[slimjack 0]

Работаю с TMS320F2808. Возникла проблема хранить независимо от питания данные - десять целых чисел (по 2 байта). Обновление данных 10 раз в секунду. В перспективе необходимо будет хранить от 50 килобайт до 1 Мб с частотой заполнения до 20 кГц.

Флэш память контроллера, как я понял, непригодна для таких целей - нужна внешняя память. Кто-нибудь посоветуйте, что можно применить для данного контроллера (у него нет интерфейса внешней памяти, только последовательые порты), или нужно переходить на TMS320F2812 с внешним параллельным интерфейсом.

[Doka 1]

схожая тема: http://electronix.ru/forum/index.php?showt...311&hl=EFSL

[SM 0]

схожая тема: http://electronix.ru/forum/index.php?showt...311&hl=EFSL

 

Вас спасет FRAM. Например => http://www.ramtron.com/doc/Products/Nonvol...?ID=68&gr=5

[Krys 2]

У меня тоже похожая проблемка. Имеется некий пульт ДУ, на нём оператор делает цифровыми регуляторами определённые установки, допустим, яркости и дальности. Хотелось бы, чтобы после выключения и включения МК это всё "вспоминалось", потому что пока после каждого включения всё приходится выставлять с нуля. Если очень часто писать все изменения в энергонезависимую память МК, надолго, думаю, этой памяти не хватит, число циклов записи там ограничено. Нужен какой-то другой выход...

[Гость mihask]

У меня тоже похожая проблемка. Имеется некий пульт ДУ, на нём оператор делает цифровыми регуляторами определённые установки, допустим, яркости и дальности. Хотелось бы, чтобы после выключения и включения МК это всё "вспоминалось", потому что пока после каждого включения всё приходится выставлять с нуля. Если очень часто писать все изменения в энергонезависимую память МК, надолго, думаю, этой памяти не хватит, число циклов записи там ограничено. Нужен какой-то другой выход...

 

Но ведь у FRAM например, нет ограничения по количеству циклов чтения/записи :)

[Krys 2]

Но ведь у FRAM например, нет ограничения по количеству циклов чтения/записи :)

Да, посмотрел, отличная штучка, да и недорогая. Мне подходит. Просто, когда я писал это сообщение, я ещё не видел сообщение про FRAM.

[Гость mihask]

схожая тема: http://electronix.ru/forum/index.php?showt...311&hl=EFSL

 

Вас спасет FRAM. Например => http://www.ramtron.com/doc/Products/Nonvol...?ID=68&gr=5

 

Я на сайте что-то не заметил FRAM 1Мбайт. Или я плохо смотрел ? :)

Изменено 31 января, 2007 пользователем mihask

[SM 0]

Я на сайте что-то не заметил FRAM 1Мбайт. Или я плохо смотрел ? :)

Правильно смотрели - максимум 1 мегабит на сегодня на сколько я знаю. Хотя были сообщения о том, что рамтрон сваял 8-мегабитку, но на сколько это правда - х.з. Но для десяти двухбайтных чисел не много ли один мегабайт?

[slimjack 0]

схожая тема: http://electronix.ru/forum/index.php?showt...311&hl=EFSL

 

Вас спасет FRAM. Например => http://www.ramtron.com/doc/Products/Nonvol...?ID=68&gr=5

 

Просто в десятку!

Спасибо!

[Itch 0]

В конце концов совсем не обязательно постоянно писать в одни и те же ячейки, пишите последовательно по всей памяти. Алгоритм конечно усложнится, но зато циклов записи будет очень много.

[rezident 0]

Если есть возможность обнаружить факт снижения напряжения ниже критического уровня, то писать можно в энергонезависимую память любого вида (Flash, EEPROM, FRAM). Главное чтобы промежутка времени между активацией сигнала о снижении питания и реальным падением напряжения до недопустимо низкого уровня хватило на запись блока критически важной информации. 25 мс вполне хватит для одной записи хоть в EEPROM, хоть во Flash. Разница только в размере буфера у каждой. Т.е. если весьма грубо прикидывать, то это время примерно 20мс*размер_записи/размер_буфера. Для записи 20 байт во Flash, DataFlash (в заранее подготовленный, т.е. уже стертый сектор) 20мс хватит, в EEPROM - 60мс.

Ну а для часто обновляемых (несколько раз в секунду) записей размером в несколько кБайт/МБайт Flash и EEPROM никак не подходят. Тут уж что-то типа SRAM с резервным питанием или даже HDD нужно :) ИМХО конечно. Про FRAM только читал, но сам ни разу не использовал.

[DeadMoroz 0]

FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен.

Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention"

[umup 0]

Не миллион, а что-то типа 10^10 - 10^12

 

А еще лучше, как тут говорили, пишите при отключении питания, тогда и внутреннего EEPROM хватит, только конденсатор по питанию поставте с запасом

Изменено 1 февраля, 2007 пользователем umup

[SM 0]

FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен.

Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention"

 

второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте.

Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 512 x 8 bits
• Unlimited Read/Write Cycles
• 10 Year Data Retention 
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

[slimjack 0]

FRAM - штука хорошая, сам пользую и доволен.

Просто хочу сказать что ее ресурс имеет границу, правда очень большую. Когда-то читал и цифра была порядка ~миллионов циклов, хотя щас нашел только параметр "10 Year Data Retention"

 

второй параметр паказывает кол-во записей. Технология не стоит на месте.

Features: 4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 512 x 8 bits
• Unlimited Read/Write Cycles
• 10 Year Data Retention 
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

 

А что означает NoDelay™ Writes? Запись без задержек - это как?