Перейти к содержанию
    

...Вопрос в том, почему S11 параметр зависит (хоть и слабо) от длины L1, которую можно изменить с помощью TUNE...

А с чего Вы взяли, что волновое сопротивление отрезка линии независимо от частоты и равно 50 Ом? Это несимметричная полосковая линия, обладающая, во-первых, некоторой дисперсией, а во-вторых - в 50 Ом Вы всё-равно не попадете и будут проявляться резонансные свойства отрезка вкупе с 50-тиомными портами. Возьмите идеальную линию TLIN, вот там, наверное, зависимость уже наверняка обусловлена точностью, как говорилось выше. А в данном случае не вижу противоречий.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

различия результатов TxLine, AWR и ЕМ симулятора снова будут смущать. :rolleyes:

Как-то я сравнивал результаты калькуляторов AWR, Ansoft и еще каких-то,

так все показывали разное. В итоге считал в ЕМ симуляторе AWR.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Подскажите пожалуйста на счет двух моментов:

1. Как сделать экстракцию схемы их Схематика в EMSight? Примеры из Examples посмотрел, описание прочел, но ясности в этом не появилось...

2. Как в EMSight к топологии на МПЛ добавить пленочный резистор (ну или вообще резистор)? Я заходил в меню EM Structures--->Enclosure--->вкладка Material Definitions. Затем внизу этого кона - Impedance Definition--->Omega Ply и в столбце Res Sq. ставил 100. Это я так понимаю просто 100 Ом. но ведь это сопротивление на квадрат, как тогда привести к обычным Омам? И потом, ведь Res Sq относится к low frequency resistance. Елси я моделирую схему на высоких частотах, то может надо выбирать здесь Res F. которое относится к High frequency loss coeff-nt.?

Спасибо.

Изменено пользователем loreley

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Подскажите пожалуйста на счет двух моментов:

1) Не пробовал, не отвечу.

2) Размерность Ом/кв - это удельное поверхностное сопротивление квадрата резистивной пленки (от размера квадрата не зависит) - ρs = ρ/t, где ρ - удельное объемное сопротивление материала пленки, t - толщина пленки. Сопротивление пленочного резистора с прямоугольной топологией длиной L и шириной W: R = ρs*L/W. А Res F - это коэффициент, учитывающий частотную зависимость активного сопротивления пленки, в хелпе д. б. написано. На частотах 1-2 Ггц и, в принципе, даже несколько выше различий параметров тонко- и толстопленочных резисторов не наблюдал, так что можно не учитывать.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ребята, подскажите, пожалуйста, как моделировать микрополосковые фильтры на многомодовых резонаторах? То есть я имею ввиду, как сделать, чтобы офис учел несколько мод волн?

Изменено пользователем genmotors-1

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Как сделать экстракцию схемы их Схематика в EMSight?

Посмотрите в пособии Основы моделирования в Microwave Office 2009.

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ребята, подскажите, пожалуйста, как моделировать микрополосковые фильтры на многомодовых резонаторах? То есть я имею ввиду, как сделать, чтобы офис учел несколько мод волн?

Что-то не припомню, чтобы можно было учеть многомодовость в схематике, да и на таковую возможность в EM тоже есть сомнения. За достоверность не ручаюсь, но по-моему MWO Вам не помощник, надо смотреть в сторону пакетов полного электромагнитного моделирования. Но м. б. меня поправят, сам буду благодарен за просвещение, если таковая возможность в MWO есть.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

EUrry, спасибо. Т.е. если мне надо ввести в схему резистор с сопротивлением R=50 (Ом), то я задаю сопротивление квадрата, например Rкв = 100 (Ом/кв), и подбирая размеры резистивной пленки (длина и ширина), подгоняю под нужное мне изначально значение R=50 (Ом)?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

EUrry, спасибо. Т.е. если мне надо ввести в схему резистор с сопротивлением R=50 (Ом), то я задаю сопротивление квадрата, например Rкв = 100 (Ом/кв), и подбирая размеры резистивной пленки (длина и ширина), подгоняю под нужное мне изначально значение R=50 (Ом)?

Скорее, наоборот - задаете топологию и вычисляете необходимое поверхностное сопротивление. Не забывайте, что диапазон возможных значений поверхностного сопротивления ограничен технологически. Поэтому, задача, в принципе, должна решаться с обеих сторон - и с т. з. оптимальной топологии и с т. з. технологического обеспечения. Про расчет тонкопленочных резисторов ГИС можете посмотреть, например, Конструирование и технология микросхем - Коледов.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ребята, подскажите, пожалуйста, как моделировать микрополосковые фильтры на многомодовых резонаторах? Т

Что-то не припомню, чтобы можно было учеть многомодовость в схематике, да и на таковую возможность в EM тоже есть сомнения.

На практике я с подобными фильтрами не сталкивался. Ради интереса взял топологию двухмодового фильтра на открытой плате из статьи Б.А. Беляев, И.А. Довбыш и др. "Частотно-селективные свойства микрополоскового фильтра на нерегулярных двухмодовых резонаторах" в журнале Радиотехника и элктроника, 2010, том 55, №6, стр. 664-669. К сожалению электронной версии этой статьи у меня нет, но можно найти в библиотеках. Для анализа использовал симуляторы AXIEM (на открытой плате), EMSight (в корпусе без крышки) и Sonnet (в корпусе с крышкой). Проект во вложенном файле. Результаты неплохо совпадают с результатами, опубликованными в упомянутой статье. Результаты EMSight и Sonnet совпадают и немного сдвинуты вверх по частоте. Это из-за того, что резонаторы несколько короче, т.к. расстояние до земли меньше на толщину подложки. Получается, что в AWR такие фильтры моделировать можно. Проблема в том, как найти первое приближение для ЕМ. Схематик здесь не поможет. К тому же надо учесть, что Er подложки для таких фильтров должна быть не менее определённой величины, которая зависит от ширины полосы пропускания и центральной частоты. Единственная программа, которая может синтезировать такие фильтр и о которой я слышал - Filtex 32, разработанная в Красноярском институте физики им. Кириенко СО РАН.

2mfilter.rar

Изменено пользователем evgdmi

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как задать элемент схемы, который зависит от переменного напряжения?

И еще у меня проблема по нелинейному моделированию: не удается воспроизвести ВАХи по эквивалентной схеме транзистора? Может быть кто-то сталкивался с такой проблемой?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как задать элемент схемы, который зависит от переменного напряжения?

И еще у меня проблема по нелинейному моделированию: не удается воспроизвести ВАХи по эквивалентной схеме транзистора? Может быть кто-то сталкивался с такой проблемой?

 

Если имеется в виду нелинейный источник тока, то sources -> dependent -> nonlinear и выбираете какой требуется для вашей задачи. По поводу эквивалентной схемы - может быть она у Вас в принципе линейная (то есть нелинейных элементов нету), если так то вам не удастся всопроизвести ВАХ. Можно еще готовыми нелинейными моделями воспользоватся (TOM, Angelov и т.п.), чтобы ВАХ смоделировать.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если имеется в виду нелинейный источник тока, то sources -> dependent -> nonlinear и выбираете какой требуется для вашей задачи. По поводу эквивалентной схемы - может быть она у Вас в принципе линейная (то есть нелинейных элементов нету), если так то вам не удастся всопроизвести ВАХ. Можно еще готовыми нелинейными моделями воспользоватся (TOM, Angelov и т.п.), чтобы ВАХ смоделировать.

 

Я имею ввиду что у меня допустим емкость меняется с изменением напряжения. Вот как эту зависимость для емкости задать?

А вообще нелинейные элементы формулами надо задавать или есть еще какой-нибудь способ? Заранее спасибо!

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Я имею ввиду что у меня допустим емкость меняется с изменением напряжения. Вот как эту зависимость для емкости задать?

А вообще нелинейные элементы формулами надо задавать или есть еще какой-нибудь способ? Заранее спасибо!

 

Если емкость то вкладка Nonlinear -> Capacitor а там выбираете подходящую модель. Модель можно задавать в виде полинома типа Co+C1*V+C2*V*V+..., в виде таблицы значений (между точками данные интерполируются), другими аналитическими формулами (например, гиперболического тангенса и т.д.). Отвечая на Ваш вопрос, могу сказать, что встречал только либо в виде формулы, либо в виде таблицы значений.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если емкость то вкладка Nonlinear -> Capacitor а там выбираете подходящую модель. Модель можно задавать в виде полинома типа Co+C1*V+C2*V*V+..., в виде таблицы значений (между точками данные интерполируются), другими аналитическими формулами (например, гиперболического тангенса и т.д.). Отвечая на Ваш вопрос, могу сказать, что встречал только либо в виде формулы, либо в виде таблицы значений.

 

Спасибо за ответ! Еще хочу спросить: а как можно задать таблицу значений для элемента?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...