[ChristinaChadzynski 1]

On 9/14/2023 at 11:58 PM, r_dot said:

Весь "расчёт" строится на уже выбранных значениях этих самых "параметров цепи управления" - резисторов в затворе.

Если б Вы не прогуливали арифметику в 4м классе, то знали бы, что можно провести т.н. обратный расчёт)

On 9/14/2023 at 11:58 PM, r_dot said:

Такое впечатление, что вы отвечаете даже не читая.

Что Вас напрягло? Напишите, вместо того, чтобы троллить и обижаться. Будь мужиком, билять!

[HardEgor 66]

51 минуту назад, r_dot сказал:

Ответа на вопросы "как достичь максимального быстродействия" или "как выбрать оптимальное значение резистора затвора по соотношению потери-быстродействие" там нет.

Может быть здесь найдётся  https://www.irf.com/technical-info/apphandbook.pdf (пдф-ка кликабельна).

[r_dot 0]

41 minutes ago, HardEgor said:

Может быть здесь

Первое, что я сделал - полазил по "столпам транзисторостроения".

Из того, на что есть в ссылках в вашей PDF-ке, к теме относится разве что

Quote

AN-944A - Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs
Gate Charge background, test methods, how to interpret the gate charge curve, how to
estimate switching times, and how to compare different devices.

Читал я его. Те же объяснения, те же рассуждения, и те же нестыковки. В общем-то, оттуда наверное большую часть и списывали.

_____________________________________________________-

Вот типичный пример, который я не понимаю:

Тезис: "Быстродействие надо ограничивать, чтобы не превышать dV/dt, а то...
И меры борьбы, если dV/dt на стоке слишком большое, и вызывает, например, паразитное открывание транзистора через ёмкость CDS - применить p-n-p транзистор для рассасывания вытекающего из затвора тока:

Quote

Данная схема обеспечивает ускоренный разряд емкости затвора, обеспечивает хорошую стойкость к высоким dV/dt ...

Это что, не то же самое, что просто увеличение пикового тока затвора? В данном случае - тока разряда.

Когда пишут про одно - нельзя, когда про другое - то же самое можно и нужно...

____________________________________________________________________________

Так всё-таки, можно увеличением тока затвора получить времена задержек меньше, чем в даташите, или нельзя, т.к. это какие-то параметры инерционности собственно транзистора?

 

[ChristinaChadzynski 1]

On 9/15/2023 at 1:32 AM, r_dot said:

если dV/dt на стоке слишком большое, и вызывает, например, паразитное открывание транзистора через ёмкость CDS

А это как возможно вообще??

[HardEgor 66]

50 минут назад, r_dot сказал:

Так всё-таки, можно увеличением тока затвора получить времена задержек меньше, чем в даташите, или нельзя, т.к. это какие-то параметры инерционности собственно транзистора?

Это параметры инерционности транзистора полученные в схеме из даташита.

Вот например подключен Rg:

Можно попробовать и меньше получить, но только "на свой страх и риск".

1 час назад, r_dot сказал:

Это что, не то же самое, что просто увеличение пикового тока затвора? В данном случае - тока разряда.

Всё правильно увеличение тока разряда емкости затвора. Емкость там несколько нанофарад, а биполяр ограничит ток.

[vov4ick 35]

32 минуты назад, ChristinaChadzynski сказал:

А это как возможно вообще??

Наверное имелась в виду Сзс = Cgd.
Про выбор способов управления ключевыми МОП транзисторами, в том числе про затворный резистор, есть хорошая статья: Laszlo Balogh "Design and application guide for high speed MOSFET gate drive circuits".
Про ограничение скорости работы тоже есть заметка от Тошибы: "Impacts of the dv/dt rate on MOSFETs". Там не только про Миллера, но и про паразитные элементы внутри силовой МОП структуры.

[ChristinaChadzynski 1]

On 9/15/2023 at 3:03 AM, vov4ick said:

Наверное имелась в виду Сзс = Cgd.

Да, я понял. Но не сразу дошла ситуация, в которой эта ёмкость откроет закрытый транзистор: в мостовом каскаде и прижёстком открывании 2го плеча (обычно при работе на индуктивность открывание мягкое).

Спасибо за ссылки, смотрю.

Изменено 14 сентября, 2023 пользователем ChristinaChadzynski

[Plain 168]

7 часов назад, r_dot сказал:

типичный пример, который я не понимаю:

Означает, что скорость выключения не превышена, даже если ток драйвера увеличить транзистором, а скорость включения придётся ограничить, потому что индуктивность цепи затвора большая, поэтому добротность её контура нужно уменьшить резистором, иначе на ЗИ будет перенапряжение и пробой.

[borodach 16]

On 9/14/2023 at 3:56 PM, borodach said:

Но это только частный случай, одна из причин разделения цепи управления затвором. Их много разных, причин этих.

Ещё один, очень наглядный пример, был здесь. У человека корректор в неразрывном токе, шпарящий на все свои возможные наносекунды транзистор, и разумеется полагается использовать SiC диоды. Аффтар поставил обычный ультрафаст, а включение транзистора не замедлил. Как следствие - разогрев диода и отказ с пиротехникой круче фейерверка в новогоднюю ночь. Ему говорили про существующие схемотехнические решения по ускорению запирания медленных диодов, но всё мимо. А можно было также просто замедлить включение транзистора.

[r_dot 0]

2 hours ago, Plain said:

Означает, что скорость выключения не превышена, даже если ток драйвера увеличить транзистором

Однако эта схема обычно приводится как одно из решений в главе "Способы защиты от высоких значений dV/dt" (например в статье по ссылке, которую тут давал wla).
То есть, защита от высоких скоростей переключения - повышение скорости переключения... Вот не понимаю я таких объяснений.
А методику рассчёта оптимального и надёжного управления силовыми полевиками не могу ни придумать, ни найти.

[borodach 16]

On 9/15/2023 at 10:27 AM, r_dot said:

А методику рассчёта оптимального и надёжного управления силовыми полевиками не могу ни придумать, ни найти.

Есть такое слово - отладка

На отладке может поменяться вообще вся схема, не только какие-то номиналы и расчёты

[r_dot 0]

33 minutes ago, borodach said:

отладка

Безусловно она должна быть. В конце разработки. Но не как методика разработки, потому что это "метод научного тыка". Он конечно широко используется, особенно в радиолюбительстве. Некоторые даже гордятся "ведром сгоревших транзисторов" в процессе изготовления своих поделок. 🙂
Это не наш путь. В начале грамотный рассчёт, потом отладка нюансов. Ну и рассчёт надёжности и карты рабочих режимов никто не отменял.

Прихожу к выводу, что рассчёт должен быть итерационный. В принципе, это нормально. Но пока не получается собрать все параметры, подлежащие рассчёту.
Такое впечатление, что взаимозависимости нигде толком не описаны. А формулы, набор из которых в основном и представляют из себя такие статьи, - рассчёт скорости заряда/разряда или закон Ома для рассчёта токов, или закон Джоуля-Ленца  для рассчёта мощности, уходящей в тепло, - это не открытие.

[borodach 16]

ну если вы отладку называете методом научного тыка, то наверное и программисты пишут сразу готовый код и не ищут потом в нём баги, и повар не сделает себе заметку "в следующий раз положу меньше соды", и сначала Гагарин в космос полетел, а затем Белка и Стрелка, да?

On 9/15/2023 at 11:02 AM, r_dot said:

грамотный рассчёт

не существует

[r_dot 0]

1 hour ago, borodach said:

да?

Не собираюсь спорить, как должна проводиться разработка. 🙂

[borodach 16]

Но вы сами себе противоречите.

С одной стороны, вы сильно принижаете важность и объём эмпирических мероприятий в разработке, считая, что матчасть должна занимать чуть ли не 90% всего объёма работ;

С другой стороны, имеете вот это

On 9/15/2023 at 10:27 AM, r_dot said:

А методику ... не могу ни придумать, ни найти.

Но другие-то как-то решают эту проблему! Не пытаетесь ли вы изобрести неизобретаемое?

Изменено 15 сентября, 2023 пользователем borodach