V_G

Разве это называется джиттер? У меня были другие представления о природе джиттера и соотв. об областях, где он критичен. Как-то по другому должны называться временные искажения, связанные с перестановкой пакетов в сети передачи данных...

У меня в группе больше половины ребят было радиолюбителями (в основном делали себе аудиотехнику, на старших курсах был бизнес сборки телевизоров из некондиционных запчастей), и понимание схем (параллельно с обучением) приходило как-то само собой. Так что да, практика существенно облегчает усваивание теоретической части. Плюс на 4 курсе был УИР, на 5 - НИИРС, у меня все это было именно с упором на практическую схемотехнику. Что там сейчас, кафедры привлекают студентов для практических работ?

На самом деле импортозамещают в основном условно-продвинутые западные ИС (типа микроконтроллеров), резисторы, конденсаторы, кварцы и очень отдельные транзисторы. Т.е. элементарную поделку сделать можно. Но вот средний по сложности сегмент не представлен почти никак. Нормальных 2-канальных операционников в soic не найти, не говоря о более современных корпусах. То же про DC-DC и линейные стабилизаторы. Только золотая керамика. Потому даже на военке я успешно обосновываю применение импорта требованиями использования автоматов SMD-сборки. Не нанимать же обратно цех монтажниц! Пардон, тут про контроллеры, так что это офтоп. Применяю миландровские армы в пластике, но и от них в отдельных случаях приходится отказываться: нет защиты памяти от считывания, нет современных высокоскоростных интерфейсов с АЦП

1. Непонятно зачем обновлять координаты "окна", если оно не движется в пространстве 2. Была аналогичная проблема, когда я делал gps-трекеры для автомобиля. У меня в девайсе был вход "ignition", и я знал, работает двигатель или нет. При неработающем двигателе автомобиль считался неподвижным, и я фильтровал резкие скачки координат PS. Проблемные GPS были типов BR-305,355. Потом немного игрался с Геос-1М (gps/glonass), там скачков координат практически не было PPS. Если имеется возможность получить из GPS число спутников, по которым в данный момент идут вычисления, можно больше доверять результатам, полученным от большего числа спутников

Ну, такая перегрузка усилитель не спалит, но составляющие 20 и 21 кГц при ограничении (в сумме с основным мощным сигналом) дадут разностную составляющую 1 кГц, которую услышать очень легко

Ну, и если неважна предельная мощность (УМ будет в сильно недогруженном режиме), то можно не ставить ФНЧ. ВЧ компоненты будут проникать на выход, в результате ограничение выходного сигнала с сопутствующими уже недопустимыми искажениями наступит раньше.

Для p-канального транзистора о logic level compatible имеет смысл говорить лишь в том случае, когда транзистор применяется для коммутации положительных напряжений, не превышающих напряжения питания логики. В это режиме уже неважны придельные напряжения, которые как правило, не менее 20 В. И в этом случае возможно прямое подключение затвора к выходам логических ИС. В случае, если коммутируется напряжение, превышающее уровень логической единицы плюс пороговое напряжение транзистора, подавать на затвор логические сигналы напрямую нельзя, и говорить о совместимости с логическими уровнями нет смысла. Правда, есть вариант управления транзистором от ИС с открытым коллектором (стоком) и с повышенным допустимым напряжением на этих выводах, но таких логических ИС крайне мало.

Не знаю протеус и не очень хорошо помню LTSpice, но вроде как это программы для анализа, а не для синтеза. Еще раз, если конкретное схемотехническое решение непринципиально, лучше воспользоваться средствами синтеза активных фильтров

Если это студенческая работа, и важно данное схемотехническое решение - ищите ошибку в расчетах. Хотя вероятно, что схема самовозбуждается, а вы это принимаете за обалденное усиление. И тут, скорее всего, очень серьезно надо подходить к выбору ОУ, т.к. центральная частота слишком высока для ОУ общего применения. Я бы поискал современные онлайн-калькуляторы активных фильтров (у TI, AD, Microchip такие были), какие-то из них учитывают стабильность фильтра. Но они могут предложить другое схемотехническое решение: на один каскад столько конденсаторов не дадут именно из-за потенциальной неустойчивости.

Да, вроде именно ad633 я применял для подобной задачи. Только НЧ надо подавать с постоянной подпорой, а ВЧ без, в соответствии с формулой АМ

Я почему так разумничался по этому поводу: почитал кое-какие отечественные статьи и даже автореферат кандидатской (уже в 21 веке) по поводу моделирования усилителя класса Е. Там они оперируют какими-то убогими частотами типа 800 кГц. Вот и подумал, что на более высоких частотах надо формировать достаточно узкий базовый (затворный) импульс, и этим волшебством владеют только импортные разработчики...

На самом деле меня тоже в перспективе интересуют вопросы применения класса E в том же диапазоне и достигнутые реально КПД. Если и когда что-нибудь получится, просьба отписаться. По комплексному входному сопротивлению могу предположить следующее. Транзистор работает в ключевом режиме. Для НЧ ключей входной импеданс практически по барабану, базовый резистор можно выбирать с допуском 200%. Скорее всего, на ВЧ схожая ситуация, от того и отношение к S11 такое наплевательское. Предположу также, что для эффективной работы класса Е нужно закачивать на вход не синус, а импульсы определенной скважности, т.е. сложность формирования сигнала переносится в предыдущие каскады. Ну и про модуляцию поддержу предыдущего оратора: АМ и все виды модуляции, где меняется амплитуда, категорически противопоказаны.

Емкость открытого диода (даже мощного) - это пикофарады, зашунтированные низким сопротивлением (омы) . Броски тока из-за этого можно себе представить только чисто теоретически. Обычно этот параметр для диодов мало используют, а вот для транзисторов емкость открытого эмиттерного перехода учитывается повсеместно. Никаких запредельных (даже сравнимых) значений по сравнению с емкостями фильтров питания там нет. Импульсный ток вызывает разогрев полупроводника с последующим тепловым пробоем, но тут такие короткие длительности, что разогреться не успеет ничего (если это не шнуровой эффект). Но против эффекта шнурования тока давно придуманы технологические решения: не думаю, что он наблюдается в светодиодах

1. У всех компонентов я завожу параметр Pick&Place (к примеру) со значением 1 для SMD компонентов, 0 - для остальных 2. В список столбцов для генерации BOM включаю параметры Designator, Footprint, Pick&Place. Дополнительно из PCB-параметров: Center-X mm, Center-Y mm, Rotation. 3. Экспортирую BOM в эксель-файл, там все сортирую по полю Pick&Place, строки с 0 в этом столбце удаляю. Получившийся файл импортируется софтом вашего автомата.

Не скажу за ГОСТы, но исходя из физико-статистического смысла: Допустим, вы получили MTBF миллион часов. Чтобы это проверить, вам надо поставить штук 10 приборов на тестовую эксплуатацию на миллион часов (110 лет). Или 10000 штук приборов на 1000 часов (что строго говоря не эквивалентно, но пусть...). Вы готовы на подобные траты? Серьезного ускорения для изделий чистой электроники (если там нет высоконагруженных стареющих компонентов типа радиоламп или осветительных светодиодов) с помощью повышения температуры испытаний получить невозможно, так что траты не уменьшишь. Не думаю, что существует ГОСТ, способный облегчить вам задачу. А если бы был, мы бы не наблюдали периодических скандалов с отзывом смартфонов и другой массовой продукции из-за каких-то неучтенных разработчиками факторов