Jump to content

    

musa

Свой
  • Content Count

    1164
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About musa

  • Rank
    Профессионал
  • Birthday 02/19/1956

Контакты

  • Сайт
    http://
  • ICQ
    0

Информация

  • Город
    Москва

Recent Profile Visitors

5372 profile views
  1. Ну может вы и правы. За счет отвода тепла полигоном можно проводник и тоньше сделать. Но как опорную цифру можно и принять и посчитанную как проводник. И не нужно забывать что потом эта цифра поделится на четыре и будет не так уж и толсто. Опять же мы не знаем какие реальные токи у автора и какие элементы он хочет подключить через термобарьер
  2. На сколько я понимаю термобарьеры для больших токов вообще противопоказаны. Хотя бы потому что у многих силовых компонентов отвод тепла как раз идет через выводы а термобарьер этому препятствует. Да и во многих других случаях при больших токах лучше подсоединиться напрямую. У термобарьеров важно сечение проводника и длинна тут не так важна. Так что формула для проводника должна подойти
  3. Ну так стандартно. В настройках ставите нужное
  4. Вот к стати противоположный случай. Рядом с С4 стоит диод VD3. Он как раз в силовой цепи и через него идет силовая цепь. Отвод тепла от него идет как раз через выводы на проводник или полигоны питания. Термобарьеры тут категорически не применимы так как препятствуют отводу тепла. И нужно посчитать хватит ли площади выводов или полигонов чтобы рассеять мощность выделяемую на диоде. Сам корпус может рассеять ограниченую мощность. Ну тоесть если к примеру диод на 4А то в пределе на нем может выделиться где то 4-5 ватт. Буржуи про это умалчивают но корпус точно не рассеит такую мошность и это нужно учитывать
  5. В вашем случае конденсатор не несет силовой нагрузки и ничего не мешает его слегка приподнять над проводником и соединить более тонким проводником. Делать какие либо вырезы в самом проводнике смысл? Вы ведь уменьшаете его сечение.
  6. https://forum.live.altium-ru.com/#posts/234034
  7. Извиняюсь поторопился и плохо посмотрел. Интересный глюк
  8. Ну и где ошибка? У меня он ни на что не ругается. Вообще как то заморочено. Test_GND_in_Power.drc
  9. Ну не знаю. Только что попробовал создать область GND на слое питания и все подключилось что показали маркёры. DRC ругалось только на зазоры. Но я их просто не стал пока выставлять. Попробуйте на пустом файле поэкспериментировать. Похоже вы частично правы. Просто нельзя соединить два слоя переходными. Обязательно должна существовать цепь на сигнальных слоях. Тогда все работает
  10. Переходные не забыли подключить к нужной цепи? В принципе и ваш вариант должен работать. Для переменного тока цепь GND и питание эквипотенциальные, ну тоесть это одно и тоже. Поэтому как правило нет необходимости на слое питания делать островки с землей.
  11. Но там идет обсуждение совсем не Plane слоев а чисто сигнальных и просто путаются понятия. Обычно Plane слои парные. Тоесть один слой GND другой питание. Провести проводники или медные полигоны в них нельзя. Весь слой принадлежит какой то одной цепи и в нем выделяются отельные островки для других цепей. И нет смысла делать внутри Plane еще какие то островки подключенные к той же цепи
  12. И как вы умудрились получить 8 независимых частей GND На слое Plane. Обычно GND это весь слой и в нем делаются вырезы для других цепей. Что то вы делаете не так. Обычно небывает проблем с соединениями. Проект в студию. Ну а так гадать безсмысленно
  13. Ну если он единственный то да. Но внутренний полигон всеравно сидит на минусе питания. И я не говорил что его не нужно подключать. У микросхем с корпусом UFQFPN как правило всеравно есть выводы питания и порой несколько.
  14. Одно другому не мешает. Полигон под чипом экранирует чип и он соединяется с эквипотенциальной землей. И естественно он не должен быть частью цепи питания.
  15. Внутри повышенные частоты. Чтобы не наводили на внешние цепи экранируют и стараются под камнем проводники не проводить