, или будет "на грани". Ну раз нет народной мудрости в виде предела прочности "Тл/мм2", проще, будет "пощупать" предел прочности на мелких, колечках.

Что-то не могу найти оценочной формулы для механической прочности феррита при сильных магнитных нагрузках. Есть желание разрядить емкостной накопитель 2 кВ 0.1 мкФ в течении 1 мкС на 4 витка. Вопрос, как оценить площадь сердечника по условию механической прочности???

Это журналы типа "Релейщик", "Энергоэксперт" и т.п. ??? Там же сплошной маркетинг и реклама...

Понятно. Немного освежил в памяти. В теории магнитного упорядочивания "рулит" подход Вейса (молекулярного поля), который вводит придуманное упорядочивающее поле пропорциональное внешнему. Это предположение подставляется в описание одиночного атома и после усреднения дает законы магнетизма, например, магнитную восприимчивость от температуры. Однако, _динамики_ намагничивания он НЕ дает.

С. Крупичка Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. М., Мир, 1976 (в 2x томах) Д. Д. Мишин магнитные материалы М. Высшая школа, 1991 И. Г. Катаев Ударные электромагнитные волны. М., Издательство "Советское радио", 1963 Г. А. Смоленский В.В. Леманов Ферриты и их техническое применение. Повторюсь, я в этих книгах ответ по скорости метаморфоз доменной стенки - не нашел. Вот если бы перемагничивался не ферромагнетик, тогда все проще, ядерная составляющая магнитного момента атома описана, электронная составляющая - тоже. К стати, а Вам обязательно ниодимовый магнит перемагничивать, можно по керосину "ударить", собственно, ЯМР получится. :-) Не понял, в патенте речь идет о геометрии для высокооднородного поля...

Подвижность доменной стенки есть процесс коллективный, а по сему не описываемый простым и наглядным д.у., как например, уравнения Блоха для динамики момента ядра во внешнем поле. Я когда-то капал в сторону импульсного перемагничивания ферромагнетика феррозондового магнитометра. Простого ответа не нашел, со сложным - не разобрался :(.

Еще можно посоветовать А.П. Цитович Ядерная электроника. М., Энергоатомиздат, 1984. Если в сети не найдете, закину *.djvu f (15Mb) а то модераторы иногда ругаются за лишний трафик. Там много полезного по режимам питания ФЭУ с заземленным катодом, анодом, выбором потенциалов динодов и т.п. Понимаю, что обсуждается не конечный вариант высоковольтного питателя, тем не менее бросилось в глаза отсутствие батареи конденсаторов на выходе умножителя. Когда умножитель нагрузится на делитель ФЭУ, появится пила на частоте преобразователя, а ОС будет отслеживать только среднее значение. По моему опыту без батареи конденсаторов суммарной емкостью 0.1-0.2 мкФ никак не обойтись. Правда, у меня всегда был режим заземленного фотокатода, т.е. переменка с высокого сразу попадала на вход усилителя.

Наиболее предпочтительный NaI(TI), можно б/у, но не сильно помутневший. Размер не больше Ф=50 мм, l=32 мм - это габарит доступный для кристалла.

Здравствуйте! При каком давлении происходит/предполагается происходить напыление?

А может, шумов резисторов можно не опасаться? В составе высокого, обычно велика шумовая составляющая, всякого рода утечки, электрохимия. Стандартные схемы фА не измеряют . Меня всегда интересовало КП305E, ток затвора 5*10-3 нА это опечатка (во всех справочниках)? Все остальные буквы - 1нА. Хотя, конечно, теперь это не актуально.

А ссылки на ПТЭ нет? Наверняка, опубликовано... По резисторам. Статистика вполне оптимистичная и вполне _нормальная_. R____.zip