Jump to content

    

khach

Свой
  • Content Count

    3731
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About khach

  • Rank
    Гуру

Контакты

  • Сайт
    http://
  • ICQ
    202377814

Recent Profile Visitors

19974 profile views
  1. Каплер дорого. Все равно на входе аттенюатор стоит для согласования, поэтому его (аттенюатора) вертикальную цепь превратили в делитель резистивный и оттуда сигнал брали на детектор. Какое решение применять еще сильно зависит от числа каскадов и уровня возбудителя.
  2. Это хороший вариант, но он не всегда в реале работает. Коммутация биаса по наличию ВЧ сигнала имеет задержку, которая при пакетной передаче съедает часть преамбулы пакета. Поэтому проще подать заранее отдельный сигнал переключения биаса с режима ожидания в режим передачи от схемы передатчика. Но детектор на входе все равно нужен для определения рабочей точки. Он контролирует отсутствие ВЧ сигнала на входе в момент настройки рабочей точки по постоянке. В крайнем случае применяем PIN диодный или другой коммутатор для отсечки сигнала возбудителя. Патнет хороший, но там схем накидали "на все случаи жизни" и в основном для LDMOS c положительным биасингом. Городить весь этот зоопарак в аналоговом виде смысла нет- проще контроллер поставить.
  3. А давайте сюда накидаем ссылок и аппликух по биасингу интеллигентному? Например DS1870 LDMOS RF Power-Amplifier Bias Controller https://www.maximintegrated.com/en/products/comms/wireless-rf/DS1870.html Там много интересного в аппнотах, хотя и не по нитриду.
  4. Правильный, только не быстрый. Например нормальную защиту от перегрузки получилось сделать только при наличии в микроконтроллере аппаратных компараторов кроме АЦП ( последний не успевал). А эта фича появилось только в серии STM32F3 и новых STM32G4. Ну и сразу хочется дополниельны плюшек- измерение потребляемого тока и имбаланс плечей пушпула, температурный мониторинг, мониторинг отдаваемой и возвращаемой мощности лог всей истории жизни усилителя итд. Из простенького усилителя получается блок с кучей наворотов.
  5. -5V это уровень гарантированного запирания транзистора. А вот уровень рабочей точки -2.4v это чистая абстракция. Из за миграции примесей в полупроводниковой струкутре в области затвора. И если в начале эксплуатации рабочая точка была -2.4v то через некоторое время она может стать и -2.2v и -2.8v для заданного экземпляра. Поэтому ее надо переопределять при каждом включении или через интервал времени. Грубо говоря измерять Drain current versus gate voltage характеристику в рабочем экземпляре усилителя. В принципе с этим справляется любой мелкий STM32 c АЦП-ЦАП на борту. Просто пока не привычно ставить в усилитель микроконтроллер для биаса.
  6. А это от режима каскада зависит. Если к линейности особых требований нет ( импульсная или ЧМ-ФМ модуляция) то можно и так. А вот если работаем QAM256 или чем подобным, то рабочую точку по постоянке надо очень точно подбирать, возможно с постоянной самокалибровкой в паузах между передачами пакетов для компенсации температурных эффектов.
  7. Так по технологии Cree там не сварка кристалла, а пайка на эвтектику 80/20 AuSn с максимальной температурой процесса 300С. Вот только пайка в защитной атмосфере с помощью West∙Bond 7316 Eutectic Bonder. Проще скопировать с пдф весь процесс. Set-Up Procedure 1. Check for proper grounding. 2. Turn on the bonder. 3. Check and ensure the forming gas is on. 4. Set the forming gas flow rate to 5 SCFH and the pressure to 12.5 PSI. 5. Check the vacuum. 6. Allow the work holder to warm up to 300˚C. 7. Set the collet temperature to 180˚C Process 1. Place the package on the work holder. 2. Pick up preform with the vacuum pick up tool and place it into the correct position in the package based on the assembly drawing. 3. Pick up the die with the die collet. 4. Move the die bond heads over the package and preform to the specified location. 5. Monitor the preform until it melts. 6. Place the die on top of the preform. 7. Scrub the die into the package to the die orientation specified in the assembly drawing. 8. Remove the completed package from the work holder and place it onto the cooling plate. 9. Allow the part to cool. 10. Transfer the cooled part to the work tray. Можно и пообсуждать самодельную оснастку для процесса. В этом West·Bond Manual Die Bonder Model 7316C нет ничего особо военного, чего нельзя было бы повторить в условиях развитой СВЧ лабы или завода.
  8. Там же прямо с даташита ссылка на https://www.wolfspeed.com/downloads/dl/file/id/265/product/409/eutectic_die_attach_procedure.pdf Процедура разварки кристалла на эвтектику. Проблема только с прижималкой по периферии кристалла - она заказная или надо самому ее делать на инструменталке. Ну и forming gas водородом требует несколько специальной конструкции чип бондера. Можно конечно клеить на серебро, но в этом случае мощность раз в пять упадет допустимая.
  9. При понижении напряжения питания цифрового ядра надо понижать тактовую частоту. Frequency Range (6х REFCLK Multiplier Disabled) 5.0 V Supply Full IV 1 180 MHz 3.3 V Supply Full IV 1 125 MHz 2.7 V Supply 0°C to 85°C IV 1 100 MHz Если микросхема китайский клон- то эта характеристика может быть сдвинута вниз по частоте. Ну и сам задающий генератор не факт, что работоспособен при пониженном напряжении. Лучше его отключить и подать опорную частоту от ГСС.
  10. Вопросы по CST

    Н не найдется ли где адекватной реальности бибиотеки ферромагнитных материалов и СВЧ ферритов?
  11. Миксер. Разьем

    Издеваетесь или тему читаете по диагонали? Параметры гетеродина и смещения на рисунке. https://electronix.ru/forum/index.php?app=forums&module=forums&controller=topic&id=153831&do=findComment&comment=1648180 Найти схему смещения внешнего смесителя от HP8555A совсем не сложно.
  12. Более лучший чем у REGA это совсем не сложно, судя по схемотехнике. Вы докажите, что усилок получился лучше чем интегральный от TI
  13. Дискретые что? JFET транзисторы в первом каскаде? Или все вместе что на схеме? Так это достаточно мощный по выходу каскад, до появления Power op amps его приходилось собирать на рассыпухе, да и сейчас если исходить из цены возможно что дискретка дешевле выйдет. Хотя цена для аудиофильской конструкции дело десятое. Чтобы понять зачем так сделано и что получилось надо обмерить этот каскад на хорошей измериловке, с измерением нелинейности, динамического диапазона, шумов, искажений типа ступенька итд. И сравнить с операционником от ТИ, для которого все эти характеристики известны из даташита.
  14. В смысле замену TL072? А кому это надо если операционников фабричных можно найти на любой вкус и цвет. Я думал имелась ввиду вся схема усилителя, так ее тоже делать не обязательно, можно взять готовые OPA548 OPA549 от TI или подобные из серии Power op amps .
  15. Угольные печатные резисторы с малошумностью как то мало связаны. Конечно по гибридной технологии можно слепить сборку, но это так нетехнологично по современным меркам. А смысл? Вся основная проблема- обеспечить работоспособность чипа с силовыми выходными каскадами, кстати, на сколько ватт? Операционник обычный от такого соседства будет колбасить страшно. Или вы планируете внешние выходные транзисторы как у сборок STK? Так тогда какой смысл огород городить, если современные ОУ в SO8 или BGA корпусах займут минимальное место, а резисторы металлопленочные MELF низкошумящие можно использовать. Хуже с конденсаторами- полипропилен мало совместим с SMD технологией, а керамика мало совместима с хорошим звуком.