rloc
-
Постов
3 197 -
Зарегистрирован
-
Победитель дней
12
Сообщения, опубликованные rloc
-
-
2 часа назад, Сергей Викт сказал:
сильно растут удельные емкости и удельное сопротивление в открытом состоянии, относительно транзисторов специально спроектированных для низковольтных применений
Сопротивление не растет, емкость увеличивается, но не более обратносмещенного диода. Говорю вам как человек, моделировавший GaN техпроцесс для французской фабрики OMMIC (сейчас MACOM) на основе родного PDK. GaN имеет меньше емкости затвора и стока относительно GaAs при сравнимой крутизне, поэтому предпочтительнее для любых напряжений и применений. По этой причине и из-за грязного производства, выпуск GaAs пластин будет прекращен на всех фабриках, рано или поздно, в том числе в Томске.
-
2 часа назад, repstosw сказал:
Прошёлся по всем ультра-линейным транзисторам: везде питающее напряжение: 24 - 36 - 50 V. По-другому супер-линейность в классе А не получить.
Все транзисторы на высокие напряжения можно использовать на 3.7-5В. По току подбирать, где-то 400-800mA.
Нашел у себя старые записи BPSK 4Mb/s 4kW Class-C:
Паразитная АМ сглаживается в один уровень и на качестве демодуляции никак не сказывается. Перескок фазы делал плавный, 80нс. Спектр расширяется, но потом есть BPF. Это еще на старых биполярных Integra.
2 часа назад, repstosw сказал:И на счёт пуш-пула есть ещё схемы даблер в гибридках.
Похожи на усилители от CATV на 75Ом.
-
21 час назад, repstosw сказал:
А почему вы думаете, что применённый транзистор RQA0011DNS - биполярный? Это MOSFET. Обычный. Кремниевый. Может от того, что не pHEMT и не InGaP и не GaAs, GaN - поэтому менее линейный.
Просто не смотрел. Мощные транзисторы строятся по принципу сложения, очевидно линейность еще зависит от внутренней структуры.
21 час назад, repstosw сказал:На счёт пуш-пула не видел как складываются синфазно мощности с усилителей.
Противофазно (тяни-толкай), в этом и заключается преимущество, в значительном снижении четных гармоник. А вот в Доэрти должны синфазно работать, один транзистор в классе-AB с ограничением (выше точки компрессии, высокий КПД), второй - с отсечкой в классе-C, сразу за порогом ограничения первого. NXP по Доэрти много работали, раньше выпускали готовые паллеты, а сейчас вижу и во внутрь кристалла поместили, правда диапазоны все повыше 450МГц.
21 час назад, repstosw сказал:переплюнет ли она SKY65116
В SKY65116 мне кажется применен трансформатор по выходу. Но сняли с производства.
4 часа назад, Сергей Викт сказал:Область применения GaN это 28-50 В питания.
GaN прекрасно работают от любого напряжения, а с 50В используют потому, что материал позволяет, чтобы не трансформировать сопротивление, или с меньшим коэффициентом, полосу шире сделать.
-
1 час назад, repstosw сказал:
повышения КПД линейного усилителя при сохранении супер-линейности
Есть схема построения УМ, называется Doherty. В разы сложнее Push-Pull, но не количеством элементов.
1 час назад, repstosw сказал:Перейти на GaAs и GaN транзисторы?
Да, любые полевики линейней биполярных без ОС. Но полевым надо сразу рабочий ток задавать, и усиление падает с ростом тока.
-
4 часа назад, repstosw сказал:
Как в AWR учесть топологию печатной платы - полоски меди, к которым припаиваются компоненты?
Компоненты MLIN, MTEE, MSTEP и добавить MSUB на схему.
4 часа назад, repstosw сказал:Насколько можно приблизить расчёты в AWR к практическим результатам?
Первый шаг - широкополосное согласование, пусть S21 будет не 20дБ, а 17дБ. Дальше считать в статике с элементами, указанными выше. Уже достаточно точно для 450МГц. Потом - в динамике, ЭМ-анализ, но с дискретными элементами в статике. На каждый дискретный элемент назначить порты. В качестве примера хорошо посмотреть, как FilterSolution экспортирует схему с топологией в AWR.
Примерно так: https://youtu.be/n6AiytD3sHQ
-
3 часа назад, repstosw сказал:
Как в AWR сделать автоматическое согласование? Может ли AWR родить несколько решений по согласованию?
У меня подход такой: рисую слева и справа сложные RLC цепи, которые в себе содержат все возможные комбинации согласований (последовательные/параллельные, Pi/T), задаю пределы изменения и запускаю на оптимизацию по минимуму S11/S22 + максимум S21. Элементы, номиналы которых улетают в 0 или максимум, потом удаляю. Вот и вся оптимизация.
-
6 минут назад, Сергей Викт сказал:
Потом не трогая выход согласовываете по входу.
Для одного транзистора не получится, проверьте на AH312.
-
45 минут назад, alex-sss сказал:
А что будет с S21 при RC-цепочке по входу 37 Ом/36 p на частоте 430 МГц?
Как ни странно, расти с частотой:
Так сам производитель рекомендует, но на частоте 900МГц:
-
19 часов назад, repstosw сказал:
Попытка согласовать вход и выход по отдельности - не привели к успеху: согласование по входу разрушает согласование выхода, и наоборот.
Низкая изоляция входа и выхода, S12. Обычная ситуация для одиночных транзисторов. Исправляют либо добавлением 2-го каскада, либо применением каскодной схемы. Если нечем изолировать, то иногда приходится идти на жертвы в виде дополнительных потерь:
На выходе можно использовать трансформатор 1:16 (1:4 по напряжению) для частот около 450МГц, S22 станет шире.
-
1
-
-
20 часов назад, repstosw сказал:
Но питается 9-10V.
Что значит 1W на 50 Ом - это амплитуда 10В или 20В P-P. Чтобы на одном усилителе получить 35dBm (почти 2W) при 9В, по выходу должна быть трансформация сопротивления 1:4 (по напряжению в 2 раза). А вы хотите с 3.7В больше Ватта выжать. Значит нужен усилок с 3 Ом по выходу и трансформировать 1:16. А большой коэфф. трансформации - узкая полоса. И не надо писать про свою узкую полосу, речь про повторяемость и отсутствие подстроек.
20 часов назад, repstosw сказал:Для OQPSK-DSSS не знаю, но известно что у OQPSK паразитная АМ до 30%. Что если перевести в язык PAPR, это в районе 1,56 дБ.
Паразитная АМ при фазовой модуляции - нормальный процесс. АМ хорошо срезается усилителем класса-С, мы как раз работаем с BPSK (максимум АМ) и подобным усилителем, но на 4kW. Величина паразитной АМ напрямую зависит от ширины полосы, если влезет до 5-ой гармоники битовой скорости, то можно пренебречь побочными эффектами.
-
38 минут назад, repstosw сказал:
Не идёт. Потому что OIP3 и P1db хуже (42.9 dBm 30.6 dBm) , чем у SKY.
Немного ниже почитайте, где ток 400мА. Напряжение особой роли не играет, если предоставлен "голый" транзистор. Можно и на 28В взять исходя из рабочего тока. GaN должны работать еще лучше, при сопоставимой крутизне (усилении).
В спящий режим можно переводить напряжением затвора в 0 (условно, 28мА).
-
12 часов назад, repstosw сказал:
В описании стоит: 390 - 500 МГц
12 часов назад, repstosw сказал:в полосе 6 МГц(NTSC) и 8 МГц (PAL)
Относительно центральной частоты полоса узкая.
12 часов назад, repstosw сказал:Более линейный усилитель на питание от одной литий-ионки, на 400-500 МГц и более высокой точкой компрессии - не найдёте.
Будут либо на высокое напряжение питание, либо требовать внешних согласующих цепей, либо на другой частотный диапазон.
Для того, чтобы подобрать усилитель не нужно копаться на Digikey. Принцип подбора простой. Скорее всего должен быть E-pHEMT, если про линейность, на ток до 300-500мА, и желательно с прямым доступом к затвору, чтобы подбирать ток стока, выходную мощность. Навскидку подходит Minicircuits TAV2-501+. Вход будет емкостной, но близкий к 50Ом, поэтому проще согласовать LC-цепями без сужения полосы. Выход очевидно будет близок к активному сопротивлению, но низкому, порядка 10-15 Ом. Его лучше преобразовать трансформатором 1:4, чтобы не сужать полосу согласования. Возможно Anaren T0727J5012AHF 12.5:50 дотянет вниз по полосе. Если в одиночном включении не хватит линейности, то собрать в Push-Pull. Как минимум, усилитель будет более гибким по выбору выходной мощности, линейности и полосы.
12 часов назад, repstosw сказал:Мне FM/PM не нужны вовсе.
12 часов назад, repstosw сказал:У меня сигнал OQPSK-DSSS с полосой 5 МГц и OFDM с полосой 2,4 МГц на базе BPSK/QPSK.
PSK - это не фазовая модуляция?
12 часов назад, repstosw сказал:И ФНЧ - это больше для секты свидетелей чистого эфира и секты свидетелей РКН
Жуть. Среди прочего было предложение сократить потребление за счет перехода в нелинейный режим, а полосу формировать фильтром. Просто потому, что не вижу амплитудной модуляции, или чего недосмотрел за уоки-токи?
12 часов назад, repstosw сказал:0,3 Вт на OFDM и 0,6 Вт на OQPSK-DSSS
Про пиковую мощность?
-
3 часа назад, repstosw сказал:
В Агилент Генезис была подстройка
Начинал с нее, до присоединения к Keysight. AWR удобнее и функциональнее, квазистатических моделей - на любой вкус и цвет, помимо Modelithics где на основе измерений Sхх (последовательная/параллельная схема) построены аналитические модели, что для оптимизации быстрее.
3 часа назад, repstosw сказал:Да там всё хорошо ложится и без этого - берёшь ближайшие номиналы от Murata и радуешься.
Без Ванги вижу боль и страдания.
39 минут назад, repstosw сказал:Про усилок
Его узкополосность наводит на мысли о нелинейных свойствах. Для FM/PM линейность не нужна, а на потреблении сэкономить можно. ФНЧ в любом случае по выходу нужен.
-
28 минут назад, repstosw сказал:
Сделал согласование 4-полюсника в Кукс
В этой программе есть оптимизация? Сделайте согласование в широкой полосе, хотя бы 20%, чтобы не подстраивать и иметь допуск на разброс параметров.
-
23 минуты назад, repstosw сказал:
На сколько децибелл гармоники должны быть меньше основного сигнала?
-20 дБ хватит? а -10 ?
Мы в ТЗ прописываем не хуже -70дБ, не помню на основании какого ГОСТа.
-
1 час назад, artemkad сказал:
А какой импеданс может быть еще у трансформатора или двухобмоточного дросселя?
Между обмотками, как длинной линии, витой пары. Речь конечно о намотке сложенными вместе проводами (витыми), не внавал.
1 час назад, repstosw сказал:Что касается непостоянства сопротивления DLW21SN900SQ2 - это не ко мне вопрос, а к Murata
Похоже измеряли импедансметром, по аналогии с Common Mode Choke, надо почитать про Zd. А по внешнему виду балун не должен отличаться от ATB2012.
1 час назад, repstosw сказал:фильтр лучше поставить перед усилителем мощности или после усилителя мощности?
Усилитель мощности в классе А и он очень линеен (для LTE).
Фильтр просто необходим, чтобы не засорять эфир гармониками. Если тракт линейный, то хорошо гармоники сразу задавить, чтобы не тянуть через весь тракт.
-
4 часа назад, repstosw сказал:
У DLW21SN900SQ2 указан импеданс 90 Ом - помечен как common. Как пересчитать его в "обычный" ? Неужели 90/2 =45 ?
Zc (Common) - это модуль комплексного сопротивления, измеренный как для индуктивности, для одной линии из пары. Zd (Differential) по идее должно отражать волновое сопротивление, но почему оно меняется - не понятно.
-
10 часов назад, repstosw сказал:
Измененная референсная плата - припаяны 2 конденсатора возле балуна - параллельно штатным 8/15 пФ
Ни о чем ваши измерения не говорят. На 500МГц выход у микросхемы - чистый меандр (нелинейный).
Сильно нелинейные сигналы фильтруют сразу, не отходя от "кассы" (рядом с выходом). Напрашивается LC-балун с резонансными свойствами. И потери меньше будут.
10 часов назад, repstosw сказал:Плату заказывать - FR4 или лучше ФАФ4? Частоты - 400 - 500 МГц. Фильтры будут интегральные. Микрополосков не будет.
FR4 HighTG 170
-
1 час назад, repstosw сказал:
В референсной плате используется токовый балун. И я тоже использую токовый балун.
В чём разница? Что мне ожидать от сопротивлений при применении балуна по напряжению?
На СВЧ нет токовых или по напряжению балунов, это устаревшие названия. Есть импеданс балуна по входу и выходу. Не работает феррит на высоких частотах, как сердечник с действительной частью мю, скорее мнимая часть многократно больше (потери).
1 час назад, repstosw сказал:В том -то и дело, что на двуслойке и с моим вариантом включения балуна - импеданс какой надо.
В узкой полосе? Сделайте согласование в широкой. Но скорее не получиться ни в одном из вариантов. Производитель упростил выходную часть, в угоду низкого потребления при маленькой мощности. Иначе структура должна была похожа на step-аттенюатор + усилитель класса-А.
Если делать двухслойку, то брать толщину 0.2мм при ваших ширинах полосков. Думаете высота переходных, где стоят блокировочные конденсаторы по питанию не влияет на работу чипа и в частности на импеданс выхода?
-
6 часов назад, repstosw сказал:
Почему нет импеданса близкого к заявленным 50 Ом? Это что за такая "трансформация" сопротивления?
Производитель нигде не пишет про согласованность выхода. Судя по описанию выход токовый, как у ЦАП, т.е. импеданс большей частью определяется нагрузкой, и то на низких частотах. От типа балуна мало что зависит.
Плата 2-х слойная? Это не к вопросу согласования (хотя кто знает), а ЭМС.
-
20 часов назад, repstosw сказал:
Вроде бы - подъём АЧХ справа в области около ГГц стал меньше:
Если De-Embedding так влияет, то стоит задуматься о пролазе через оплетку и максимальном укорочении свободных "хвостов" для подключения к ПАВ (без распускания оплетки). Либо жесткий/полужесткий кабель нужен, либо гибкий с двойной экранировкой типа Multiflex 141 или его аналогов.
-
43 минуты назад, repstosw сказал:
в даташите картинка с таким же скачком справа
Подъем на 900МГц.
-
6 часов назад, repstosw сказал:
S-параметры слетели, нет согласования на 438 МГц - импендансы в г***о, АЧХ изуродовалась, затухание увеличилось
По затуханию ближе к нормальной работе. Немного поэкспериментировать с входным/выходным согласованием и более качественным подключением, может без подключения корпусной земли. Не видно как разделан кабель. Если с распусканием оплетки, то плохо, нарушается волновое сопротивление. После снятия внешней изоляции лучше сразу облудить по всему периметру, надрезать кусачками в 3-4 мм и отломить. Можно поверх оплетки намотать зачищенный тонкий медный провод и вместе с ним облудить, чтобы зафиксировать диаметр. Потом уже к оплетке подпаивать одножильный провод для подсоединения к ПАВ. Возможно нужно подключение двух земель с каждой стороны. Однозначного вывода не стал бы делать.
-
9 часов назад, repstosw сказал:
Но ведь если кабель можно сгибать и параметры не меняются - значит ли это, что затекания ВЧ по оплётке кабеля нет и система сбалансирована?
Я не вижу причин, почему в процессе изгибания должно что-то меняться, в любом варианте включения.
9 часов назад, repstosw сказал:запорный дроссель(или ферритовая втулка) возле антенны используется чтобы исключить влияние кабеля на антенну
Для симметрирования, например при переходе с коаксиального кабеля на симметричный диполь, попутно с трансформацией сопротивления. В аппноуте Qualcomm (Epcos) незначительно разносят земли, этого уже достаточно, чтобы исключить общую землю и на 10-20дБ улучшить подавление. Поэтому без феррита должно хорошо работать. Задача - убрать общий ток для входа и выхода, подавить синфазную составляющую.
AH312-8SH не могу согласовать на 438 МГц
в RF & Microwave Design
Опубликовано · Пожаловаться
GaN HEMT знаю, MESFET не видел. Даже не вдаваясь в техпроцесс, при работе транзистора от 28В с уровнем сигнала близким к компрессии, напряжение на стоке проходит в том числе диапазон 0-5В, сохраняя линейность.