[Stefan1 0]

Так схема с тремя выводами (полюсами) или тремя портами (шестью полюсами)? Обратите на это внимание, а также на определение Z-параметров (режимы).

 

P. S. Соответственно для измерения параметров трехполюсная схема преобразуется в четырехполюсную (двухпортовую) с одним общим проводом.

 

Не понял про определение режимов Z параметров, по смыслу для измерения импеданса между двумя порами подходит Z12. Схема с двумя портами, третий - 50-и омная нагрузка, как на прикрепленном рисунке.

Изменено 27 июля, 2012 пользователем Stefan1

[EUrry 3]

Не понял про определение режимов Z параметров, по смыслу для измерения импеданса между двумя порами подходит Z12. Схема с двумя портами, третий - 50-и омная нагрузка, как на прикрепленном рисунке.

Дело в том, что мне не ясна картина того, что у Вас имеется - либо потому что я этим не занимаюсь, либо Вы что-то недообъяснили. Поэтому я и спросил трех- или шестиполюсник у Вас. Видимо всё-таки шестиполюсник, судя по Вашему описанию (хотя вот тут я уже не знаю как транзистор так включить). Если бы был трехполюсник, то в MWO он включался бы как четырехполюсник (двухпортовое устройство) с одним общим полюсом на вход и выход. И тогда, если импеданс между какими-то выводами (полюсами) транзистора как трехполюсника был равен одной величине, то импеданс передачи Z12 получающегося четырехполюсника (между портами) не будет ему равен.

А по поводу режимов измерения (см. определение Z-параметров) - это к тому, если Вы смотрите Z-параметры и сравниваете их с каким-то импедансом, то для корректного сравнения необходимо знать при каких условиях он определен.

 

P. S. Не знаю, может быть только запутал. Извините, если что.

[Stefan1 0]

Дело в том, что мне не ясна картина того, что у Вас имеется - либо потому что я этим не занимаюсь, либо Вы что-то недообъяснили. Поэтому я и спросил трех- или шестиполюсник у Вас. Видимо всё-таки шестиполюсник, судя по Вашему описанию (хотя вот тут я уже не знаю как транзистор так включить). Если бы был трехполюсник, то в MWO он включался бы как четырехполюсник (двухпортовое устройство) с одним общим полюсом на вход и выход. И тогда, если импеданс между какими-то выводами (полюсами) транзистора как трехполюсника был равен одной величине, то импеданс передачи Z12 получающегося четырехполюсника (между портами) не будет ему равен.

А по поводу режимов измерения (см. определение Z-параметров) - это к тому, если Вы смотрите Z-параметры и сравниваете их с каким-то импедансом, то для корректного сравнения необходимо знать при каких условиях он определен.

 

P. S. Не знаю, может быть только запутал. Извините, если что.

Транзистора - балансный, состоит из 2 транзисторов, работающих в противофазе. Между этими двумя транзисторами на цепях согласования стоит линия в пол длины волны для сложения мощности в фазе. А импеданс в даташитах указывают также между этими двумя выводами (например по входу - от затвора до затвора). Мне нужно измерить импеданс оптимизированных цепей согласования между этими выводами и сравнить с импедансом в даташитах.

[Alexandr_T. 0]

Доброго утра всем! Столкнулся с утверждением, что в AWR MWO можно синтезировать и оптимизировать амплитудно фазовое распределение решетки по требованиям к ДН. Если кто занимался такой оптимизацией прошу скинуть какую-нибудь инфу по этому вопросу или пример. Либо, если кто синтезирвоал АФР амплитудно-фазовым методом не в MWO, помогите найти нужную литературу, или опишите где и как Вы это делали. Зарание благодарю!

[Yuri Potapoff 0]

Доброго утра всем! Столкнулся с утверждением, что в AWR MWO можно синтезировать и оптимизировать амплитудно фазовое распределение решетки по требованиям к ДН.

 

Утверждение ложное.

[DesNer 0]

Не понял про определение режимов Z параметров, по смыслу для измерения импеданса между двумя порами подходит Z12. Схема с двумя портами, третий - 50-и омная нагрузка, как на прикрепленном рисунке.

 

Z-параметры определяются при хх на остальных полюсах. неважно на что вы там нагрузили схему, параметры будут даны при условиях хх. Могу порекомендовать также использовать величину 1/Y12. Y-параметры определяются при условиях кз на остальных полюсах. Короче смотрите, что больше подходит. Если 50 ом - нагрузка на остальных портах, то это уже S12

[Neznayka 0]

Всем доброго времени суток!

Столкнулся с такой проблемой: в версии AWR DE 10.02 одна и та же EM-структура в разных солверах расчитывается по-разному.

В чем проблема, я пока не разобрался. Надеюсь на вашу помощь.

Чтобы было понятно, о чем идет речь, прикладываю к сообщению файл проекта, в котором один и тот же фильтр посчитан в разных солверах.

Когда расчет ведется в AXIEM, характеристики получаются такие, будто у фильтра нет "земли".

Может, я что-то не так делаю?

В общем, очень нужна помощь...

BPF_0_75___3_8_GHz.zip

[evgdmi 0]

Когда расчет ведется в AXIEM, характеристики получаются такие, будто у фильтра нет "земли".

В таких структурах обычно в свойствах порта нужно указывать где земля, т.е. дважды щёлкнув по порту в поле Exlict Groynd Reference установить Connect to lower.

Результаты синтеза зависят от установленных опций для AXIEM, установленные по умолчанию иногда не подходят, особенно для фильтровых структур. В этом примере я перепробовал несколько вариантов установки этих опций, но результат не изменился. Подумал, что может установленный по умолчанию итерационный solver не подходит. Пробовать другие солверы, которых в AXIEM довольно много не стал, просто выключил AFS. Но и это не помогло. Может быть внутренние порты ведут себя иначе, чем в EMSight, я с этими портами не разбирался. Т.е. тоже не понял, в чём дело.

Во всяком случае нужно верить результатам EMSight. На всякий случай проверил в симуляторе Sonnet, результаты идеально совпали с результатами EMSight. Эти результаты во вложенном файле.

Вообще с подобными фокусами при моделировании фильтровых структур я сталкивался неднократно и в более ранних версиях. Поэтому AXIEM использую в основном для нерезонансных структур (делители, ответвители и т.п.). Если же моделирую фильтр в AXIEM, то конечный результат проверяю в EMSight или в Sonnet.

BPF__0_75___3_8_GHz_New.zip

[Halo_Gen 0]

Всем доброго времени суток!

Столкнулся с такой проблемой: в версии AWR DE 10.02 одна и та же EM-структура в разных солверах расчитывается по-разному.

В чем проблема, я пока не разобрался. Надеюсь на вашу помощь.

Чтобы было понятно, о чем идет речь, прикладываю к сообщению файл проекта, в котором один и тот же фильтр посчитан в разных солверах.

Когда расчет ведется в AXIEM, характеристики получаются такие, будто у фильтра нет "земли".

Может, я что-то не так делаю?

В общем, очень нужна помощь...

Я просто переназначил via в Вашем проекте (ведь по характеру кривых дейсвтительно нет земли) и... та да...

BPF_0_75___3_8_GHz_new_via.rar

[evgdmi 0]

Я просто переназначил via в Вашем проекте (ведь по характеру кривых дейсвтительно нет земли) и... та да...

В каком месте (в какой опции) и как Вы переопределили via? Ведь и в первоначальном проекте перемычки определены как via.

 

[Halo_Gen 0]

В каком месте (в какой опции) и как Вы переопределили via? Ведь и в первоначальном проекте перемычки определены как via.

Дело в том, что Axiem-у "не понравились" - вырезанные via: т.е. вы из одной окружности вырезаете другую и полученный "бублик" ставите как via. Когда в таком варианте посмотреть разбивку mesh-а в 3D визуализации проекта, то можно заметить, что заданные таким образом перемычки пропадают (они прозрачные), а, значит они не учитываются в расчтете (раз не рабиты сеткой). А если поменять на простою перемычку (просто оружность заданная как via), то mesh уже ее разбивает. Вот и все премудрости.

Почему Axiem не хочет учитывать via "бубликом" - я не знаю, вернее не уверен, что мои домыслы достоверны.

 

P.S. еще заметил, что если задать тощину проводника, то Axiem считает гораздо дольше EMSight. (проверял на двух связанных линиях - разница составила минуты 3).

[evgdmi 0]

P.S. еще заметил, что если задать тощину проводника, то Axiem считает гораздо дольше EMSight. (проверял на двух связанных линиях - разница составила минуты 3).

Это естественно, поскольку EMSight учитывает толщину только для расчёта потерь, а при вычислении S-параметров в отличие от AXIEM (если материал определён толстым) всегда считает её нулевой. Впрочем в EMSight толщину можно учесть, если задать ещё слой воздуха, равный толщине проводника, на нём создать такойже проводник, и соединить их рядом перемычек. Такая хитрая метода.

[Neznayka 0]

Дело в том, что Axiem-у "не понравились" - вырезанные via

Спасибо. Заработало :)

Уважаемые форумщики, спасибо большое за поддержку, за проведенный мозговой штурм.

AXIEM хорош не только тем, что позволяет учитывать толщину проводника, но и проводить оптимизацию EM-структуры.

 

[Halo_Gen 0]

AXIEM хорош не только тем, что позволяет учитывать толщину проводника, но и проводить оптимизацию EM-структуры.

Так-с... А на этом месте, пожалуйста, по подробней. А то я help читал, но вот про оптимизацию там не встретил. Буду весьма признателен.

[Neznayka 0]

Так-с... А на этом месте, пожалуйста, по подробней.

Вы посмотрите примеры в папке Example. Посмотрите, например файл "Double_Stub_EM_Optimization.emp" - это пример оптимизации с использованием экстракции схемы. А вот на пример оптимизации EM-структуры можно посмотреть файлик "Patch_Antenna.emp" Ну а потом уже можно и хелп читать, т.к. вопросы по оптимизации и заданию переменных все равно остаются.