[Yuri Potapoff 0]

Да, имеется: Options -> Environment options -> флаг Autosave и дополнительны опции. И ещё такой момент. Автосэйв не поможет в Вашем случае - у MWO есть нехорошая особенность, заключающаяся в том, что при нажатии кнопки Save, проект на диск не сохраняется. Он сохранится только в том случае, если вы еще сразу корректно завершите программу, при некорректном завершении, увы, ничего не сохранится. :(

 

Это видимо особенность вашей крякнутой версии? Сколько еще новых "фич" вы озвучите?

[EUrry 3]

Это видимо особенность вашей крякнутой версии? Сколько еще новых "фич" вы озвучите?

 

у MWO есть нехорошая особенность, заключающаяся в том, что при нажатии кнопки Save, проект на диск не сохраняется. Он сохранится только в том случае, если вы еще сразу корректно завершите программу, при некорректном завершении, увы, ничего не сохранится.

 

Сори, забираю свои слова обратно. :laughing: Это точно было в v.5.52, в следующих, по привычке уже, если нужно было что-то не потерять, то после сохранения закрывал MWO. Сейчас проверил v.8.00 - всё нормально!!! :1111493779:

[oles_k76 0]

Да, имеется: Options -> Environment options -> флаг Autosave и дополнительны опции. И ещё такой момент. Автосэйв не поможет в Вашем случае - у MWO есть нехорошая особенность, заключающаяся в том, что при нажатии кнопки Save, проект на диск не сохраняется. Он сохранится только в том случае, если вы еще сразу корректно завершите программу, при некорректном завершении, увы, ничего не сохранится. :(

EUrry пасиба что ткнули носом. :a14:

 

 

А Вы пробовали ставить 8.03?

 

 

 

ЗЫ по поводу сохранения кнопочкой Save, все работает корректно.

[DevOut 0]

Доброго времени суток Всем!

Подскажите пожалуйста по следующим интересующим в MWO вопросам:

 

1. Как создать ППФ на основе дискретных чип-элементов (файлы S-параметров *s2p имеются, геометрические модели элементов также имеются, правда не для всех С и L d). Перед этим проведено моделирование фильтра в стандартном приложении к MWO Filter Sinthesis Wizard, но дело в том, что в нем моделируется фильтр на основе идеальных L,C-элементах и без учета EM-анализа. Вообще реально ли это сделать в MWO?

 

2. Как создать топологию СВЧ-усилителя с подачей питания и фильтром развязки по питанию, если иметь при этом только s2p-файл для усилительной микросхемы, если учесть тот факт, что в Schematic микросхема обозначается прямоугольником с одним входом и одним выходом а в реале у нее есть еще и выводы по питанию..

 

Если есть хоть какой-нибудь опыт в этом, поделитесь пожалуйста..

Заранее благодарен.. :rolleyes:

[EUrry 3]

Доброго времени суток Всем!

Подскажите пожалуйста по следующим интересующим в MWO вопросам:

 

1. Как создать ППФ на основе дискретных чип-элементов (файлы S-параметров *s2p имеются, геометрические модели элементов также имеются, правда не для всех С и L d). Перед этим проведено моделирование фильтра в стандартном приложении к MWO Filter Sinthesis Wizard, но дело в том, что в нем моделируется фильтр на основе идеальных L,C-элементах и без учета EM-анализа. Вообще реально ли это сделать в MWO?

ЕМ анализ в MWO имеется, но, к сожалению, с навесными компонентами в этом симуляторе ничего не выйдет - он не полностью 3D. :laughing: А с реальными параметрами компонентов характеристики сильно расходятся от идеальных? В принципе, схемотехнический анализ, тем более с реальными моделями, достаточно хорошее приближение дает (если, конечно, есть опыт по созданию топологии подобных устройств, и известны наиболее уязвимые места - раньше то как-то без ЕМ-моделирования и, даже, схемотехнического автоматизированного делали, и работало!)

 

2. Как создать топологию СВЧ-усилителя с подачей питания и фильтром развязки по питанию, если иметь при этом только s2p-файл для усилительной микросхемы, если учесть тот факт, что в Schematic микросхема обозначается прямоугольником с одним входом и одним выходом а в реале у нее есть еще и выводы по питанию..

В Layout давно не залезал, но, по-моему, можно назначить вашей микросхеме символ с другим количеством каналов (хотя, не уверен), которые не будут использоваться для симуляции, но будут отображаться на Layout. Или подсхему сделать с "лишними портами" чем-нибудь "от балды" соединенными между собой (опять же необходимые только для топологии).

[DevOut 0]

А параметры чип элементов отличаются от идеальных, и даже очень, поскольку имеют еще и немалые активные потери помимо неточного подбора номиналов элементов, при этом характеристики ППФ по затуханию в полосе прозрачности примерно на уровне -10-12 дБ(что на 7-9 дБ хуже расчетного) и полосой раза в полтора шире, естественно без обеспечения необходимой прямоугольности АЧХ. А это вряд ли удовлетворит требованиям)))

И все же интересует, реально ли добиться заданных характеристик фильтра с пощью оптимизации например... а может быть я не те элементы выбираю, фирм,выпускающих L,C-компоненты много, а какие по параметрам лучше, похоже методом научного тыка придется разбираться

[EUrry 3]

И все же интересует, реально ли добиться заданных характеристик фильтра с пощью оптимизации например... а может быть я не те элементы выбираю, фирм,выпускающих L,C-компоненты много, а какие по параметрам лучше, похоже методом научного тыка придется разбираться

Чип-компоненты очень сильно могут различаться по одним и тем же параметрам в зависимости от области назначения. Например, чип-индуктивности при одном и том же номинале и габарите, могут иметь разные активное сопротивление и паразитную емкость в зависимости от конструкции (сильноточные, низкоточные). Так что к этому вопросу подход необходим очень тщательный. Посмотрите, например, у ATC, Aeroflex, Viking, Murata, TAIYO YUDEN...

[EUrry 3]

ЕМ анализ в MWO имеется, но, к сожалению, с навесными компонентами в этом симуляторе ничего не выйдет - он не полностью 3D. :laughing:

Цитирую самого себя!

DevOut, вот тут прессрелиз AWR про полный 3D симулятор, основанный на методе конечных элементов. И, если я правильно понял, то они собираются интегрировать его в MWO. Тогда Ваша задачка будет решаться. Видимо, конкуренты жмут!!! :maniac: Agilent в следующих релизах ADS собирается запихнуть туда практически всё, что у них сейчас по отдельности, в том числе, и полный 3D EM анализ.

[Jiva 0]

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста, поддерживает ли MWO 7.5 многоядерность? и как с этим в восьмой версии?

[EUrry 3]

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста, поддерживает ли MWO 7.5 многоядерность? и как с этим в восьмой версии?

Грузит только одно ядро (v. 8 так же). Возможно, что это фича должна быть прописана в лицензии. Это нужно у г-на Yuri Potapoff'a узнавать. В опциях, как в HFSS например, я ничего подобного не встречал.

[l1l1l1 0]

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста, поддерживает ли MWO 7.5 многоядерность? и как с этим в восьмой версии?

7.5 не помню.

Emsight 8.0 поддерживает.

на этапе "Filling matrix" - 1 процессор.

на этапе "Factoring Matrix" - все процессоры.

"Solve" очень быстро происходит, не успеваю определить.

[EUrry 3]

7.5 не помню.

Emsight 8.0 поддерживает.

на этапе "Filling matrix" - 1 процессор.

на этапе "Factoring Matrix" - все процессоры.

"Solve" очень быстро происходит, не успеваю определить.

Вон оно как!!! В EMSight давно не залезал, а оптимизация не распараллеливается. :(

[ikm 0]

Пользую MWO 8, и мучает вопрос : при старте выскакивает список, где можно выбрать раличные пункты. Например ANO200-229, MWO100-229. VSS 150-350. О чём идёт речь и чем они отличаються?

[DesNer 0]

Пользую MWO 8, и мучает вопрос : при старте выскакивает список, где можно выбрать раличные пункты. Например ANO200-229, MWO100-229. VSS 150-350. О чём идёт речь и чем они отличаються?

Конфигурация среды. Вот есть такая таблица, из нее все понятно:

[EVS 0]

ЕМ анализ в MWO имеется, но, к сожалению, с навесными компонентами в этом симуляторе ничего не выйдет - он не полностью 3D....

Чем поможет полностью 3D? Не будете же Вы сами создавать полные модели многослойных конд-ров и всяких катушек? При использовании s-параметров производителя проблема только в корректром расчете портов, особенно внутренних и близко расположенных. В этом смысле достаточно любопытны Co-calibrated Internal Ports в Sonnet.