[Uladzimir 68]

Схемы пошли обрастать. Не проще ли использовать http://onsemi.com NUD3105D только подобрать аналог на 12 вольт

[muravei 3]

Можно сделать без реле, на транзисторах.

Некоторое время назад , я рекомендовал здесь подобную схему, так такой визг поднялся.

Якобы из-за того что верхние тр-ры подключены к выходам и есть инд. нагрузка , начнется жуткий кошмар и все умрут. :) Наверно, это был представитель фирмы, плодящей драйверы.

[sera_os 0]

Когда бывод базы транзистора болтается в воздухе, через переход течет обратный ток коллектора, который вызывает приоткрывание транзистора. Приоткрывание приводит к разогреву перехода, что в свою очередь вызывает увеличение обратного тока коллектора и еще сильнее открывает транзистор.

Возможно оно и приведет к открыванию, но далеко не каждый транзистор. Смотрел пдф на BC817 (шерпотреб), так у него обратный ток колектора даже при 150С не превышает 5мкА!!! (упомянутый BC847 имеет такое же значение). Как уже приводил yuri_d расчет показывает, что до 100мкА ух как далеко :) .

Вот компенсация этого тока и есть основная функция резистора. Второй, побочный эффект этого резистора - ускорение рассасывания зарядов в базе при закрывании транзистора, т.е. ускорение запирания транзистора и снижение рассеиваемой на транзисторе в момент запирания мощности.

Хоть я и никогда их не использовал, просил програмистов нулем закрывать, и проблем при этом никогда не наблюдал, но согласен с тем что лучше от греха подальше и впреть буду использовать их.

Поэтому сопротивление этого резистора надо брать не 47К, а минимум на два порядка меньше (не забываем, что напряжение на переходе база-эмиттер порядка 0.6в, поэтому мощность на резисторе будет рассеиваться совсем небольшая).

ИМХО достаточно на порядок меньше.

Есть еще вариант DTC144 - у него два резистора внутри, SMD.

[Pyku_He_oTTyda 0]

Поэтому сопротивление этого резистора надо брать не 47К, а минимум на два порядка меньше

Сергей, 470 Ом об землю???

[Сергей Борщ 130]

Сергей, 470 Ом об землю???

Да, я бы ставил порядка 470 Ом. Напряжение на нем ограничено Uбэ, т.е. в открытом состоянии ток через него 0.6в/470 Ом = 1.2мА, через R1 течет (5в - 0.6в)/1К = 4.4 мА, из них 1.2 мА уходит в R2, 3.2 мА уходит в базу. Зато закрываться транзистор будет существенно быстрее. Конкретно в этой схеме время выключения скорее всего не играет принципиальной роли, но подобное включение применяется и в других схемах, где время выключения может быть уже существенным параметром.

 

 

Возможно оно и приведет к открыванию, но далеко не каждый транзистор. Смотрел пдф на BC817 (шерпотреб), так у него обратный ток колектора даже при 150С не превышает 5мкА!!! (упомянутый BC847 имеет такое же значение). Как уже приводил yuri_d расчет показывает, что до 100мкА ух как далеко :) .

А вы полагаете, что у транзистора есть только два состояния - открыт/закрыт? Возьмем требуемый ток коллектора 80мА, исходя из напряжения насыщения BC817 при 80мА порядка 0.03в сопротивление обмотки реле получается примерно (5-0.03)/0.08 = 62 Ома. При упомянутой бете 800, 5мкА в базе дают 4мА в коллекторе, что дает 0.25в на обмотке реле и остальные 4.75 на переходе транзистора, что вызывает выделение 4.75*0.004 = 19мВт Правда это все при +150, но все равно неприятно.

[yuri_d 0]

Возьмем требуемый ток коллектора 80мА, исходя из напряжения насыщения BC817 при 80мА порядка 0.03в сопротивление обмотки реле получается примерно (5-0.03)/0.08 = 62 Ома. При упомянутой бете 800, 5мкА в базе дают 4мА в коллекторе, что дает 0.25в на обмотке реле и остальные 4.75 на переходе транзистора, что вызывает выделение 4.75*0.004 = 19мВт Правда это все при +150, но все равно неприятно.

Для того, чтобы иметь 5мкА ток КБО нужно нагреть кристалл до 150 по Цельсию и подать 20В между коллектором и базой (данные из Филипсовского datasheet-а http://www.nxp.com/acrobat_download/datash...7W_BC337_5.pdf).

 

Расчёт Сергея приведен для напряжения питания 5В, а 5мкА из datasheet даны для 20В КБО. Значит в этом месте неверное допущение.

 

Далее, берём 19мВт из расчета. Используя тепловое сопротивление переход-среда 500К/Вт имеем Tj-Ta=0.019*500<10К. Значит температура среды 140 по Цельсию. Для меня очевидно, что допущение в +150С кристалла неверное. Если взять индустриальный диапазон (Ta=+85C), и экспоненциальную зависимость Ikbo от температуры (2.5 раза на 10 градусов для кремниевых транзисторов), то должны получить Ikbo=5мкА/2.5^(150-85+10) ~ 30нА. Это значение меньше Ikbo для 25 градусов, значит нужно брать 100нА (из datasheet). И тогда получим ток КЭО в 80мкА.

 

Хотя объяснение физики процесса yuri_d дал совершенно неправильное.

Непонятно где Вы увидели объяснение физики процесса. Я привел объяснение почему ставят 2 резистора в цепи базы и критерии, которыми пользовались при выборе резисторного делителя.

 

P.S. Если у кого сложилось мнение, что я предлагаю не ставить резистор между эммитером и базой в этой схеме, то это ошибочное мнение. Я считаю, что два резистора приводят к более предсказуемой схеме и следовательно более правильной.

[sera_os 0]

Да, я бы ставил порядка 470 Ом. Напряжение на нем ограничено Uбэ, т.е. в открытом состоянии ток через него 0.6в/470 Ом = 1.2мА, через R1 течет (5в - 0.6в)/1К = 4.4 мА, из них 1.2 мА уходит в R2, 3.2 мА уходит в базу. Зато закрываться транзистор будет существенно быстрее. Конкретно в этой схеме время выключения скорее всего не играет принципиальной роли, но подобное включение применяется и в других схемах, где время выключения может быть уже существенным параметром.

Согласен с Вами, что такой резистор быстрее закрывает и "надежнее", но такой номинал нужен для скоростных схем, здесь же можно обойтись и единицами килоом. 4.4 мА на управление :( , многовато, тогда уж лучше полевик поставить и резисторы десятки килоом :) ИМХО конечно.

А вы полагаете, что у транзистора есть только два состояния - открыт/закрыт?

Если б я так считал, наверное "тусовался" бы в других подфорумах (ближе к цыфре). Львинная доля моих постов - в "Вопросы аналоговой техники".

Возьмем требуемый ток коллектора 80мА, исходя из напряжения насыщения BC817 при 80мА порядка 0.03в сопротивление обмотки реле получается примерно (5-0.03)/0.08 = 62 Ома. При упомянутой бете 800, 5мкА в базе дают 4мА в коллекторе, что дает 0.25в на обмотке реле и остальные 4.75 на переходе транзистора, что вызывает выделение 4.75*0.004 = 19мВт Правда это все при +150, но все равно неприятно.

19мВт приведет к перегреву на 4,3С :) всего-то.

[Сергей Борщ 130]

Непонятно где Вы увидели объяснение физики процесса. Я привел объяснение почему ставят 2 резистора в цепи базы и критерии, которыми пользовались при выборе резисторного делителя.

Вот тут:

На самом деле включение биполярного транзистора по схеме с двумя резисторами (схема в посте №2) появилась во времена логики ТТЛ.

.....

Схема с двумя одинаковыми резисторами поднимает порог включения транзистора до двух падений база-эммитер (примерно 1.2 В), что примерно равно порогу переключения логических элементов ТТЛ. Получается, что логический элемен работает на нагрузку, на которую расчитан (справедливо для уровня переключения и несправедливо для вольт-амперной характеристики), и мы в итоге гарантированы от "чудес".

Согласен с Вами, что такой резистор быстрее закрывает и "надежнее", но такой номинал нужен для скоростных схем, здесь же можно обойтись и единицами килоом. 4.4 мА на управление :( , многовато, тогда уж лучше полевик поставить и резисторы десятки килоом :) ИМХО конечно.

Да, про скоростные совершенно согласен. В скоростных бОльшая часть мощности может рассеиваться как раз из-за медленного закрывания, точнее - во время закрывания. А в схеме в посте #10 в базу течет еще больший ток.

Если б я так считал, наверное "тусовался" бы в других подфорумах (ближе к цыфре). Львинная доля моих постов - в "Вопросы аналоговой техники".

Извините, не хотел обидеть.

[sera_os 0]

течет еще больший ток.Извините, не хотел обидеть.

:bb-offtopic: Да все нормально, никаких обид, тезка ;) .

[yuri_d 0]

Скорее всего разница в понятиях. Для меня физика процесса - это объяснение каким образом происходит процесс. А я привел всего лишь причину выбора и результат.

 

Есть фирмы (например Fairchild, On-Semiconductor), которые выпускают интегрированные транзистор и делитель в базе. Для примера взял 4 digital транзистора от Fairchild:

1) FJV3104R

R1=47K, R2=47K

Vioff < 0.5V, Vion > 3V

2) FJV3107R

R1=22K, R2=47K

Vioff < 0.4V, Vion > 2.5V

3) FJV3106R

R1=10K, R2=47K

Vioff < 0.3V, Vion > 1.4V

4) FJV3108R

R1=47K, R2=22K

Vioff < 0.8V, Vion > 4V

Все приведенные транзисторы имеют похожие остальные характеристики и отличаются отношением сопротивлений делителя в базе. В результате они отличаются по пороговым напряжениям включения и выключения.

[Сергей Борщ 130]

Скорее всего разница в понятиях. Для меня физика процесса - это объяснение каким образом происходит процесс. А я привел всего лишь причину выбора и результат.

Да, пожалуй слово "физику" надо было взять в кавычки.

Все приведенные транзисторы имеют похожие остальные характеристики и отличаются отношением сопротивлений делителя в базе. В результате они отличаются по пороговым напряжениям включения и выключения.

Вот именно: изменение порога - это следствие добавления R2, а причина его добавления - компенсация Iко и отсос зарядов из базы.

[yuri_d 0]

Вот именно: изменение порога - это следствие добавления R2, а причина его добавления - компенсация Iко и отсос зарядов из базы.

Неверно. Причина добавления - желание иметь определённый порог.

 

В соответствии с законами Киргоффа мы вправе заменить источник сигнала V1 и резисторный делитель R1, R2 на эквивалентную схему с источником сигнала V2=V1*R2/(R1+R2) и одним резистором R3= R1*R2/(R1+R2), включенным последовательно с источником. Такая замена справедлива независимо от характеристики нагрузки (входного сопротивления транзистора). При этом будет и компенсация Ikbo и рассасывание зарядов в базе при закрывании. Вот только не будет согласования по входным порогам.

 

Для вышеописанных транзисторов и схемы с замещением получим пороги:

1) V2off < 0.25V, V2on > 1.5V

2) V2off < 0.27V, V2on > 1.7V

3) V2off < 0.25V, V2on > 1.2V

4) V2off < 0.26V, V2on > 1.3V

 

Хорошо видно, что нижний порог (порог на выключение) практически один и тот же. Причина в том, что делитель R1, R2 ненагружен и транзистор не влияет на коэффициент деления. Верхний порог колеблется и причина тоже понятна: необходим определённый ток базы для поддержания транзистора в открытом состоянии.

 

Несмотря на то, что с током Ikbo при такой схеме замещения проблем нет, никто её не использует. Причина очевидна. Порог на выключение 0.25В ниже минимального напряжения "0" на выходе логических элементов ТТЛ. Вот это и есть главная причина, почему используется резисторный делитель в цепи базы.

[tyro 0]

:bb-offtopic: Главное, что все Мы (включаю и себя) придерживаемся одного технического решения - необходимость двух резисторов. Это очень хорошо, так как мы на форуме разработчиков а не теоретиков. По поводу главной причины вы все очень ошибаетесь (например: причем тут уровень ТТЛ если на выходе есть 5 вольт - см. первый пост). Главная причина наличия двух резисторов - это наличие микроконтролера и транзистора! :) :bb-offtopic: