[EVS 0]

>UKvist

см. пример ...\Examples\MWS\Transient\S-Parameters\Waveguides\Orthomode Transducer\

[UKvist 0]

попробуйте два сигнала с горизонтальной и вертикальной поляризацией и сдвигом фазы 90 градусов, должна получиться круговая (если амплитуды одинаковые)

Спасибо за ответ, но как это сделать?

Я сделал так: создал 2-х модовый порт, затем в комбин-результ задал модам равные амплитуды и разность фаз 90 градусов. Вращающуюся пол-ю получил, но не уверен что делал правильно.

 

EVS, Евгений спасибо за ссылку. Сейчас посмотрю.

[top4an 0]

ДОбрый вечер, уважаемые форумчане. Вопрос в следующем:

Моделирую полуволновой вибратор на частоте 300МГц. Длинна 484 мм ( в соответствии с ротхаммелем)

Запитываю антенну в двух случаях по разному:

1 случай

В качестве источника переменного напряжения выбирается источник типа S-parametr с сопротивлением внутренним равным входному сопротивлению антенны (62 Ома в соответствии с ротхаммелем). Из хэлпа определил мощность источника = 1 Вт.

Повесил пробники на расстоянии 2,5м от антенны( что соответствует дальней зоне). Пробники были E-farfield=8,9*10^-10 В/м и E-field = 6,07*10^-7 В/м.

2 случай

В качестве источника переменного напряжения выбирается источник типа Voltage с той же мощностью 1 Вт ( U=sqrt( 1W * 62 Ohm) = 7.87 V)

Значение напряженности поля на тех же пробниках следующие: E-farfield=1,33*10^-9 В/м и E-field = 4,88*10^-7 В/м.

 

Прошу развернуто высказать мнение о том, 1)почему в каждом случае напряженность поля в пробниках E-field и E-farfield отличается,2) почему при одинаковых подводимых мощностях напряженности поля в 2-х случаях разные??

Спасибо за любой развернутый ответ.

 

[tduty5 0]

...мощность источника = 1 Вт. Повесил пробники на расстоянии 2,5м от антенны. Пробники были E-farfield=8,9*10^-10 В/м и E-field = 6,07*10^-7 В/м...

Ерунду ваш проект посчитал. Поле при этих условиях будет единицы В/м, а у вас на несколько порядков меньше. Смотрите сетку: проходят ли через точки источника границы ячеек?

[top4an 0]

Ерунду ваш проект посчитал. Поле при этих условиях будет единицы В/м, а у вас на несколько порядков меньше. Смотрите сетку: проходят ли через точки источника границы ячеек?

конечно проходят, иначе бы решение не запускалось

[Anga 0]

ДОбрый вечер, уважаемые форумчане. Вопрос в следующем:

Моделирую полуволновой вибратор на частоте 300МГц. Длинна 484 мм ( в соответствии с ротхаммелем)

Запитываю антенну в двух случаях по разному:

1 случай

В качестве источника переменного напряжения выбирается источник типа S-parametr с сопротивлением внутренним равным входному сопротивлению антенны (62 Ома в соответствии с ротхаммелем). Из хэлпа определил мощность источника = 1 Вт.

Повесил пробники на расстоянии 2,5м от антенны( что соответствует дальней зоне). Пробники были E-farfield=8,9*10^-10 В/м и E-field = 6,07*10^-7 В/м.

2 случай

В качестве источника переменного напряжения выбирается источник типа Voltage с той же мощностью 1 Вт ( U=sqrt( 1W * 62 Ohm) = 7.87 V)

Значение напряженности поля на тех же пробниках следующие: E-farfield=1,33*10^-9 В/м и E-field = 4,88*10^-7 В/м.

 

Прошу развернуто высказать мнение о том, 1)почему в каждом случае напряженность поля в пробниках E-field и E-farfield отличается,2) почему при одинаковых подводимых мощностях напряженности поля в 2-х случаях разные??

Спасибо за любой развернутый ответ.

P=U*U/2R а не P=U*U/R

вот они и отличаются в sqrt(2) раз

[top4an 0]

P=U*U/2R а не P=U*U/R

вот они и отличаются в sqrt(2) раз

Хорошо, если так и есть, то напряженность поля Е-farfield с домножением на корень из двух практически выравнивается. Однако для пробника E-field такое условие не выполняется. К тому же не известна причина отличия

1) в каждом случае напряженность поля в пробниках E-field и E-farfield отличается

 

[tduty5 0]

для пробника E-field такое условие не выполняется. К тому же не известна причина отличия

Всё же проверьте настройки проекта: единицы, материал окружающего пространства, граничные условия... Я посчитал ваш диполек, там на 2.5 м при U_вх = 7,87 В амплитуда поля 1,8 В/м, а не 10^-10...10^-7. Пробники Е-поля ориентированы вдоль диполя? Вот если пробники поперек стоят, то да, на несколько порядков поле меньше.

[top4an 0]

Всё же проверьте настройки проекта: единицы, материал окружающего пространства, граничные условия... Я посчитал ваш диполек, там на 2.5 м при U_вх = 7,87 В амплитуда поля 1,8 В/м, а не 10^-10...10^-7. Пробники Е-поля ориентированы вдоль диполя? Вот если пробники поперек стоят, то да, на несколько порядков поле меньше.

Верно, пробник стоял перпендикулярно диполю. Заменил ориентацию на параллельную и напряженность стала E-field=1.65 V/m и E-farfield=3.3 V/m.

Может мы сможете пояснить почему E-field меньше в 2 раза, чем E-farfield?

В чем отличие этих измеряемых величин?

 

[TimKaa 0]

Доброго времени суток!

Необходимо смоделировать микрополосковый фильтр с экраном, в связи с этим связался с CST studio.

Фильтр спроэктирован в Genesys Eagleware.

 

Собственно вопрос заключается в том, как легче всего перенести плату из genesys в CST так, чтобы осталась возможность оптимизации в CST? Сейчас пытаюсь его руками забить в CST, но что-то мне подсказывает, что должен быть более лёгкий путь.

 

Спасибо за помощь!

 

ЗЫ.: Можно ли где-нибудь достать обширный материал по бейсику используемому в CST? Разбирал как там устроенны макрос, многие команды в встроенной помощи отсутствуют.

Изменено 7 июля, 2011 пользователем mig-11101

[ser_aleksey_p 0]

Доброго времени суток!

Необходимо смоделировать микрополосковый фильтр с экраном, в связи с этим связался с CST studio.

Фильтр спроэктирован в Genesys Eagleware.

 

Собственно вопрос заключается в том, как легче всего перенести плату из genesys в CST так, чтобы осталась возможность оптимизации в CST? Сейчас пытаюсь его руками забить в CST, но что-то мне подсказывает, что должен быть более лёгкий путь.

 

Спасибо за помощь!

 

ЗЫ.: Можно ли где-нибудь достать обширный материал по бейсику используемому в CST? Разбирал как там устроенны макрос, многие команды в встроенной помощи отсутствуют.

Продолжайте забивать руками. Другого пути нет.

[TimKaa 0]

Спасибо!

Уже и сам разобрался. Задача оказывается не столь сложной, если нарисовать сначала плату на бумаге и вывести выражения для всех координат, а потом задать их в списке переменных CST!

[top4an 0]

Верно, пробник стоял перпендикулярно диполю. Заменил ориентацию на параллельную и напряженность стала E-field=1.65 V/m и E-farfield=3.3 V/m.

Может мы сможете пояснить почему E-field меньше в 2 раза, чем E-farfield?

В чем отличие этих измеряемых величин?

 

Может найдется человек, который ответит на эти вопросы?

[Igorek R. 0]

Всем привет!

Не в первый раз при работе в ЦСТ столкнулся с такой особенностью - сигнал очень долго "затухает" в моделируемой структуре ( в данном случае моделирую полосковую антенну) 1.bmp, но стоит немного изменить модель, как сигнал быстро затухает2.bmp.

 

Не подскажите с чем это связано, с особенностями солвера или всё-таки дело в модели?

[sank 0]

Не подскажите с чем это связано, с особенностями солвера или всё-таки дело в модели?

Время затухания сигнала определяется добротностью резонанса в структуре. Когда есть высокодобротный резонанс - сигнал затухает долго. Так что дело исключительно в модели.

Для ускорения расчета в этом случае можно в настройках солвера включить использование авторегрессии - солвер будет пытаться построить модель сигнала для его экстраполяции, как только модель начинает надежно предсказывать поведение сигнала, дальнейшее полномасштабное моделирование (обновление полей на сетке) прекращается и сигнал дополняется экстраполированным хвостом, построенным на основе авторегрессионной модели (сама модель основана на аппроксимации сигнала суммой затухающих синусоид с разными комплексными частотами)