ViKo 1 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 11 минут назад, dxp сказал: Мда... Всё, сдаюсь! Рано. Сначала покажите свой расчет с использованием Эберса-Молла. И ток насыщения - в студию! (исправил свои косяки - фамилии Эберса-Молла) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
DeadCadDance 0 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба В 02.06.2020 в 10:15, Electro Junior сказал: значит они падают на внутреннем сопротивлении транзистра? Да Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dxp 34 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба Специально для вас я поясню. Это последнее, что могу для вас сделать. Правда, думаю, толку не будет. Итак. В начальный момент времени оба транзистора закрыты. Когда подано напряжение VCC, т.к. транзистор Q1 (пока речь только про него) закрыт, то на коллекторе (и базе) начинает расти потенциал - появляется Ube. Это Ube порождает ток эмиттера транзистора Q1 - Ie1. Основные носители из эмиттера Q1, попадая в базу, захватываются полем коллектора, и бОльшая их часть утекает в коллектор, и только части удаётся избежать это участи - она и образует ток базы. Чем транзистор лучше, тем эта часть меньше. В идеале вообще все носители уходят в коллектор и ток базы равен нулю, хотя идеала, к сожалению, не бывает. Ube транзистора Q1 растёт до тех пор, пока этот транзистор не "поглотит" весь задающий ток Iref - при этом устанавливается ровно такое значение Ube, которое необходимо для того, чтобы "съесть" весь ток. Т.е. ток Iref как бы "программирует" соответствующую величину Ube. Поскольку именно это значение напряжения (Ube Q1) прикладывается к переходу "база-эмиттер" транзистора Q2, и транзисторы близки по характеристикам (лучше если выполнены на одной подложке в едином техпроцессе), то эта величина Ube порождает такой же (близкий) ток эмиттера (коллектора) транзистора Q2. Вот так и происходит "отражение" токов: первый (задающий) транзистор программирует Ube, которое в свою очередь задаёт ток второго транзистора. Токи базы тут вообще мимо и если они велики (бета маленькая), то это только портит качество работы схемы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ViKo 1 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 26 минут назад, dxp сказал: В идеале вообще все носители уходят в коллектор и ток базы равен нулю, хотя идеала, к сожалению, не бывает. Здесь принципиальная ошибка. Без тока базы биполярный транзистор не работает. Базовое напряжение вытягивает носители с эмиттера (создаёт ток), а коллектор подхватывает наиболее резвых себе. Но не будь базового тока, не было бы и коллекторного. 26 минут назад, dxp сказал: Ube транзистора Q1 растёт до тех пор, пока этот транзистор не "поглотит" весь задающий ток Iref Шедеврально! По вашему Iref - некая стабильная величина, данная свыше? Нет, Iref установится именно таким, который позволит ему транзистор. В остальном - глаза мне не раскрыли. Толку и правда, не много. Очевидные вещи. Так как насчет расчёта? Эберс-Молл не потянут такую схему? Бедем считать, что расчитываете вы токовое зеркало так же, как и я. Как и большинство инженеров. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dxp 34 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 4 минуты назад, ViKo сказал: Шедеврально! По вашему Iref - некая стабильная величина, данная свыше? Нет, Iref установится именно таким, который позволит ему транзистор. Именно свыше: от Vcc до падения Ube. И от транзистора не зависит (ну, разве что от того, что тип транзистора немного влияет на величина падения на переходе). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ViKo 1 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба Только что, dxp сказал: Именно свыше: от Vcc до падения Ube. И от транзистора не зависит (ну, разве что от того, что тип транзистора немного влияет на величина падения на переходе). Снова спор на пустом месте. Закон Ома обсуждаем? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dxp 34 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 6 минут назад, ViKo сказал: В остальном - глаза мне не раскрыли. Толку и правда, не много. Очевидные вещи. Не сомневался (первой фразой написал). Как не понимали, так и продолжаете не понимать: 7 минут назад, ViKo сказал: Здесь принципиальная ошибка. Без тока базы биполярный транзистор не работает. Базовое напряжение вытягивает носители с эмиттера (создаёт ток), а коллектор подхватывает наиболее резвых себе. Но не будь базового тока, не было бы и коллекторного. да, только ток эмиттера, а не базы. Последняя фраза в цитате тоже очевидная глупость. Ладно, уже три раза собирался не тратить на вас время, ибо "не в коня корм", таки сделаю это. Всего вам хорошего. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ViKo 1 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба Взаимно! Думаю, сторонним читателям дано достаточно информации. Подхватят упавшее знамя. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 168 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 1 час назад, ViKo сказал: температурного датчика и источника опорного напряжения - не посчитаю. Потому, что я не микроэлектроник, не разрабатываю микросхемы, а применяю их. Нахожусь на другом этаже абстракции Я тоже применяю микросхемы — не знаю, как Вы, а я всегда в расчёте на худший случай. Худший случай в данном споре для Вас — идеальный БТ, математическая абстракция с бесконечным h21, когда тока базы вообще нет, а ток коллектора таки есть, вполне конечный, и он по-прежнему задаётся всё тем же напряжением БЭ, в точности по формуле. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ViKo 1 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 7 минут назад, Plain сказал: Худший случай в данном споре для Вас — идеальный БТ, математическая абстракция с бесконечным h21, когда тока базы вообще нет, а ток коллектора таки есть Какой же это худший случай? Это - лучший. Простейший для расчета. 7 минут назад, Plain сказал: и он по-прежнему задаётся всё тем же напряжением БЭ, в точности по формуле Так посчитайте выше показанную схему. dxp не хочет. Её же можно посчитать? Возьмите конкретные значения компонентов и напряжения, формулу Эберса-Молла. И посмотрим, насколько результат окажется отличным от простейшего - идеального? И стоила ли тема семи страниц. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
k155la3 26 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба раньше думал, что что-то понимаю. Шас - уже "почти - нет" изменение тока базы - следствие изменения напряжения база-эмитер, хотя можно это и "вывернуть" по логике. Но на самом полупроводнике "работает" именно напряжение, поле, разность потенциалов. Чтобы обеспечить это поле, и требуется ток. Недостаток БП транзистора. Устранен в полевых. Каскад с ОЭ имеет низкое входное сопротивление в "рабочем" участке переходной х-ки по току, и для понимания удобнее оперировать входным током в требуемом рабочем диапазоне (цепь протекания этого тока просматривается явно), чем замером (изменением) напряжения в малых пределах выше-ниже порога 0.7. Шабаш ! Спасибо ТС, очень интересное обсуждение, казалось бы, "трех сосен" Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ViKo 1 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 14 минут назад, Plain сказал: и он по-прежнему задаётся всё тем же напряжением БЭ Рассчитывается - да. Поскольку Uбэ влияет на базовый ток, а тот - на коллекторный. Никаких противоречий не нахожу. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
haker_fox 60 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 15 minutes ago, ViKo said: Простейший для расчета. А для реальной жизни?) Ну ведь на моём скрине даже ХХ говорят, что все Ic = Ib * h21e - это грубый расчёт. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ViKo 1 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба 11 минут назад, haker_fox сказал: А для реальной жизни?) Ну ведь на моём скрине даже ХХ говорят, что все Ic = Ib * h21e - это грубый расчёт. Для успокоения души надо учесть базовые токи. Более точно рассчитывать смысла нет, хотя бы потому, что у транзисторов большой разброс параметров. Токовое зеркало, показанное выше, только в микросхемах используется. А на "рассыпухе" в реальной жизни надо ОУ вместе с транзисторами применять. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
borodach 16 4 июня, 2020 Опубликовано 4 июня, 2020 · Жалоба Воооо собрались учёные-кипячёные умы, рассуждают кто главнее - ток или напряжение. Электроны такие сидят на базе и спорят - бежать им, когда к базе напряжение приложат или ток пропустят. У них в обществе даже раскол происходит, половина ждёт напряжения, половина - тока Но я вам так скажу. Отключили отопление - стало холодно - и все эти ваши электроны забили на работу и не хотят бежать ни от тока, ни от напряжения. Им надо "для сугреву" коньячку плеснуть, и дырочкой симпатичной поманить. Стало быть, температура - первичный параметр, определяющий работу БТ. Температура, ясно вам? Транзистор управляется температурой. Выражайте параметры один через другой, и будет вам щасте Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
