[Тоха 0]

Добрый вечер, друзья. Занимаюсь разработкой оснастки для проведения ускоренных испытаний на безотказность транзистора IXTK200N10L2. Для хорошего проектирования оснастки нужно тепловое сопротивление переход(кристалл)-окружающая среда данного транзистора. Расчеты провожу по ГОСТ 57394-2017. В DATASHEET не указано тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда. Подскажите, пожалуйста, как его можно посчитать, имея другие исходные данные в DATASHEET? Спасибо!

 

[makc 192]

В даташите указаны основные тепловые сопротивления:

Итоговое тепловое сопротивление будет определяться исходя из теплового сопротивления применяемого радиатора (RthSA): RthJA = RthJC + RthCS + RthSA

[Тоха 0]

Макс , огромное спасибо ! 

[Тоха 0]

17 часов назад, makc сказал:

В даташите указаны основные тепловые сопротивления:

Итоговое тепловое сопротивление будет определяться исходя из теплового сопротивления применяемого радиатора (RthSA): RthJA = RthJC + RthCS + RthSA

Максим , возник вот такой вопрос. Как посчитать R(ds)on, при напряжении Vgs=12V, Vds=30V и Id=50A? 
Спасибо 

[HardEgor 66]

26 минут назад, Тоха сказал:

Как посчитать R(ds)on, при напряжении Vgs=12V, Vds=30V и Id=50A? 

У них на сайте есть spice модель IXTK200N10L2  - в симуляторе можно получить все необходимые значения.

IXTK200N10L2.zip

[makc 192]

33 минуты назад, Тоха сказал:

Максим , возник вот такой вопрос. Как посчитать R(ds)on, при напряжении Vgs=12V, Vds=30V и Id=50A? 

По графику из даташита:

В худшем случае при 125 градусах на кристалле кривая будет приблизительно такая. Rds(on) для Id=100 А равно 11 мОм:

Т.е. получается приблизительно 1.65 * 11 мОм = 18 мОм при температуре 125 градусов. Для 25 градусов можете посчитать аналогичным образом.

 

5 минут назад, HardEgor сказал:

У них на сайте есть spice модель IXTK200N10L2  - в симуляторе можно получить все необходимые значения.

👍 тоже вариант, только это не "посчитать", а "получить", если рассуждать строго формально. Но тем интереснее сравнить эти значения (расчётное и полученное из моделирования).

[Тоха 0]

1 час назад, makc сказал:

По графику из даташита:

В худшем случае при 125 градусах на кристалле кривая будет приблизительно такая. Rds(on) для Id=100 А равно 11 мОм:

Т.е. получается приблизительно 1.65 * 11 мОм = 18 мОм при температуре 125 градусов. Для 25 градусов можете посчитать аналогичным образом.

 

👍 тоже вариант, только это не "посчитать", а "получить", если рассуждать строго формально. Но тем интереснее сравнить эти значения (расчётное и полученное из моделирования).

Максим , получается мощность , которая выделяется на транзисторе равна= (50*50)*0.018=45 Вт? 

[makc 192]

3 часа назад, Тоха сказал:

Максим , получается мощность , которая выделяется на транзисторе равна= (50*50)*0.018=45 Вт? 

Да, неплохо так должен греться... Нужен хороший радиатор.

[Тоха 0]

3 минуты назад, makc сказал:

Да, неплохо так должен греться... Нужен хороший радиатор.

Назрел еще вопрос. Последний ахахаха) . Нужно рассчитать мощность в форсированном режиме P(рас-ф). Получается по DataSheet- 200A*200A*0,11=440 Вт. Верно или тут есть ошибка ? 

[makc 192]

Только что, Тоха сказал:

Назрел еще вопрос. Последний ахахаха) . Нужно рассчитать мощность в форсированном режиме P(рас-ф). Получается по DataSheet- 200A*200A*0,11=440 Вт. Верно или тут есть ошибка ? 

Ошибки есть, т.к. во-первых не 0,11 (сто десять миллиом), а 0,011 Ом (одиннадцать миллиом). Далее, эта величина сопротивления канала приведена в ДШ для Vgs = 10V, Id = 0.5 • Id25, т.е. для Id = 100 A. Таким образом, вместо 440 Вт получается 110 Вт = 100 * 100 * 0.011.

[Тоха 0]

33 минуты назад, makc сказал:

Ошибки есть, т.к. во-первых не 0,11 (сто десять миллиом), а 0,011 Ом (одиннадцать миллиом). Далее, эта величина сопротивления канала приведена в ДШ для Vgs = 10V, Id = 0.5 • Id25, т.е. для Id = 100 A. Таким образом, вместо 440 Вт получается 110 Вт = 100 * 100 * 0.011.

Исходя из показаний мощности в форсированном режиме , считаю дальше температуру окруж. среды в форсированном режиме по формуле:

Tокруж.ф=Tпер-ф-Rпер-окруж.*Pрас-фор. Получается: Tокруж-ф=150- 1,54*110. Получается отрицательная температура. Такое допустимо ? 

[makc 192]

Это значит перегрев.

[Тоха 0]

39 минут назад, makc сказал:

Это значит перегрев.

Спасибо ! 

[Тоха 0]

В 07.08.2023 в 20:01, Тоха сказал:

Спасибо ! 

Макс , привет . Какая-то фигня получается при рассчетах. Оказалось , что данный транзистор работает при температуре окруж среды 50 градусов, Id=21A, Vgs=12V и Vds=58. Работает данный транзистор как ключ.
Рассеиваемая мощность на транзисторе: 21*21*0,011=4,8Вт. 

Радиатор сделан из Амг3 . Его тепловое сопротивление- 1,54C/W.

Температура перехода равна: 50+1,54*4,8=57,39С.

схема подключения выглядит следующим образом: источник напряжения  затвор-исток. Источник питания сток-исток. И вольтметр между стоком и истоком. Нагрузка в данном случае не нужна , т.к она будет очень маленькая.

где ошибка в рассчетах или все посчитано верно ? 
Спасибо! 

 

[makc 192]

39 минут назад, Тоха сказал:

Рассеиваемая мощность на транзисторе: 21*21*0,011=4,8Вт.

Здесь есть ошибка: Rds не 0,011 Ом, а где-то 1,2 * 0,011 при стартовой температуре 50 градусов.

41 минуту назад, Тоха сказал:

Радиатор сделан из Амг3 . Его тепловое сопротивление- 1,54C/W.

Тепловое сопротивление радиатор-воздух?

42 минуты назад, Тоха сказал:

Температура перехода равна: 50+1,54*4,8=57,39С.

1,54 у меня вызывает сомнения и 4,8 здесь заниженная тепловая мощность, т.к. при 50 градусах сопротивление канала выше, чем при 25.