[EUrry 3]

Спасибо EUrry.

Но возможно ли сохранить данный проект в версии 2007 или ниже. На моей не открывается.

Когда файл заменял, забыл версию понизить. Держите в v. 6.5.

Cap_imped_v6_5.rar

[serega_sh____ 2]

 

Спасибо 'EUrry'. Я незнал, что так можно.

 

Но возникла маленькая проблемма.

Почему когда я копирую Вашу формулу и вставляю в свой проект она работает. А когда я напишу её самостоятельно, она не работает. Сегодня сидел пол дня и ничего внятного не придумал.

 

Прикрепил данный проект в 2007 версии

CAP.zip

[evgdmi 0]

serega_sh____, Z11 нужно не писать, а определить как измеряемую величину. Щёлкните по Output Equation на панели инструментов. В открывшемся окне выберите Port Parameters, Z, schematic 1, To Port Index=1, From Port Index=1, Use for x-axis, Imag, введите Z11 в Variable name и нажмите OK.

Затем установите появившийся прямоугольник в нужное место и щёлкните мышкой.

А вот следующую формулу С= уже нужно писать.

Подробнее об этом посмотрите в небольшом пособии "Переменные и уравнения". Там версия довольно старая, но принцип не изменился.

 

[Hunter2 0]

Здавствуйте. У меня такой вопрос.

Построил СВЧ фильтр на 7 гиг. Хотел посмотреть его характеристики на машине. Создал проект в HFSS. Но он не считает и выдает:

 

TeeModel (DrivenModal)

[error] Communication failure. System error no: 109, error description:Unknown error (5:00:04 îêò 06, 2010)

[error] Communication failure. System error no: 109, error description:Unknown error (5:00:04 îêò 06, 2010)

[error] Port refinement, process hf3d exited with code 259. (5:00:04 îêò 06, 2010)

[error] Communication failure. System error no: 232, error description:Unknown error (5:00:04 îêò 06, 2010)

[error] hfsscomengine, process hf3d died unexpectedly. (5:00:05 îêò 06, 2010)

[error] Simulation completed with execution error on server: Local Machine. (5:00:05 îêò 06, 2010)

 

Сам файл проекта тут: http://zalil.ru/29776842

Изменено 6 октября, 2010 пользователем Hunter2

[Hunter2 0]

Извините. Ошибся темой

[EUrry 3]

Почему когда я копирую Вашу формулу и вставляю в свой проект она работает. А когда я напишу её самостоятельно, она не работает. Сегодня сидел пол дня и ничего внятного не придумал.

Странно, должно работать и в этом случае, но правильный безгеморройный способ Вам уже указали.

[Halo_Gen 0]

Если есть у кого, выложите пожалуйста. Имеющийся пример в хелпе пока запустить не удалось. И вообще, есть у кого спецификация на этот формат? Что-то в сети пока не удалось найти, возможно, из-за маскирования нужной информации ненужной, относящейся к микрософту, отфильтровать которого крайне трудно.

Не знаю подойдут ли Вам эти примеры использования mdif-a. Но на всякий случай выкладываю.

MDIF_Data_Files_8.0.zip

MDIF_Data_Files_9.0.zip

[EUrry 3]

Не знаю подойдут ли Вам эти примеры использования mdif-a. Но на всякий случай выкладываю.

Спасибо! Посмотрим, хоть что-то.

[KateXX 0]

Здравствуйте,

 

Я только собираюсь начать использовать Microwave Office, поэтому есть предварительные вопросы.

Есть ли возможность в Microwave Office построить ближнее поле либо просто выгрузить таблицу ближнего поля (по аналогии с MMANA) планарной антенны, или лучше сразу начать с HFSS, т.к. в ней судя по описанию это сделать реально?

 

Спасибо.

[loreley 0]

Хочу попробовать смоделировать DGS-структуру (МПЛ-фильтр, делитель мощности и т.п.) - с дефектным основанием подложки. Там идея состоит в том, что основание не полностью металлизировано, в нем имеются различные геометрические фигуры (прямоугольные, продольные, штыри и прочее). Как можно это смоделировать в MWO? Я начал с самого простого - открыл пример (EM_Wilkinson) - делитель мощности Уилкинсона с трехмерной структурой. Вот как в том примере можно модифицировать нижний слой (слой основания металлизации подложки)? Ведь он получается недоступен для редактирования. При создании модели с нуля - ситуация та же - можно рисовать какой угодно верхний слой в Мпл-структуре, но нижний слой все равно представляется по умолчанию сплошным полигоном. Можно ли как то его изменить, отредактировать?

Спасибо!

[l1l1l1 0]

... При создании модели с нуля - ситуация та же - можно рисовать какой угодно верхний слой в Мпл-структуре, но нижний слой все равно представляется по умолчанию сплошным полигоном. Можно ли как то его изменить, отредактировать?

нет, нельзя.

но никто не запрещает вам следующий за ground диэлектрический слой сделать воздушным, а потом уже разместить диэлектрическую подложку, и на обеих ее сторонах нарисовать какие угодно металлические структуры. на самом верхнем металлическом слое тоже не удастся ничего нарисовать, но в этом тоже нет никакой проблемы.

и это соответствует жизненной ситуации - свою плату вы всегда помещаете в некий металлический корпус со сплошными верхней и нижней металлическими стенками.

 

[loreley 0]

Попробовал на том же примере из экзамплов - EM_Wilkinson. Открыл окно Substrate Informaton-----> вкладку Dielectric Layers. Вставил еще один слой, который сделал воздушным:

 

Затем открыл вкладку проекта Layout (в нижнем левом углу), выбрал EM-Layer 3 и добавил на размер всей структуры металлизированный слой (Draw--->Rectangle):

 

И теперь уже попробовал провести анализ такой структуры. Но завершить симуляцию не удается из-за каких-то ошибок, в частности, пишется следующее:

 

До самой DGS структуры еще далеко, т.к. даже со сплошным полигоном (в котором и будут прорези) не получается смоделировать всю структуру...

Подскажите пожалуйста,что я делаю не так?

Изменено 5 ноября, 2010 пользователем loreley

[l1l1l1 0]

...До самой DGS структуры еще далеко, т.к. даже со сплошным полигоном (в котором и будут прорези) не получается смоделировать всю структуру...

Подскажите пожалуйста,что я делаю не так?

думаю, что вам просто не хватило оперативной памяти.

я повторил всё, что делали вы (только слой воздуха под подложкой у меня толще, но мне кажется, что это не важно).

из проекта выбросил структуру, сделанную для Axiem.

расчет завершен успешно.

Windows 7 x64, 6 Гиг памяти.

при расчете использовалось чуть больше 2,5 Гиг памяти.

видимо, 4 Гига памяти для проекта д.б. достаточно на 64-битной системе.

когда металлизация нижней стороны подложки не будет сплошной, потребуется больше памяти,

но 6 Гиг, по моему мнению, должно хватить.

[loreley 0]

из проекта выбросил структуру, сделанную для Axiem.

- на счет Axiem не совсем понял...что это?

По поводу памяти - у меня 3 гиг, система 32 бит. Но в закладке Information в строке EM Structure на вкладке Project можно посмотреть сколько требуется оперативной памяти и места на диске. Мне пишет, что предварительный анализ ресурсов моей системы пройден успешно, т.е. я так понимаю дело не в слабой мощи моего компа.

Удивляет другое - в логах ошибок есть строчка:

EM simulation failed at frequency 1.8e+010 Hz - независимо от того, какие граничные частоты я поставлю в опциях проекта. Т.е. если даже я поставлю в опциях проекта Current Range 1...2 ГГц, то всё равно будет присутствовать эта строчка с именно этой частотой...

l1l1l1, если Вам не сложно, не могли бы сбросить на почту (gr4211 собака mail.ру) или залить куда-нибудь Вашу модель, чтобы я попробовал ее смоделировать. Возможно косяк в моих кривых руках...

 

[l1l1l1 0]

- на счет Axiem не совсем понял...что это?

в примере созданы 2 структуры - одна настроена для решения солвером EM Sight,

а другая использует альтернативный солвер - AWR AXIEM.

но нам этот вариант не подходит.

 

По поводу памяти - у меня 3 гиг, система 32 бит. Но в закладке Information в строке EM Structure на вкладке Project можно посмотреть сколько требуется оперативной памяти и места на диске. Мне пишет, что предварительный анализ ресурсов моей системы пройден успешно, т.е. я так понимаю дело не в слабой мощи моего компа.

да, я был неправ. просчитал проект на XPw32 - всё нормально, памяти использовалось всего 600 М.

 

... не могли бы сбросить на почту ... или залить куда-нибудь Вашу модель, чтобы я попробовал ее смоделировать. Возможно косяк в моих кривых руках...

не представляю, в чем может быть дело.

ссылку на проект дал через Личную почту.