xelaukxaxa

Микрокап 10.0.4 - единственный софт, который не смог понять не тривиальный синтаксис PSPICE файла с макромоделью IGBT транзистора (последнего из приведенных мной выше). А именно - не смог распознать немного усложненные определения функций. Как-то это озадачивает. Все остальные софты делали это легко.

В HSPICE помимо многоядерности есть HPP (HSPICE Precision Parallel) - ooooчень эффективная штука для решения как одиночной так и многих задач до 16 ядер параллельно. Хотя сейчас все уважаемые компании имеют что-то подобное.

В версии SIMetrix 7.1 поддержка до 16 ядер. Бедность постобработки графиков я уже заметил. Но как я понимаю здесь есть язык скриптов. Может он поможет с графиками. По сравнению с возможностями Cadence IC5141 калькулятором это небо и земля. Спасибо за комментарии. А от SIMPLIS польза есть какая-нибудь?

Понял. Спасибо. Ну а недостатки у него есть хоть какие-нибудь?

Да не знаю конечно. Я на LTspice вообще первый раз считал. Мои основные симуляторы до сих пор были Spectre и HSPICE (analog IC design). Но так как они не дали приемлемых результатов и данной области (CMOS drivers for IGBT transistors), то я и ищу алтернативу. Пока нашел только SIMetrix.

LTspice не сходится: time step too small для .TRAN в первой же переключательной точке. Для второй схемы расчет шел 2 часа пока я его не прервал. Расчет шел, но дальше 75% не продвигался. При этом при первом переключении на 15% времени расчета был взбрык до 40КВ при максимальном напряжении питания 450В. И, как следстие, результат - полная ахинея. HSPICE не смог смог сойтись даже в начальной нулевой точке TRAN анализа (Windows версия). В других подобных мостовых схемах с IGBT транзисторами HSPICE (Linux версия) даже начинает считать, но потом где-то на 1/3 или половине расчета затыкается и начинает выдавать несуразные напряжения и токи: гигавольты и килоамперы для схемы с максимальным напряжением 450В и 50А. При этом усиленно чего-то считает и продолжает расчет до принудительного прерывания. К слову Spectre в этих случаях просто встает с сообщением о несходимости для TRAN анализа. И никакими играми с точностью расчетов (RELTOL,ABSTOL,VNTOL), методами расчета (TRAP, GEAR) или способом расчета (conservative, liberal) не удается провести требуемые расчеты. Именно поэтому наткнувшись на очень хороший результат от SIMetrix, пытаюсь найти его скрытые подводные камни перед включением его в стандартный Design Flow для силовой переключательной электроники. Для информации: для моделирования IGBT использовались LIB файлы от INFINEON- IK_GXXXN60T_L2.lib, IXX_N60H3_L2.lib и IFX_IGBTRCD1F_prod.lib. Скачаны напрямую с сайта INFINEON.

Micro-Cap и PSPICE несколько лучше. Из трех моделей смогли одну просчитать в три раза медленней SIMetrix. Пока наилучший результат у SIMetrix.

Сравнил. Еще хуже чем HSPICE.

Попробовал SIMetrix 5.6 для моделирования моста на IGBT транзисторах. До этого моделировал схему в HSPICE с огромными проблемами по сходимости. Модели IGBT переводил в HSPICE из PSPICE (INFINION model). В SIMetrix моделирование просто летало без проблем в принципе. Может у кого есть больше опыта использования SIMetrix и у него есть огромные недостатки? Очень прошу поделиться. Или порекомендуете другой, более продвинутый симулятор?

Могу предложить услуги по разработке таких чипов в нашей компании. Работаем с Тайванем VIS и Китаем CSMC http://www.vis.com.tw/visCom/english/c_tech/c_index.jsp - техногогия UHV BCD 0.5UM 5V to 800V http://www.csmc.com.cn/csmc-3.aspx - техногогия 1.0µm 5V to 700V BCD. Стоимость цикла разработки до образцов - от 100K USD. Обращайтесь если надумаете.

Да, да. Прекрасная хакерская задачка. Хотя что-то подобное встречал лет пять назад толи у Silvaco, толи у китайцев. Точно не вспомню.

Легко исправляется добавлением исключений в URL.

Можете посмотреть здесь: Modeling of MOS Transistors with Nonrectangular-Gate Geometries TED 1982, ну а потом гуглом раскрутить множество других нужных ссылок.

Все продвинутые фабрики используют для квалификации своего технологического процесса JEDEC STANDARD. В частности наиболее информативным является JEDEC стандарт JP001 FOUNDRY PROCESS QUALIFICATION GUIDELINES (Wafer Fabrication Manufacturing Sites). По вашему вопросу смотрите в нем например таблицу 10.3.1 P2ID test requirements, где есть Reference procedure, Test parameters, Test structures и так далее. Так что всегда начинайте раскручивать вопрос со стандартов.

1. Во-первых не нулевое, а равно сопротивлению в цепи обратной связи, деленное на коэффициент усиления (Ку) ОУ, если не учитывать входные токи ОУ. 2. Во-вторых, по мере увеличения частоты (а интересует диапазон 3...60000кГц), Ку как известно падает. Если брать ОУ с частотой единичного усиления 20МГц, то на частоте 60кГц усиление всего около 300. При сопротивлении в цепи обратной связи порядка 100МОм, активное входное сопротивление будет порядка 3.3МОм. Правда при емкости в цепи обратной связи 1нФ, реактивное входное сопротивление окажется около 10 Ом. Но меня собственно беспокоит не это, а э.д.с. шумов ОУ, которые на низкой частоте имеют усиление более 40дБ ввиду низкого порядка 100кОм выходного сопротивления датчика. Реально ли в этом случае иметь приведенный ко входу усилителя шумовой заряд 10фКл во всей полосе?

Выяснил, что выходное сопротивление может падать до нескольких сот или даже единиц кОм (Materials for High Temperature Acoustic and Vibration Sensors: A Review 1994). А на сколько падает при этом выходное напряжение датчика? Может кто сталкивался?

А кто-нибудь знает какое может быть выходное сопротивление пьезоэлектрического сенсора давления на 700 градусах С ? На 25С понятно оно порядка 1Е+10 Ом.

SMIC 0.13um Cadence MMRF PDK http://down.61eda.com/Download/201005/61EDA_H426.rar А может кто-нибудь поделиться 65nm и 90nm PDK для TSMC или Fujitsu?

Позволю дать свой совет. Если речь идет об исключительно российской разработке, выбор исполнителя по отзывам, на мой взгляд, оптимальный вариант. Выберете знакомых - кому более менее доверяете, и сопоставляйте. На мой взгляд леса рук от наших реальных компаний для подобного проекта у Вас не будет. Везение в грамотном выборе исполнителя - признак мастерства.

Побывал как-то в дизайн центре ON Semiconductor в Бостоне, так они вместо Cadence используют Laker для аналогового проектирования. Мотивируют ценой и достаточно хорошим качеством Laker.

Если возможно, залейте пожалуйста следующие библиотеки: . . io . . . tpz013g3_140c . . . . apollo . . . . . tpz013g3_140b . . . . . . 5lm . . . . . . 6lm . . . . fb_tpz013g3_140c . . . . . tpz013g3_140b_apf4lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apf5lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apf6lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apf7lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apf8lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apt4lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apt5lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apt6lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apt7lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_apt8lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_doc.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_docl.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_gds4lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_gds5lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_gds6lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_gds7lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_gds8lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_lpe.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_mdt.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_sdc.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_sdcl.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_sef4lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_sef5lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_sef6lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_sef7lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_sef8lm.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_spi.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_syn.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_synl.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_vit.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_vlg.tar.gz . . . . . tpz013g3_140c_rln.tar.gz . . . . . tpz013g3_140b_applnote.pdf Заранее благодарен.

У кэденса был Neocell, который еще и разводил симметричные структуры. Я его не пробовал, но слышал - некоторым нравится.

Более или менее типичные параметры по 0.35um HV process можно посмотреть здесь: http://www.xfab.com/fileadmin/X-FAB/Downlo..._Data_sheet.pdf Но вообще HV технологии здорово разнятся в зависимости от требуемой области применения. Особые хитрости так-же связаны с областью применения.

Форматы SPICE, DSPF, Transistor Dspf, SPEF, Transistor Spef, SPECTRE - это текстовые файлы. Форматы Extracted View, LVS Extracted View - это view базы данных библиотеки. При этом LVS Extracted View не содержит паразитные RC (точнее RLCK) элементы и используется для LVS. Таким образом: для аналогово моделирования с паразитами в ADE environment используют Extracted View.

Подключать ничего не надо. Просто в switch_view_list для AE необходимо прописать av_extracted view перед symbol view.